polysilicon emitterとは 意味・読み方・使い方

Thereafter, a polysilicon emitter electrode is so formed as to fill in an opening of the etching stopper layer 12, and impurities are diffused from the emitter electrode to form an emitter region in a prescribed area of the base layer 8.例文帳に追加

その後、エッチングストッパ層１２の開口を埋めるようにポリシリコンのエミッタ電極を形成し、エミッタ電極から不純物を拡散させて、ベース層８の所定領域にエミッタ領域を形成する。 - 特許庁

A polysilicon emitter is formed on a bottom of the groove and inside the cover film, and a third silicon nitride film 13 is formed.例文帳に追加

溝の底面上及びカバー膜の内側にポリシリコンエミッタを形成し、第３のシリコン窒化膜１３を形成する。 - 特許庁

Thus, the emitter polysilicon 15 embedded to the lowered sidewall insulating films 13c comes to have structure free of voids, and an effective emitter of 0.2 μm or shorter than this is obtained.例文帳に追加

これにより、低くなった側壁絶縁膜１３ｃに埋め込まれるエミッタポリシリコン１５がボイドが無い構造となると共に、０．２μｍ以下の実効エミッタ幅が得られた。 - 特許庁

The method further comprises the steps of forming the emitter electrode made of a high concentration polysilicon film 15, and diffusing an impurity from the film 15 to form an emitter region 16.例文帳に追加

高濃度ポリシリコン膜１５からなるエミッタ電極を形成し、高濃度ポリシリコン膜１５から不純物を拡散させることによりエミッタ領域１６を形成する。 - 特許庁

To reduce a transistor in parasitic resistance in a state of realizing shallow junction of an emitter base, in a method of manufacturing a bipolar transistor whose emitter diffusion layer is formed by diffusing impurities from an emitter polysilicon electrode.例文帳に追加

エミッタポリシリコン電極からの不純物拡散によってエミッタ拡散層を形成するバイポーラトランジスタの製造方法において、エミッタベースの浅接合を実現した状態でトランジスタの寄生抵抗を低減させる。 - 特許庁

Thereafter, a polysilicon layer is deposited and N-type impurities are doped to form an emitter polysilicon layer 14.例文帳に追加

更に、ベース電極の側壁材１２をマスクとして、ベース領域１０をエッチング除去した後、ポリシリコン層を堆積し、Ｎ型の不純物を添加することにより、エミッタポリシリコン層１４を形成する。 - 特許庁

Next, after a sidewall of an N-type polysilicon film is formed on the sidewall on a recessed portion, the Si_3N_4 film is etched to form an emitter opening.例文帳に追加

次に凹部の側壁にＮ型ポリＳｉ膜のサイドウォールを形成後、Ｓｉ_3Ｎ_4膜をエッチングしてエミッタ開口部を形成する。 - 特許庁

Furthermore, an interlayer dielectric 10 is selectively formed on the gate polysilicon 5, and an emitter electrode 11 is formed on the interlayer dielectric.例文帳に追加

さらに、ゲートポリシリコン５の上に選択的に層間絶縁膜１０を形成し、その上にエミッタ電極１１を形成する。 - 特許庁