「single dislocation」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a method for producing a dislocation-free single-crystal silicon by the Czochralski method.例文帳に追加

チョクラルスキー法による無転位単結晶シリコンの製造方法を提供する。 - 特許庁

To effectively prevent the dislocation of an oil seal as a single article by providing the oil seal itself with a function of preventing dislocation.例文帳に追加

オイルシール自体に位置ずれを防止する機能を持たせ、単品で該オイルシールの位置ずれを効果的に防止することができる。 - 特許庁

To provide a method for producing a group 3B nitride single crystal having low dislocation density and high quality.例文帳に追加

転位密度の低い高品質の３Ｂ族窒化物単結晶の製法を提供する。 - 特許庁

Thereby a single crystal having a dislocation density of ≤1×10^5 cm^2 can be grown.例文帳に追加

これにより、転位密度１×１０^5個／ｃｍ^2以下で単結晶が成長する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a compound semiconductor single crystal having low dislocation density and the compound semiconductor single crystal.例文帳に追加

低転位密度の化合物半導体単結晶の製造方法及び化合物半導体単結晶を提供する。 - 特許庁

The self-supporting group-III nitride single-crystal substrate 20p comprises at least one high dislocation density region 20h and a plurality of low dislocation density regions 20k having a dislocation density lower than that of the high dislocation density region 20h, and has the average dislocation density of at most 5×10^5 cm^-2.例文帳に追加

本ＩＩＩ族窒化物単結晶自立基板は、１つ以上の高転位密度領域２０ｈと、高転位密度領域２０ｈよりも転位密度が低い複数の低転位密度領域２０ｋと、を含み、平均転位密度が５×１０^5ｃｍ^-2以下である。 - 特許庁

To manufacture a low-dislocation single crystal which can sufficiently stand use as an optical element material, by suppressing generation of dislocation in the grown crystal.例文帳に追加

成長結晶内の転位の発生を抑制し、光学素子の材料としての使用にも十分耐え得る低転位単結晶を製造する。 - 特許庁

To provide gallium-arsenic single crystals which have small dislocation density, a gallium-arsenic wafer, and a method for producing the gallium-arsenic single crystals.例文帳に追加

転位密度が小さいガリウム砒素単結晶及びガリウム砒素ウェハ並びにガリウム砒素単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a p-type GaAs single crystal having an average dislocation density of ≤100/cm^-2, and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

平均転位密度100cm^-2以下のp型GaAs単結晶及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing silicon carbide single crystal which is reduced in penetration screw dislocation density.例文帳に追加

貫通らせん転位密度の小さい炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a group III-V semiconductor single crystal having a large size and a low dislocation density.例文帳に追加

大口径で低転位密度のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体単結晶を提供する。 - 特許庁

To provide a GaN single crystal substrate having a low dislocation density of ≤10^6 cm^-2.例文帳に追加

１０^６ｃｍ^−２以下の低転位密度のＧａＮ単結晶基板を提供すること。 - 特許庁

To maintain a single track cord in a normal aligning state by preventing dislocation of the winding start end M.例文帳に追加

巻始め端Ｍのずれを防止することで単線コード13を正規の整列状態に維持する。 - 特許庁

DISLOCATION CONTROLLING SEED CRYSTAL, PRODUCTION METHOD OF THE SAME, AND PRODUCTION METHOD OF SiC SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

転位制御種結晶及びその製造方法、並びに、ＳｉＣ単結晶の製造方法 - 特許庁

The dislocation layer 12 is formed under the condition that dislocation is generated in the surface region of the single crystal silicon substrate 11 where the gallium nitride layer 14 is formed and no dislocation is generated on the outermost surface of the single crystal silicon substrate 11.例文帳に追加

転位層１２は、窒化ガリウム層１４が形成された単結晶シリコン基板１４の表層領域に転位が発生し且つ単結晶シリコン基板１１の最表面には転位が発生しない条件下でイオン注入することにより形成される。 - 特許庁

To provide a method for growing a silicon single crystal in the crystal orientation [110] having no dislocation, and to provide an evaluation method of judging presence or absence of dislocation.例文帳に追加

