「single dislocation」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a manufacturing method avoiding warping and cracking of a nitride semiconductor substrate which is grown on a single crystal substrate, and reducing a dislocation density, and obtaining the nitride semiconductor substrate having a superior uniformity.例文帳に追加

単結晶基板に成長させた窒化物半導体基板の反りおよびクラックを回避し、転位密度を低減させ、かつ均一性のよい窒化物半導体基板を得るための製造方法を提供すること。 - 特許庁

To reduce the threading dislocation of a single substrate made of nitride semiconductor from a nitride semiconductor substrate where a nitride semiconductor is grown on a supporting substrate, and to obtain a nitride semiconductor with a thick film.例文帳に追加

支持基板上に窒化物半導体を成長させた窒化物半導体基板から窒化物半導体の単体基板を貫通転位を低減させ、また厚膜の窒化物半導体として得ることを目的とする。 - 特許庁

Since the target seed diameter can be set to the minimum diameter corresponding to the breaking limit at the weight of the drawing-up single crystal, dislocation is easy to come away and the dangerousness of the breaking at the neck part can be remarkably reduced.例文帳に追加

目標シード直径を各引上げ単結晶の重量での破断限界に応じた最小径とすることができるので、転位が抜け易く、かつ、ネック部での破断の危険性を著しく低減することができる。 - 特許庁

To stably grow a single crystal rod without damaging the crystal habit line of the single crystal rod, causing deformation and delamination due to the weight of the rod, even when it is as heavy as 400 kg and causing dislocation due to the damage of the crystal habit line in a constitution where the bottom of the bulged portion of the single crystal rod formed by CZ method is supported.例文帳に追加

ＣＺ法で形成される単結晶の径拡大部の下端を把持する構成において、単結晶の晶癖線に損傷を与えずかつ、単結晶の荷重が４００ｋｇ程度の大重量であっても、加わる荷重により、変形や層間剥離などを生ぜす、安定した状態で、かつ晶癖線の損傷による転位を生じることなく成長させる。 - 特許庁

As a result, thermal stress due to the difference of coefficients of thermal expansion between a retaining substrate 500 and the single crystal silicon layers 230 is relieved by the trenches 260 so that a single crystal silicon layer of high quality is obtained wherein dislocation and cracks are not developed even if thermal treatment, an oxidation process, etc., which are used for improving sticking intensity are performed.例文帳に追加

その結果、支持基板５００と単結晶シリコン層２３０の熱膨張係数の差に由来する熱応力が溝２６０で緩和されるため、貼り合わせ強度向上させるための熱処理や酸化工程などを行っても、転位やクラックのない高品位な単結晶シリコン層を得られる。 - 特許庁

A silicon single crystal ingot 20 which does not include COP (Crystal-Originated Particles) and dislocation clusters is grown by a CZ (Czochralski) method, a silicon wafer is cut out from the silicon single crystal ingot 20, and the silicon wafer as-grown is subjected to reactive ion etching, thus a grown-in defect including silicon oxide is actualized as a projection on an etching face.例文帳に追加

ＣＺ法によってＣＯＰ及び転位クラスタを含まないシリコン単結晶インゴット２０を育成し、シリコン単結晶インゴット２０からシリコンウェーハを切り出し、as-grown状態のシリコンウェーハに対して反応性イオンエッチングを施すことにより、酸化シリコンを含むgrown-in欠陥をエッチング面上の突起として顕在化させる。 - 特許庁

To provide a method for pulling up a single crystal by the Czochralski method capable of reducing the dislocation generation of a single crystal resulting from a neck by making a neck part shape capable of reproducibly attaining the optimum values of the neck part length and the average range of fluctuation at this neck part.例文帳に追加

チョクラルスキー法による単結晶の引上げ方法において、ネック部長さと、このネック部平均変動幅における最適値を再現性よく実現することが可能なネック部形状とすることにより、ネックに起因する単結晶の有転位化を低減できる単結晶の引上げ方法を提供する。 - 特許庁

