polysilicon electrodeとは 意味・読み方・使い方

The polysilicon spacer on the end of the gate electrode is removed to separate the polysilicon spacers into a source polysilicon spacer and a drain polysilicon spacer, thereby completing formation of a MOSFET.例文帳に追加

ゲート電極の端部上のスペーサーを除去してソースポリシリコンスペーサーとドレインポリシリコンスペーサーとに分離し、ＭＯＳＦＥＴを完成する。 - 特許庁

A polysilicon electrode PS having sidewalls is formed on the insulating film.例文帳に追加

絶縁膜上に、側壁を有するポリシリコン電極ＰＳが形成される。 - 特許庁

A polysilicon film that becomes a gate electrode 6 is formed on it.例文帳に追加

その上には、ゲート電極６となるポリシリコン膜を形成する。 - 特許庁

Subsequently, the polysilicon film 8 is patterned to form a gate electrode 8a.例文帳に追加

ポリシリコン膜８をパターニングしてゲート電極８ａを形成する。 - 特許庁

On the gate electrode and substrate, a polysilicon layer is deposited.例文帳に追加

ゲート電極及び基板上にポリシリコン層が堆積される。 - 特許庁

A second insulating film is formed over the first polysilicon electrode.例文帳に追加

第１ポリシリコン電極を覆って第２絶縁膜を形成する。 - 特許庁

The sum of the distance L2 between the polysilicon gate electrode 31 and the outer periphery of the cell along the polysilicon gate electrode 31 and the distance L3 between the polysilicon gate electrode 32 and the outer periphery of the cell along the polysilicon gate electrode 32 is equivalent to the distance L1.例文帳に追加

ポリシリコンゲート電極３１とポリシリコンゲート電極３１に沿ったセルの外周との間の距離Ｌ２とポリシリコンゲート電極３２とポリシリコンゲート電極３２に沿ったセルの外周との間の距離Ｌ３との和は、距離Ｌ１に等しい。 - 特許庁

To prevent unintended full siliciding of a polysilicon gate electrode.例文帳に追加

ポリシリコンゲート電極の意図しないフルシリサイド化を防止する。 - 特許庁