結晶方位［１１０］の無転位のシリコン単結晶を育成する方法および転位発生の有無を判定する評価方法を提供する。 - 特許庁

To provide a pulling method for silicon single crystal which can prevent propagation of heat shock dislocation that occurs in the seed crystal to a product part and can safely pull a large diameter dislocation-free single crystal.例文帳に追加

種結晶に発生する熱ショック転位の製品部分への伝播を防止し、かつ、大直径の無転位単結晶を安全に引上げることができるシリコン単結晶の引上げ方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a germanium single crystal, capable of preventing germanium oxide from depositing on the surface of a growing crystal and growing the germanium single crystal with a low dislocation density or free of dislocation.例文帳に追加

成長結晶表面に酸化ゲルマニウムが付着するのを防ぎ、低転位密度または無転位でゲルマニウムの単結晶を成長させることができるゲルマニウム単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To improve a non dislocation rate of a pulled up single crystal rod, by controlling thermal stress of inside of the single crystal rod.例文帳に追加

単結晶棒内部の熱応力を制御して、引き上げられた単結晶棒の無転位化率を向上させることを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for producing a silicon single crystal suppressing starting of dislocation induced in a silicon single crystal and reducing generation of pinholes.例文帳に追加

シリコン単結晶に生じる有転位化を抑制し、ピンホールの発生を低減し得るシリコン単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

Thereby, the high quality p-type PbTe single crystal almost free from a defect and having high mobility and low dislocation density is obtained.例文帳に追加

欠陥が少なく高移動度、低転位密度で、高品位のｐ型ＰｂＴｅ単結晶が得られる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a GaN single crystal substrate with reduced crystal defect such as dislocation.例文帳に追加

転位等の結晶欠陥が低減されたＧａＮ単結晶基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The density of the dislocation in a single particle of silicon nitride sintered compact is controlled so as to be ≤10 μm/μm3.例文帳に追加

窒化ケイ素焼結体の単一粒子内の転位密度が１０μｍ／μｍ^3以下に制御する。 - 特許庁

Then, the silicon carbide single crystal 10 is grown on the dislocation controlling seed crystal 1 (growth process).例文帳に追加

そして、転位制御種結晶１上に、炭化ケイ素単結晶１０を成長させる（成長工程）。 - 特許庁

To provide a method of producing a silicon single crystal, by which the silicon single crystal is cut off from a melt in a dislocation-free state with a high percentage of success.例文帳に追加

シリコン単結晶を高い成功率で無転位状態で融液から切り離す方シリコン単結晶の成長方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a nitrogen- and boron-doped silicon single crystal, by which the single crystal almost free from the occurrence of first dislocation generation can be obtained without additionally adding a nitrogen or boron dopant.例文帳に追加

窒素又はボロンドープ材の追添加が不要で、有転位化する傾向が低い、窒素及びボロンを添加したシリコン単結晶を得る。 - 特許庁

Compared with relative dislocation when formed of a single long masking member, dislocation per split masking member can be made small because of short length.例文帳に追加

単体の長い遮光部材から構成される場合の相対位置のずれと比較して、分割された遮光部材一つ当りの相対位置のずれは、長さが短いので小さくできる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a silicon single crystal capable of obtaining a single crystal part efficiently without loss from a silicon single crystal generating dislocation during growth.例文帳に追加

育成中に有転位化が発生したシリコン単結晶から、ロス無く効率的に単結晶部を得ることができるシリコン単結晶の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for growing a silicon single crystal, by which fracture and rupture of a silicon single crystal can be prevented even if dislocation generation occur in the growth process of a straight body part.例文帳に追加

直胴部の育成過程で有転位化が生じても、シリコン単結晶の破断や破裂を防止できるシリコン単結晶の育成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a single crystal which is capable of stably pulling a single crystal which is completely dislocation-free and good-shaped.例文帳に追加

完全無転位で且つ形状の良い結晶を有する単結晶を安定的に引上げることができる単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a silicon single crystal, enabling even a large-diameter silicon single crystal to be of longer length with no dislocation without causing its dropping.例文帳に追加

シリコン単結晶の落下を招くことなく、大口径のシリコン単結晶でも無転位で長尺化し得るシリコン単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a silicon single crystal, by which the productivity of single crystal rods is enhanced without lowering the dislocation-free rate in a diameter-enlarged part.例文帳に追加

