sense of resistanceとは 意味・読み方・使い方

To provide a pair of five-toe socks enabling a wearer to wear the socks without psychological sense of resistance through improving appearance when taking off shoes.例文帳に追加

靴を脱いだときの見栄えを改善し、心理的抵抗感なく五本指ソックスを履けるようにする。 - 特許庁

Furthermore, a polysilicon resistance 4 connected to the sense resistance 9 is formed in the shape of a spiral from the inner peripheral side toward the outer peripheral side.例文帳に追加

また、センス抵抗９に接続されたポリシリコン抵抗４が、内周側から外周側に向かってスパイラル状に形成されている。 - 特許庁

Thus, the resistance value of the N+ type source layer 7 as an adjustment resistance value Rs in a sense VDMOS 30 can be increased.例文帳に追加

このため、センスＶＤＭＯＳ３０における調整抵抗値ＲｓとしてのＮ＋型ソース層７の抵抗値を大きくすることができる。 - 特許庁

To generate inner force sense to the displacement of a displacement body by a simple resistance-generating structure utilizing magnetism, and to maintain the stable inner force sense for a long period of time.例文帳に追加

磁気を利用した簡単な抵抗発生構造により、変位体の変位に対して力覚を生じさせると共に、安定した力覚を長期間維持する。 - 特許庁

At this moment, a user can easily sense the pushing-in resistance of the hitting point part 12 with both hands immediately after impact.例文帳に追加

このとき、使用者はインパクト直後の打点部１２の押し込み抵抗を、容易に両手で感じることができる。 - 特許庁

To reduce an error of an on-resistance ratio between main and sense DMOSs to improve current detection accuracy.例文帳に追加

メインおよびセンスＤＭＯＳ間におけるオン抵抗比の誤差を小さくし、電流検出精度を高めること。 - 特許庁

A comparator 6 compares a voltage drop of a shunt current flowing to a sense resistance 5 connected to the sense TFT 4 with a reference voltage VR corresponding to a voltage drop across the sense resistance 5 needed to supply a specified current to the driving TFT 3.例文帳に追加

センスＴＦＴ４に接続したセンス抵抗５を流れる分流電流の電圧降下と駆動用ＴＦＴ３に所定の電流を流すのに必要なセンス抵抗５での電圧降下に対応した基準電圧ＶＲとをコンパレータ６により比較する。 - 特許庁

Accordingly the wiring resistance value Ra of a main VDMOS 2 and the wiring resistance value (Rc+Rd) of a sense VDMOS 3 can be set equal to each other, whereby the error of the on-resistance ratio between the main and sense DMOSs can be reduced to improve current detection accuracy.例文帳に追加

従って、メインＶＤＭＯＳ２の配線抵抗値Ｒａと、センスＶＤＭＯＳ３の配線抵抗値（Ｒｃ＋Ｒｄ）とを等しくすることができるため、メインおよびセンスＤＭＯＳ間におけるオン抵抗比の誤差を小さくし、電流検出精度を高めることができる。 - 特許庁