To grow a compound semiconductor single crystal having a low dislocation density in a good yield by reducing dislocations generated in the vicinity of a seeding part without using a communicating fine tube in a vertical Bridgman method or a vertical temperature gradient freezing method.例文帳に追加

垂直ブリッジマン法や垂直温度勾配凝固法により、連通細管を用いることなしに、種付部近傍に発生する転位を少なくして、低転位密度の化合物半導体単結晶を歩留良く育成する。 - 特許庁

By employing the method of forming the shoulder under the condition of applying a transverse magnetic field at predetermined intensity, the occurrence of dislocation in the step of forming the shoulder can be suppressed and a silicon single crystal having no defect can be grown with high production efficiency.例文帳に追加

この肩形成方法は、所定強さの横磁場を印加した条件下で適用すれば、肩形成工程での有転位化を抑制し、欠陥のないシリコン単結晶を高い生産効率で育成することができる。 - 特許庁

A thermal stress reducing layer which reduces the thermal stress due to the difference in the coefficients of linear expansion between the single-crystal substrate 1 and the device layer 3 on the basis of its dislocation introducing deformation is provided in the buffer layer 2.例文帳に追加

そして、バッファ層２内には、単結晶基板１と素子層３との線膨張係数差に起因して生ずる熱応力を自身の転位導入変形に基づいて緩和する熱応力緩和層が設けられている。 - 特許庁

To provide a structure of epitaxial wafer capable of achieving surface planarity, high orientation and low dislocation density when GaN thin film crystal grown on an Si substrate through an AlN single layer buffer has a film thickness of 1 μm or less.例文帳に追加

ＡｌＮ単層バッファーを介したＳｉ基板上のＧａＮ薄膜結晶が、１μｍ以下の膜厚において、表面平坦、高配向性、低転位密度を実現することのできるエピタキシャルウェハの構造を提供すること。 - 特許庁

To provide a self-supporting group-III nitride single-crystal substrate having an average dislocation density of at most 5×10^5 cm^-2 and hard to crack, and to provide a method for producing a semiconductor device using the substrate.例文帳に追加

平均転位密度が５×１０^5ｃｍ^-2以下であり、かつ、割れ難いＩＩＩ族窒化物単結晶自立基板、およびかかるＩＩＩ族窒化物単結晶自立基板を用いた半導体デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

The silicon seed crystal is used for the growth of the non- dislocation silicon single crystal and contains the impurity element having a bond radius larger than that of silicon and the impurity having a bond radius smaller than that of silicon.例文帳に追加

無転位シリコン単結晶の成長に用いるシリコン種子結晶であって、シリコンよりも結合半径が大きい不純物元素と、シリコンよりも結合半径が小さい不純物元素とを含むことを特徴とするシリコン種子結晶。 - 特許庁

Since the dislocation of two different directions of the mask can be detected properly by a single TEG, having a pair of contact holes and one reference wiring pattern, the area of TEG can be reduced, and as a result, the semiconductor device can be micronized.例文帳に追加

一対のコンタクトホール及び一つの基準配線パターンを備える単一のＴＥＧによりマスクの異なる２方向の位置ずれが適切に検出されるため、ＴＥＧの面積が縮小され、その結果、半導体装置が微細化される。 - 特許庁

Since the synthesized voxel data in which the first image and the second image are stereoscopically and alternately combined in a single three-dimensional data arrangement is obtained, the dislocation and the positional relation of the two kinds of three-dimensional images are easily grasped.例文帳に追加

単一の３次元データ配列内に第１画像と第２画像が立体的に交互に組み合わされた合成ボクセルデータを得ることができるため、これに基づいて２種類の３次元画像の位置ずれや位置関係を容易に把握することができる。 - 特許庁

To provide a clip capable of installation with an extremely simple single operation, and easily absorbing positional dislocation of an installation member to an installation object member, while always integrally treating the clip in a state of being installed in the installation member.例文帳に追加

