ポリシリコン ダイオードの英語

ボンディングパッド２７は、第２の絶縁膜２５を介してポリシリコンダイオード２４の上面を覆うように形成され、ポリシリコンダイオード２４に電気的に接続されている。例文帳に追加

The bonding pad 27 is so formed as to cover the upper surface of the polysilicon diode 24 via a second insulating film 25, and electrically connected to the polysilicon diode 24. - 特許庁

ポリシリコンダイオード２４は、半導体基板１１の上面に第１の絶縁膜２３を介して形成されている。例文帳に追加

The polysilicon diode 24 is formed on the upper surface of a semiconductor substrate 11 via a first insulating film 23. - 特許庁

これにより、優秀な特性のポリシリコンダイオード及びＴａＮ_Ｘ／ポリシリコン構造を有する半導体素子に効果的に応用しうる。例文帳に追加

As a result, the semiconductor device can be effectively applied to a silicon diode having superior properties and a semiconductor device having a TaN_X/poly-Si structure. - 特許庁

半導体装置１０は、ポリシリコンダイオード２４とボンディングパッド２７と接続導体３２とを備えている。例文帳に追加

The semiconductor device 10 is provided with a polysilicon diode 24, a bonding pad 27, and a connecting conductor 32. - 特許庁

ＩＧＢＴの耐圧保持のための電界緩和構造を成すガードリング９の上方に位置するポリシリコンダイオード層１６Ａの部分（第１部分）にのみｐｎ接合が配置される様に、ポリシリコンダイオード層１６Ａを形成する。例文帳に追加

The polysilicon diode layer 16A is formed so that the p-n junction may be formed only a (first) part of the polysilicon diode layer 16A located above a guard ring 9 forming an electric field relaxation structure for holding a withstanding voltage of the IGBT. - 特許庁

ＩＧＢＴのコレクタ−ゲート間に設けられたポリシリコンダイオード層のｐｎ接合とｎ−ドリフト層とフィールド酸化膜とによって構成されるＭＯＳＦＥＴが動作してポリシリコンダイオードの耐圧が劣化するのを防止する。例文帳に追加

To prevent the withstanding voltage of a polysilicon diode from deterioration owing to the action of a MOSFET composed of a p-n junction of a polysilicon diode layer provided between the collector and the gate of an IGBT, an n-drift layer and a field oxide film. - 特許庁

接続導体３２は、ボンディングパッド２７とドレイン電極２９とを電気的に接続し、ドレイン電極２９とポリシリコンダイオード２４とを電気的に接続する。例文帳に追加

The connecting conductor 32 electrically connects the bonding pad 27 and a drain electrode 29, and electrically connects the drain electrode 29 and the polysilicon diode 24. - 特許庁