quantum wiresとは 意味・読み方・使い方

A resonant tunneling diode 400 is etched in a lateral quantum well 406 and has a lateral carrier transfer through the tunneling barriers 404, 408 grown when trenches that form quantum wires or quantum dots are re-embedded.例文帳に追加

共振トンネリング・ダイオード４００は、横方向量子ウェル４０６中にエッチングされると共に、量子ワイヤまたは量子ドットを形成する溝を再埋込みするときに成長するトンネリング障壁４０４，４０８を通した横方向のキャリア輸送を有している。 - 特許庁

In a light-emitting region 17 provided between a first conductivity type clad region 13 and a second conductivity type clad region 15, quantum wires 19a-19e are arranged at a cycle Λ and the intermediate semiconductor region 21 is located between the quantum wires 19.例文帳に追加

第１導電型クラッド領域１３と第２導電型クラッド領域１５との間に設けられた発光領域１７では、量子細線１９ａ〜１９ｅが周期Λで配置され、中間半導体領域２１は量子細線１９間に位置する。 - 特許庁

The electronic device is a molecule switch of a quantum state which is formed out of an electrically adjustable tunnel junction between two wires.例文帳に追加

本発明の一実施例は２ワイヤ間の電気的に調節可能なトンネル接合から構成される量子状態の分子スイッチである。 - 特許庁

Since the quantum wires 19a-19e in the light-emitting region 17 have various widths (Wa-We), the gain spectrum of whole light-emitting region becomes wider than the gain spectrum of each individual quantum wire 19a-19e.例文帳に追加

発光領域１７の量子細線１９ａ〜１９ｅが様々な幅（幅Ｗａ〜Ｗｅ）を有するので、発光領域全体の利得スペクトルは、個々の量子細線１９ａ〜１９ｅの利得スペクトルよりも広くなる。 - 特許庁

Accordingly, a barrier against movement of electrons from the second clad layer 23 to an active layer including quantum fine wires 17a due to the band offsets are reduced.例文帳に追加

従って、このバンドオフセットに起因する第２クラッド層２３から量子細線１７ａを含む活性層への電子の移動に対する障壁を低減できる。 - 特許庁

An optical waveguide including a lower clad layer 12 formed through successive crystal growth, a plurality of quantum wires 13 and an upper clad layer 14 are formed on the ridge 21.例文帳に追加

このリッジ21の上に、一連の結晶成長により形成された下部クラッド層12、複数の量子細線13、上部クラッド層14を含む光導波路を設ける。 - 特許庁

An InAs layer is grown on the surface of the sample, on which this strained distribution exists, an InAs layer is selectively grown on the exposed part of the layer 3 and microstructures, such as InAs quantum fine wires and InAs quantum dots, are formed.例文帳に追加

この歪分布が存在する試料表面にＩｎＡｓを成長させ、露出したＩｎＧａＡｓ層３上にＩｎＡｓを選択的に成長させ、ＩｎＡｓ量子細線やＩｎＡｓ量子ドットなどの微細構造を形成する。 - 特許庁

The semiconductor laser includes: a first optical confinement layer 15; a plurality of first quantum wires 17 and buried semiconductor regions 23 provided on a first area; a plurality of second quantum wires 19 and buried semiconductor regions 25 provided on a second area; an active layer 21 provided on a third area 15c; and a second optical confinement lay 31.例文帳に追加

本発明の半導体レーザは、第１光閉じ込め層１５と、第１のエリア上に設けられた複数の第１の量子細線１７及び埋め込み半導体領域２３と、第２のエリア上に設けられた複数の第２の量子細線１９及び埋め込み半導体領域２５と、第３のエリア１５ｃ上に設けられた活性層２１と、第２光閉じ込め層３１とを有する。 - 特許庁