semiconductor nanostructuresとは 意味・読み方・使い方

The photovoltaic device is constituted by (a) a plurality of elongated semiconductor nanostructures (nanowire is one of these), having first type doping, in which a plurality of the elongated semiconductor nanostructures are arranged on a substrate, and (b) a single amorphous layer of a semiconductor material, having second type doping, in which the layer is provided on the elongated semiconductor nanostructures in a conformal manner.例文帳に追加

光起電力デバイスを、（ａ）基板上に配設された複数の細長い半導体ナノ構造であって、第１のタイプのドーピングを有する複数の細長い半導体ナノ構造（ナノワイヤーはその１種である）と、ｂ）細長い半導体ナノ構造上にコンフォーマルに設けられ、第２のタイプのドーピングを有する半導体材料の単一の非晶質層、により構成する。 - 特許庁

The nanostructure network 3 includes metal fine particles, semiconductor fine particles, fullerenes, metal nanowires, semiconductor nanowires, and/or a plurality of fine nanostructures such as carbon nanotubes etc.例文帳に追加

ナノ構造ネットワーク３には、金属微粒子、半導体微粒子、フラーレン、金属ナノワイヤ、半導体ナノワイヤ、及び／又はカーボンナノチューブ等の複数の微細なナノ構造体が含まれている。 - 特許庁

Further, growth of compound semiconductor thick films (15) or wafer on the nanostructures (12) is achieved by epitaxial lateral growth using HVPE.例文帳に追加

化合物半導体の厚膜（１５）又はウェハは、ＨＶＰＥを使用したエピタキシャル横方向成長によってナノ構造（１２）上に成長させることができる。 - 特許庁

The photoelectric conversion layer 3 includes a number of organic nanostructures 5, provided at the side of the photoelectric conversion layer 3 in the first electrode 2, and a functional layer 6, in which the respective organic nanostructures 5 are embedded and which is formed from an organic semiconductor material, different from that of the organic nanostructure 5.例文帳に追加

光電変換層３は、第１の電極２における当該光電変換層３側に設けられた多数の有機ナノ構造体５と、有機ナノ構造体５とは異なる有機半導体材料により形成され各有機ナノ構造体５が埋設された機能層６とで構成されている。 - 特許庁

In the amorphous layer, a composition is made gradient by the second type doping, so that the layer is formed as intrinsic composition substantially in the interface with the elongated semiconductor nanostructures, and that the layer may become conductive composition substantially at an opposite side of the amorphous layer.例文帳に追加

該非晶質層は、細長い半導体ナノ構造との界面においては実質的に真性組成とし、非晶質層の反対側においては実質的に導電性組成となるよう、第２のタイプのドーピングにより組成を傾斜させる。 - 特許庁

Nanostructures (12) of semiconductor materials can be grown on foreign substrates (10) by molecular beam epitaxy (MBE), chemical vapor deposition (CVD), metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) or hydride vapor phase epitaxy (HVPE).例文帳に追加

半導体材料のナノ構造（１２）は、分子線エピタキシャル成長（ＭＢＥ）、化学気相成長（ＣＶＤ）、有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）又はハイドライド気相エピタキシャル成長（ＨＶＰＥ）によって基板（１０）上に成長させることができる。 - 特許庁

The semiconductor nanostructure is fabricated in steps including: supporting different vapor-liquid-solid reactions to respectively form target segments and sacrificial segments of semiconductor nanowires at growth locations defined by catalyst particles during the growth of semiconductor nanowires on a substrate; and selectively removing the sacrificial segments of the semiconductor nanowires to form semiconductor nanostructures corresponding to the target segments of the semiconductor nanowires.例文帳に追加

半導体ナノ構造であって、基板上での半導体ナノワイヤの成長中に、触媒粒子によって画定される成長場所において、前記半導体ナノワイヤのタ−ゲットセグメント及び犠牲セグメントをそれぞれ形成する、異なるそれぞれの蒸気−液体−固体反応を支援することと、前記半導体ナノワイヤの前記犠牲セグメントを選択的に除去して、前記半導体ナノワイヤの前記タ−ゲットセグメントに対応する半導体ナノ構造を形成することと、を含む工程によって製造される、半導体ナノ構造。 - 特許庁