クリップを取付部材に組み付けた状態で常時一体的に取り扱いつつ、被取付部材に対する取付部材の位置ずれを容易に吸収できると共に、取り付けを極めて簡単なワンタッチ動作で行うことが可能なクリップを提供する。 - 特許庁

Between a silicon carbide epitaxial layer for device fabrication (i.e., a drift layer) and a base substrate formed of a silicon carbide single-crystal wafer, a highly efficient dislocation conversion layer through which any basal plane dislocations in the silicon carbide single-crystal wafer are converted into threading edge dislocations very efficiently when the dislocations propagate into the layer epitaxially grown is provided by epitaxial growth.例文帳に追加

デバイスが作り込まれる炭化珪素エピタキシャル層（ドリフト層）と炭化珪素単結晶ウエハからなる下地基板との間に、 炭化珪素単結晶ウエハ中の基底面転位がエピタキシャル成長層中に伝播する際に貫通刃状転位に変換される変換効率の高い層（転位変換層）を、エピタキシャル成長によって設ける。 - 特許庁

A laminated structure formed of GaN crystal layers is formed on an Al_xGa_1-xN (0.5≤x≤1) crystal layer (it may be a single crystal substrate) which has a dislocation density of 1×10^11 cm^-2 or below and a thickness of 0.1 μm or above for the formation of a GaN semiconductor laser.例文帳に追加

転位密度１×１０^11ｃｍ^-2以下、厚さ０．１μｍ以上のＡｌ_xＧａ_1-xＮ（０．５≦ｘ≦１）結晶層（単独の結晶基板であってもよい）上に、ＧａＮ系結晶層からなる積層構造を形成し、ＧａＮ系半導体レーザを構成する。 - 特許庁

To provide a method for forming a thermal oxide film, which can prevent attachment to a wafer boat occurring at the time of forming a particularly thick thermal oxide film, and which can suppress the slip dislocation or crack of a silicon single-crystal wafer in the formation of the thermal oxide film.例文帳に追加

特に厚い熱酸化膜を形成する際に発生するウェーハボートへの貼り付きを防止し、熱酸化膜形成中のシリコン単結晶ウェーハのスリップ転位や割れの発生を抑制することのできる熱酸化膜の形成方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

A high quality single crystal wafer of SiC having a polytype selected from a group composed of a 3C, 4H, 6H, 2H and 15R polytypes, a diameter of at least about 75 mm (3 inches) and the 1c screw dislocation density lower than about 2,000 cm^-2 is disclosed.例文帳に追加

３Ｃ、４Ｈ、６Ｈ、２Ｈ、および１５Ｒポリタイプからなる群から選択されるポリタイプであって、少なくとも７５ｍｍ（３インチ）の直径と、約２０００ｃｍ^−２未満の１ｃらせん転位密度とを有する高品質のＳｉＣ単結晶ウェハ。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a larger high quality bulk single crystal of silicon carbide with low 1c screw dislocation defect levels in a crystal formed in the seeded sublimation system in order to reduce the total number of defects in the manufactured crystal.例文帳に追加

製造された結晶にある欠陥総数を低減するために、種結晶を用いた昇華システムにおいて形成された結晶の１ｃらせん転位欠陥レベルが低く、より大きく、高品質の炭化珪素バルク単結晶を製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for industrially and inexpensively producing a high-quality silicon single crystal, capable of prolonging the life of a quartz crucible by suppressing deterioration of the inside surface of the quartz crucible, reducing crucible number per pulling up a single crystal rod by preventing dislocation generated together with deterioration of the crucible and improving yield and productivity by reducing time required for exchange of the crucible.例文帳に追加

