single dislocationとは 意味・読み方・使い方

METHOD OF GROWING SILICON SINGLE CRYSTAL WITH NO DISLOCATION例文帳に追加

無転位シリコン単結晶の成長方法 - 特許庁

To improve the yield of a dislocation-free single crystal when the single crystal is grown by a CZ method.例文帳に追加

ＣＺ法による単結晶育成での無転位収率を改善する。 - 特許庁

SEED CRYSTAL USED FOR GROWTH OF NON-DISLOCATION SILICON SINGLE CRYSTAL AND METHOD OF MANUFACTURING NON- DISLOCATION SILICON SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

無転位シリコン単結晶成長に用いる種子結晶および無転位シリコン単結晶の製造方法 - 特許庁

To produce a silicon carbide single crystal with low dislocation density by a solution process.例文帳に追加

溶液法により、転位密度の低い炭化硅素単結晶を製造する。 - 特許庁

To provide a method for modifying a silicon carbide single crystal substrate, by which the specific dislocation defect such as basal plane dislocation or spiral dislocation is reduced, and to provide an apparatus for modifying a silicon carbide single crystal substrate.例文帳に追加

基底面転位、螺旋転位などの特定の転位欠陥を低減させることができる炭化ケイ素単結晶基板の改質方法、及び炭化ケイ素単結晶基板の改質装置を提供する。 - 特許庁

The self-supporting group-III nitride single-crystal substrate 20p comprises at least one high dislocation density region 20h and a plurality of low dislocation density regions 20k having a dislocation density lower than that of the high dislocation density region 20h, and has the average dislocation density of at most 5×10^5 cm^-2.例文帳に追加

本ＩＩＩ族窒化物単結晶自立基板は、１つ以上の高転位密度領域２０ｈと、高転位密度領域２０ｈよりも転位密度が低い複数の低転位密度領域２０ｋと、を含み、平均転位密度が５×１０^5ｃｍ^-2以下である。 - 特許庁

To manufacture a low-dislocation single crystal which can sufficiently stand use as an optical element material, by suppressing generation of dislocation in the grown crystal.例文帳に追加

成長結晶内の転位の発生を抑制し、光学素子の材料としての使用にも十分耐え得る低転位単結晶を製造する。 - 特許庁