ポリシリコンゲート電極の英語

ゲート電極１４は、ポリシリコンゲート電極１４１とその上部のシリサイド１４２を含んで構成される。例文帳に追加

The gate electrode 14 is constituted, to include a polysilicon gate electrode 141 and a silicide 142 of the upper part of the electrode 141. - 特許庁

ゲート電極１４は、ポリシリコンゲート電極１４１とその上部のシリサイド層１４２を含んで構成される。例文帳に追加

The gate electrode 14 comprises a polysilicon gate electrode 141 and a silicide layer 142 on it. - 特許庁

ｐ^+ ドープドポリシリコン２１ａは、ポリシリコンゲート電極１０とｎ^+ ドープドポリシリコン領域２２とを電気的に分離するための領域である。例文帳に追加

The p+ doped polysilicon region 21a is a region for electrically isolating the polysilicon gate electrode 10 from the n+ doped polysilicon region 22. - 特許庁

そして、ポリシリコンゲート電極９，２９を覆うように金属膜８を形成後、熱処理によりシリサイド化する。例文帳に追加

After a metal film 8 is formed to cover the polysilicon gate electrodes 9, 29, it is made silicide by a heat treatment. - 特許庁

エピタキシャル層２の上面にはゲート酸化膜９ａ，９ｂを介してポリシリコンゲート電極１０ａ，１０ｂが形成されている。例文帳に追加

Polysilicon gate electrodes 10a and 10b are respectively formed on the upper surface of the layer 2 via gate oxide films 9a and 9b. - 特許庁

異なるゲート長のポリシリコンゲート電極９，２９において、その上端の高さを等しく、かつサイドウオール２０よりも低く形成する。例文帳に追加

Polysilicon gate electrodes 9, 29 each with different gate length have equal height of upper ends thereof, the height being lower than that of a side wall 20. - 特許庁

セル１、２、３、…は、距離Ｌ１の間隔で配列されたポリシリコンゲート電極３１、３２をそれぞれ具備する。例文帳に追加

The cells 1, 2, 3 and the like respectively have polysilicon gate electrodes 31, 32, which are arranged at an interval of distance L1. - 特許庁

また、転送ゲート下に電荷蓄積部を潜り込ませる手段として（ポリシリコンゲート規定での斜めイオン注入を行わず）ポリシリコンゲート形成前にマスク規定で転送ゲート電極に対して食い込み、逃がしのない角度にて注入を行う。例文帳に追加

As a means for allowing the charge accumulator to get under the transfer gate (with no diagonal ion implantation with polysilicon gate regulation), implantation is implemented at the angle where the charge accumulation part is prevented from cutting into the transfer gate electrode with a mask regulation before formation of the polysilicon gate and from having any escape from the same. - 特許庁