石英ルツボ内表面の劣化を抑制してルツボの寿命を延ばし、ルツボの劣化に伴って発生する有転位化を防止して、引上げ単結晶棒１本当りのルツボ個数を減少させ、かつルツボ交換に要する時間を削減して、歩留りと生産性の向上を図り、工業的に安価で高品質なシリコン単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a solid raw material-recharging method which includes filling a quartz crucible storing a crystal melt with a solid raw material in a production apparatus of a silicon single crystal, controls the dislocation-developing probability of a crown by controlling the time required for solidifying the melt, and which enables to suppress the concentration of carbon impurities in the single crystal.例文帳に追加

シリコン単結晶製造装置において、結晶融液を貯留する石英ルツボに固形状原料を充填する固形状原料のリチャージ方法であって、融液固化に要する時間を制御することにより、クラウンの有転位化率を抑制し、かつ、単結晶中のカーボン不純物濃度を抑制することを可能にする固形状原料のリチャージ方法を提供する。 - 特許庁

This silicon single crystal wafer grown by the CZ method is doped with nitrogen and composed of the N-region in the whole region and has ≤8 ppma interstitial oxygen concentration or at least the void-type defects and the dislocation clusters are eliminated from the whole region in the silicon single crystal wafer doped with nitrogen and having ≤8 ppma interstitial oxygen concentration.例文帳に追加

ＣＺ法によって育成されたシリコン単結晶ウエーハであって、窒素がドープされ、全面Ｎ−領域からなり、かつ格子間酸素濃度が８ｐｐｍａ以下、或は窒素がドープされ、全面から少なくともボイド型欠陥と転位クラスターが排除されており、かつ格子間酸素濃度が８ｐｐｍａ以下であるシリコン単結晶ウエーハおよびその製造方法。 - 特許庁

A plurality of penetrating members 80 are fixed to a drive plate 18, the penetrating members are penetrated through different positions of an L cam plate 25L, a single clip 81 is locked to the tips of these penetrating members, and the L cam plate is disposed movably to a drive plate with preventing dislocation.例文帳に追加

ドライブプレート１８に複数本の貫通部材８０が固定され、Ｌカムプレート２５Ｌの異なる位置に貫通部材が貫通され、これらの貫通部材の先端に単一のクリップ８１が係止されて、Ｌカムプレートがドライブプレートに対し移動可能に抜止め配置されたものである。 - 特許庁

To provide a method for easily and inexpensively manufacturing a P-doped silicon single crystal which is composed of an indefective area without including a V area, an OSF area, and a huge dislocation cluster (LSEPD, LFPD) area and has a high pressure resistance and excellent electrical properties.例文帳に追加

例えば、Ｖ領域、ＯＳＦ領域および巨大転位クラスタ（ＬＳＥＰＤ、ＬＦＰＤ）領域を含まない、高耐圧の優れた電気特性を持つ無欠陥領域のＰドープシリコン単結晶を簡単かつ安価で製造する方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The objective epitaxial silicon wafer is characterized in that the silicon epitaxial layer is formed on the nitrogen-doped silicon single crystal wafer, dislocation loops are contained in the bulk, the BMD density in the bulk is ≥5×108 pieces/cm3, and the carrier diffusion length is 300 to 600 μm.例文帳に追加

および、窒素がドープされたシリコン単結晶ウエーハの表面にシリコンエピタキシャル層が形成されたものであり、バルク中に転位ループと５×１０^８個／ｃｍ^３以上のＢＭＤ密度を有し、かつ、キャリアの拡散長が３００〜６００μｍであることを特徴とするエピタキシャルシリコンウエーハ。 - 特許庁

Accordingly, by using the layer B independent of the ground substrate side as a new crystal growth substrate, the high quality semiconductor crystal layer C (GaN single crystal) can be obtained without dislocation or crack coming up with a stress caused by the differences of lattice constant and thermal expansion coefficient between the layer C and the ground substrate side.例文帳に追加

