polysilicon etchingとは 意味・読み方・使い方

A second polysilicon film is formed on the second insulating film, and a second polysilicon electrode is formed by dry etching.例文帳に追加

第２絶縁膜上に第２ポリシリコン膜を形成し、ドライエッチングにより第２ポリシリコン電極を形成する。 - 特許庁

Then the photoresist 17 is used as a mask to successively remove the polysilicon film 16, an ONO film 15 and a polysilicon film 13 by etching.例文帳に追加

次いで、フォトレジスト１７をマスクとして、ポリシリコン膜１６、ＯＮＯ膜１５及びポリシリコン膜１３を順次エッチングにより除去する。 - 特許庁

Then, by etching back the doped polysilicon layer 25, a portion outside the trench 6 in the doped polysilicon layer 25 is removed.例文帳に追加

その後、ドープドポリシリコン層２５をエッチバックして、ドープドポリシリコン層２５におけるトレンチ６外の部分を除去する。 - 特許庁

METHOD FOR ANALYZING SURFACE-LAYER IMPURITY OF POLYSILICON, AND SAMPLE-TREATING CONTAINER FOR ETCHING POLYSILICON例文帳に追加

ポリシリコンの表層部不純物の分析方法およびポリシリコンをエッチングするための試料処理容器 - 特許庁

To provide a method of subjecting a metal material of a polysilicon film lower layer to etching processing without giving damage to a polysilicon film.例文帳に追加

ポリシリコン膜下層の金属材料を、ポリシリコン膜へダメージを与えずにエッチング処理する方法を提供する。 - 特許庁

And seam leakage of the STI oxide caused by a polysilicon side wall present after the polysilicon gate etching can also be avoided.例文帳に追加

ポリシリコン・ゲート・エッチング後に残存するポリシリコン側壁によるＳＴＩ酸化物のシーム漏れも回避される。 - 特許庁

By etching back the non-doped polysilicon layer 28, a portion outside the trench 6 in the non-doped polysilicon layer 28 is removed.例文帳に追加

ノンドープポリシリコン層２８をエッチバックして、ノンドープポリシリコン層２８におけるトレンチ６外の部分が除去される。 - 特許庁

Next, polysilicon electrodes 23b are formed by embedding polysilicon between the sidewalls 24a, and the polysilicon film 21 is patterned by removing the sidewalls 24a and etching back the polysilicon film 21 and the polysilicon electrodes 23a, 23b.例文帳に追加

次いで、サイドウォール２４ａの間にポリシリコンを埋め込むことによってポリシリコン電極２３ｂを形成し、サイドウォール２４ａを除去して、ポリシリコン膜２１およびポリシリコン電極２３ａ，２３ｂをエッチバックすることでポリシリコン膜２１をパターンニングする。 - 特許庁