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ポリシリコン ダイオードの英語
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ポリシリコン ダイオード
「ポリシリコン ダイオード」を含む例文一覧
該当件数 : 12件
ボンディングパッド２７は、第２の絶縁膜２５を介してポリシリコンダイオード２４の上面を覆うように形成され、ポリシリコンダイオード２４に電気的に接続されている。例文帳に追加
The bonding pad 27 is so formed as to cover the upper surface of the polysilicon diode 24 via a second insulating film 25, and electrically connected to the polysilicon diode 24. - 特許庁
ポリシリコンダイオード２４は、半導体基板１１の上面に第１の絶縁膜２３を介して形成されている。例文帳に追加
The polysilicon diode 24 is formed on the upper surface of a semiconductor substrate 11 via a first insulating film 23. - 特許庁
これにより、優秀な特性のポリシリコンダイオード及びＴａＮ_Ｘ／ポリシリコン構造を有する半導体素子に効果的に応用しうる。例文帳に追加
As a result, the semiconductor device can be effectively applied to a silicon diode having superior properties and a semiconductor device having a TaN_X/poly-Si structure. - 特許庁
半導体装置１０は、ポリシリコンダイオード２４とボンディングパッド２７と接続導体３２とを備えている。例文帳に追加
The semiconductor device 10 is provided with a polysilicon diode 24, a bonding pad 27, and a connecting conductor 32. - 特許庁
ＩＧＢＴの耐圧保持のための電界緩和構造を成すガードリング９の上方に位置するポリシリコンダイオード層１６Ａの部分（第１部分）にのみｐｎ接合が配置される様に、ポリシリコンダイオード層１６Ａを形成する。例文帳に追加
The polysilicon diode layer 16A is formed so that the p-n junction may be formed only a (first) part of the polysilicon diode layer 16A located above a guard ring 9 forming an electric field relaxation structure for holding a withstanding voltage of the IGBT. - 特許庁
ＩＧＢＴのコレクタ−ゲート間に設けられたポリシリコンダイオード層のｐｎ接合とｎ−ドリフト層とフィールド酸化膜とによって構成されるＭＯＳＦＥＴが動作してポリシリコンダイオードの耐圧が劣化するのを防止する。例文帳に追加
To prevent the withstanding voltage of a polysilicon diode from deterioration owing to the action of a MOSFET composed of a p-n junction of a polysilicon diode layer provided between the collector and the gate of an IGBT, an n-drift layer and a field oxide film. - 特許庁
接続導体３２は、ボンディングパッド２７とドレイン電極２９とを電気的に接続し、ドレイン電極２９とポリシリコンダイオード２４とを電気的に接続する。例文帳に追加
The connecting conductor 32 electrically connects the bonding pad 27 and a drain electrode 29, and electrically connects the drain electrode 29 and the polysilicon diode 24. - 特許庁
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「ポリシリコン ダイオード」を含む例文一覧
該当件数 : 12件
不揮発性記憶装置において、選択素子であるポリシリコンダイオードのオフ電流を抑制しつつ、デバイスの厚さを低減することで微細化を推進する技術を提供する。例文帳に追加
To provide a technique for promoting microfabrication, while suppressing an OFF current of a polysilicon diode as a selection element in a nonvolatile memory device, by reducing thickness of the device. - 特許庁
積層体を貫通してポリシリコンダイオードＰＤの上面を露出する接続孔の内壁には、前記内壁側から順にゲート絶縁膜９、チャネルシリコン膜８ａ、８ｂおよび抵抗変化材料層７を設ける。例文帳に追加
A gate insulating film 9, channel silicon films 8a, 8b and a resistance change material layer 7 are provided in the order from an internal wall of a connection hole for passing through the laminated body and exposing an upper surface of the polysilicon diode PD. - 特許庁
ポリシリコンダイオード等の温度検出手段を別に用意する必要がなくなるので、素子製造工程の増加やチップ面積の増大を抑えながらオンチップによる精度が良く迅速な温度検出が可能になる。例文帳に追加
It is possible to accurately and quickly detect a temperature by suppressing the increase of the chip manufacturing steps and the chip area since it is not needed to separately prepare temperature detection means such as poly-silicon diode or the like. - 特許庁
ワード線２とビット線３とはポリシリコンダイオードＰＤ、チャネルシリコン膜８ａおよび８ｂを介して電気的に接続し、前記内壁に垂直な方向におけるチャネルシリコン膜８ａ、８ｂの合計の膜厚は、チャネルシリコン膜８ａ、８ｂを空乏化することができる膜厚とする。例文帳に追加
The word line 2 and the bit line 3 are electrically connected with each other via the polysilicon diode PD, and the channel silicon films 8a, 8b, and a total film thickness of the channel silicon films 8a, 8b in a direction orthogonal to the internal wall is defined as a film thickness capable of depleting the channel silicon films 8a, 8b. - 特許庁
不揮発性記録材料層１０４と第一、第二ポリシリコン層１０７、１０６との間に、５ｎｍ以上２００ｎｍ以下の膜厚の半導体層１０５が設けられているので、書換え動作の際に発生する熱によりｐｎポリシリコンダイオード内に不純物としてドーピングされている原子が不揮発性記録材料層１０４まで拡散することを抑制することができる。例文帳に追加
Since a semiconductor layer 105, having a film thickness of 5-200 nm or smaller is provided between the nonvolatile recording material layer 104 and the first and second polysilicon layers 107 and 106, atoms which are doped as impurities into a pn polysilicon diode can be suppressed of diffusing up to the nonvolatile recording material layer 104 by the heat generated during rewriting operation. - 特許庁
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