scanning atom probeとは 意味・読み方・使い方

SCANNING ATOM PROBE例文帳に追加

走査型アトムプローブ - 特許庁

COMPOSITION DISTRIBUTION STEREOSCOPIC DISPLAY ATOM PROBE AND SCANNING TYPE COMPOSITION DISTRIBUTION STEREOSCOPIC DISPLAY ATOM PROBE例文帳に追加

組成分布立体表示アトムプローブおよび走査型組成分布立体表示アトムプローブ - 特許庁

To provide an inexpensive device with a simple structure and an easy operation capable of enlarging an analyzing area of sample and enhancing a resolving power of ion at an electric field evaporation position to an atom level in an atom probe or a scanning type atom probe in which an electric field ion microscope and an ion detector are combined.例文帳に追加

電界イオン顕微鏡とイオン検出器を組み合わせたアトムプローブあるいは走査型アトムプローブにおいて、試料の分析領域を拡大すると共にイオンの電界蒸発位置の分解能を原子レベルまで向上させ得る、簡素な構造で安価で操作が容易な装置を構成する。 - 特許庁

When the analyzing area for the scanning atom probe(SAP) is selected, the tip of the extraction electrode for the SAP is used as a probe for a scanning tunneling microscope(STM), and the shape of the sample is plotted thereby, to select the analyzing area.例文帳に追加

走査型アトムプローブ（ＳＡＰ）の分析領域を選定する際、該ＳＡＰの引出電極の先端を走査型トンネル顕微鏡(ＳＴＭ)の探針として用い、試料の表面形状を描き出させて分析領域を選定する。 - 特許庁

The analysis method is at least one method selected from the group consisting of transmission electron microscope, scanning electron microscope, electron probe microanalysis, Auger electron spectroscopy, atom probe, infrared spectroscopy, laser Raman spectroscopy, inductive coupled plasma spectroscopy, liquid chromatography, and gas chromatography.例文帳に追加

該分析方法は、透過型電子顕微鏡、走査型電子顕微鏡、電子プローブマイクロアナリシス、オージエ電子分光、２次イオン質量分析、アトムプローブ、赤外分光、レーザーラマン分光、誘導結合プラズマ、液体クロマトグラフ、ガスクロマトグラフからなる群より選択される少なくとも一つの方法である。 - 特許庁

After a resist film 11 is coated on the surface of a substrate 10 and a layer of atom 12 is formed on the resist film 11, atoms 12 is pulled out of the layer of the atoms 12 according to the designed pattern by the use of probe 13 of scanning tunneling microscope.例文帳に追加

基板１０の表面にレジスト膜１１を塗布し、次いで、前記レジスト膜１１上に原子１２の層を形成した後、走査型トンネル顕微鏡の探針１３を用いて設計パターン様に前記原子１２の層から原子１２を引き抜く。 - 特許庁

When the surface of the semiconductor which is a measuring target is observed by a scanning tunnel microscope (STM), the STM image of the surface of the semiconductor by applying positive voltage to the semiconductor on the basis of a probe is compared with the STM image of the surface of the semiconductor obtained by applying negative voltage to the semiconductor on the basis of the probe to detect the impurity atom in the semiconductor.例文帳に追加

被測定対象物である半導体表面を走査型トンネル顕微鏡(STM)で観察する際に、探針を基準として半導体に正の電圧を印加して得られた半導体表面のSTM像と、探針を基準として半導体に負の電圧を印加して得られた半導体表面のSTM像とを比較することにより、半導体中の不純物原子を検出することを特徴とする半導体不純物原子検出方法である。 - 特許庁