single dislocationとは 意味・読み方・使い方

To provide a method for producing a group 3B nitride single crystal having low dislocation density and high quality.例文帳に追加

転位密度の低い高品質の３Ｂ族窒化物単結晶の製法を提供する。 - 特許庁

Thereby a single crystal having a dislocation density of ≤1×10^5 cm^2 can be grown.例文帳に追加

これにより、転位密度１×１０^5個／ｃｍ^2以下で単結晶が成長する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a compound semiconductor single crystal having low dislocation density and the compound semiconductor single crystal.例文帳に追加

低転位密度の化合物半導体単結晶の製造方法及び化合物半導体単結晶を提供する。 - 特許庁

The self-supporting group-III nitride single-crystal substrate 20p comprises at least one high dislocation density region 20h and a plurality of low dislocation density regions 20k having a dislocation density lower than that of the high dislocation density region 20h, and has the average dislocation density of at most 5×10^5 cm^-2.例文帳に追加

本ＩＩＩ族窒化物単結晶自立基板は、１つ以上の高転位密度領域２０ｈと、高転位密度領域２０ｈよりも転位密度が低い複数の低転位密度領域２０ｋと、を含み、平均転位密度が５×１０^5ｃｍ^-2以下である。 - 特許庁

To manufacture a low-dislocation single crystal which can sufficiently stand use as an optical element material, by suppressing generation of dislocation in the grown crystal.例文帳に追加

成長結晶内の転位の発生を抑制し、光学素子の材料としての使用にも十分耐え得る低転位単結晶を製造する。 - 特許庁

To provide gallium-arsenic single crystals which have small dislocation density, a gallium-arsenic wafer, and a method for producing the gallium-arsenic single crystals.例文帳に追加

転位密度が小さいガリウム砒素単結晶及びガリウム砒素ウェハ並びにガリウム砒素単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a p-type GaAs single crystal having an average dislocation density of ≤100/cm^-2, and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

平均転位密度100cm^-2以下のp型GaAs単結晶及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing silicon carbide single crystal which is reduced in penetration screw dislocation density.例文帳に追加

貫通らせん転位密度の小さい炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