拡径部における無転位化率を低下させることなく、単結晶棒の生産性を向上させる単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of thermally treating a gallium arsenide single crystal, which is capable of obtaining a low-dislocation semi-insulating gallium arsenide single crystal wafer with few micro pits.例文帳に追加

微小ピットの少ない低転位半絶縁性砒化ガリウム単結晶ウェハを得ることのできる砒化ガリウム単結晶の熱処理方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for growing a high quality single crystal from which wafers free from defects of dislocation clusters can be obtained.例文帳に追加

転位クラスタ欠陥がないウエーハを採取できる、高品質な単結晶の育成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a large diameter compound semiconductor single crystal having a low dislocation density in a good yield.例文帳に追加

大口径で低転位密度の化合物半導体単結晶を歩留まり良く製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor single crystal having a large diameter and a low dislocation density in high productivity and a high yield.例文帳に追加

大口径で低転位密度の化合物半導体単結晶を高い生産性と高い歩留で提供する。 - 特許庁

To prove a manufacturing process of a quartz glass crucible which exhibits a minimal emission of impurities from the inner wall of the crucible on pulling a dislocation-free silicon single crystal and enables the pulling of the dislocation-free silicon single crystal in a high yield.例文帳に追加

無転移シリコン単結晶の引上げの際に、るつぼ内壁からの不純物の放出を最小限にして、高歩留りで無転移シリコン単結晶の引上げを可能とする石英ガラスるつぼの製造方法を提供する。 - 特許庁

Thereby unevenness of the surface of the seed crystal 5 to be a starting point of dislocation in the growing layer of the silicon carbide single crystal is extremely minimized so that the occurrence of dislocation in the growing layer is suppressed.例文帳に追加

これにより、炭化硅素単結晶成長層の転位の起点となる、種結晶５表面の凹凸が極めて小さくなり、成長層の転位の発生を抑制する。 - 特許庁

To provide a silicon single crystal in which a dislocation exists only at the center part of the crystal and the other crystal region where a dislocation does not exist is usable in a device process and a silicon wafer.例文帳に追加

転位が結晶の中心部のみに存在し、転位が存在しないその他の結晶領域をデバイス工程で使用可能なシリコン単結晶およびシリコンウェーハを提供する。 - 特許庁

To provide a silicon carbide single crystal with a large diameter and high quality, including little micropipe defects, screw dislocation and edge dislocation, a silicon carbide substrate and a method for manufacturing the substrate.例文帳に追加

マイクロパイプ欠陥，螺旋転位，及び刃状転位をほとんど含まず，大口径高品質の炭化珪素単結晶、炭化珪素基板及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of forming a single crystal thin film in which a high quality single crystal thin film having a small dislocation density can readily be produced when growing a single crystal thin film having different quality of material on a single crystal substrate.例文帳に追加

単結晶基板上に材質の異なる単結晶薄膜を成長させる場合に転位密度の小さな高品質の単結晶薄膜を容易に形成することができる単結晶薄膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a silicon single crystal which improves productivity of a single crystal rod without decreasing a dislocation-free rate in a neck part and an enlarged diameter part when producing the single crystal.例文帳に追加

単結晶を製造する際に、絞り込み部および拡径部において、無転位化率を低下させることなく、単結晶棒の生産性を向上させるシリコン単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a high-quality single crystal body having small distribution of thickness and having little dislocation and impurities due to temperature changes.例文帳に追加

厚み分布が小さく、温度変化による転位および不純物が少ない高品質な単結晶体を提供する。 - 特許庁

PHOTOGRAPHING METHOD OF CRYSTAL DEFECT HAVING IN-PLANE ORIENTED DISLOCATION LINE IN SINGLE CRYSTAL SAMPLE BY X-RAY TOPOGRAPH例文帳に追加

単結晶試料における面内配向した転位線を有する結晶欠陥のＸ線トポグラフによる撮影方法 - 特許庁

To provide a method where a nitride semiconductor single crystal having a small dislocation density can be manufactured by a simple and easy way.例文帳に追加

転位密度が小さい窒化物半導体単結晶を簡便な方法で製造する方法を提供すること。 - 特許庁