polysilicon gate deviceとは 意味・読み方・使い方

To provide a semiconductor device which has a transistor having polysilicon for a gate electrode in a trench, the semiconductor device being characterized in that a step owing to a polysilicon film is not formed on a semiconductor device surface and low contact resistance is obtained in a gate contact portion for acquiring a potential of the polysilicon for the gate electrode.例文帳に追加

トレンチ内にゲート電極用ポリシリコンをもつトランジスタを備えた半導体装置において、ポリシリコン膜に起因して半導体基板表面に段差が形成されることなく、ゲート電極用ポリシリコンの電位をとるためのゲートコンタクト部で低いコンタクト抵抗を得る。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING TRENCH GATE TYPE MIS DEVICE HAVING THICK POLYSILICON INSULATING LAYER AT BOTTOM OF TRENCH例文帳に追加

トレンチ底部に厚いポリシリコン絶縁層を有するトレンチゲート型ＭＩＳデバイスの製造方法 - 特許庁

During the simultaneous etching of the both gates in a semiconductor device wherein an N-type polysilicon gate and a P-type polysilicon gate are arranged, the area of undoped silicon gates which are dummy electrodes is arranged to be larger than the total area of the N-type and P-type doped polysilicon gates, so that the undoped polysilicon is dominant over the doped polysilicon during dry etching for the polysilicon gates.例文帳に追加

Ｎ型ポリシリコンゲートとＰ型ポリシリコンゲートが配置されたデバイスにおいて、両ゲートを同時にエッチングする場合に、ダミー電極であるノンドープポリシリコンゲートの面積をＮ型及びＰ型のドープポリシリコンゲートの全面積よりも多くするように配置して、ドープポリシリコンよりもノンドープのポリシリコンが支配的になるようにして、ポリシリコンゲートをドライエッチングするようにした。 - 特許庁

To reduce the gate resistance of a semiconductor device by reducing contact resistance between a tungsten film and a polysilicon layer, and at the same time, suppressing the occurrence of depletion in the gate electrode of the device.例文帳に追加

タングステン膜−ポリシリコン層間の接触抵抗を小さくするとともにゲート電極の空乏化の発生を抑えてゲート抵抗を小さくする。 - 特許庁

The liquid crystal display device includes a gate insulating film 15 formed on a glass substrate 3 containing a plurality of island-like polysilicon films 71.例文帳に追加

複数の島状のポリシリコン膜71を含むガラス基板３上にゲート絶縁膜15を成膜する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device for preventing the depletion of a gate electrode constituted of polysilicon, and a method for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

ポリシリコンからなるゲート電極の空乏化を防ぐことができる半導体装置及びその製造方法を得る。 - 特許庁

The semiconductor device includes: a gate electrode 14A which has a p-type polysilicon layer 14A1 and silicide layer 14A2; and a gate electrode 14B which has an n-type polysilicon layer 14B1 and silicide layer 14 B2.例文帳に追加

ｐ型ポリシリコン層１４Ａ１およびシリサイド層１４Ａ２を有するゲート電極１４Ａと、ｎ型ポリシリコン層１４Ｂ１およびシリサイド層１４Ｂ２を有するゲート電極１４Ａとを備える。 - 特許庁

In the semiconductor device 500a, a gate structure formed by successively stacking a gate oxide film 31 and a polysilicon layer 30 is arranged over a substrate 10.例文帳に追加

半導体装置５００ａにおいては、基板１０上に、ゲート酸化膜３１およびポリシリコン層３０を順次積層させたゲート構造が配置されている。 - 特許庁