したがって、下地基板側から独立したこの保護層Ｂを新たな結晶成長基板とすれば、下地基板側との格子定数差や熱膨張係数差等に起因する応力に伴う転位やクラックが発生せず、高品質な半導体結晶層Ｃ（ＧａＮ単結晶）が得られる。 - 特許庁

To provide an apparatus for manufacturing a compound semiconductor crystal, with which the generation rate of twin crystals in a diameter increasing part of the crystal is suppressed and a single crystal having a low dislocation density can be grown in a high yield in a vertical Bridgman method or a vertical temperature gradient freezing method.例文帳に追加

垂直ブリッジマン法又は垂直温度勾配凝固法において、結晶の増径部において双晶の発生割合を少なくし、低転位密度の単結晶を歩留り良く育成することのできる化合物半導体結晶の製造装置を提供すること。 - 特許庁

This silicon carbide single crystal 1 comprises an assembly 2 of screw dislocations, the stacking faults 3 and edge dislocations 4 and is obtained by dividing the assembly 2 of the screw dislocations into sections in the direction of the axis (extending the dislocation lines) of the screw dislocations with the stacking faults 3 or the edge dislocations 4.例文帳に追加

らせん転位の集合体２、積層欠陥３、及び刃状転位４が含まれ、らせん転位の集合体２が積層欠陥３若しくは刃状転位４によって、らせん転位の軸（転位線を伸長する）方向に分断された炭化珪素単結晶１とする。 - 特許庁

While a crystal is growing, at least two of the crucible, the heater, and the shield are moved vertically, and generation of surface sub-boundary and dislocation, prevention of hitting the bottom, controllability of diameter, etc., are regulated with good balance to obtain a high quality single crystal comparatively easily.例文帳に追加

結晶成長中に，前記るつぼ，ヒータ，シールドのうち少なくとも２つを昇降させることにより，表面亜粒界や転位の発生の抑制，底付きの防止，直径制御性等をバランスよく調整し，品質の良い単結晶を比較的簡単に得ることができる。 - 特許庁

To provide a hollow weave air bag suitable for a side collision air bag, being excellent in folding-up housing performance, capable of being housed in a desired housing space and leaking out no gas by preventing the occurrence of dislocation of meshes particularly in a boundary part between a connecting joining single part and a bag part.例文帳に追加

折り畳み収納性が良好であり、所望の収納スペースに収納可能であり、かつ特に接結１重部と袋部との境界部における目ずれが発生しにくく、従ってガス漏出が起こりにくい側面衝突用エアバッグに適した袋織エアバッグを提供する。 - 特許庁

Although a portion grown on the exposed part and below the facet has at first many dislocations between the ground substrate and itself, the dislocation density in the portion is gradually reduced because the dislocations are eliminated to outside by the growth of the facet and accumulated in the crystal defect aggregation region H, and the portion adjacent to the region H becomes a single crystal.例文帳に追加

露呈部の上でファセットの下に成長した部分は初めは下地基板との間に多数の転位を持つが、ファセット成長によって転位が外側へ排除され、結晶欠陥集合領域Ｈに蓄積されるので次第に低転位となり、この隣接部分は単結晶となる。 - 特許庁

The base wafer 22 of the SOI wafer is composed of a single silicon crystal grown by the Czockralski method and the whole surface of the wafer 22 is on the outside of an OSF region, does not contain the defective region detected by the Cu deposition method, and contains an I region in which the dislocation cluster caused by interstitial silicon exists.例文帳に追加

ベースウエーハ２２が、チョクラルスキー法により育成されたシリコン単結晶であり、該ウエーハ全面がＯＳＦ領域の外側であって、Ｃｕデポジション法により検出される欠陥領域を含まず、且つ格子間シリコンに起因した転位クラスタが存在するＩ領域を含むものからなることを特徴とするＳＯＩウエーハ２６。 - 特許庁

The silicon single crystal obtained by the above growth method is controlled to have carbon concentration in the range from 0.5×10^16 atoms/cm^3 to 15×10^16 atoms/cm^3 and has no dislocation site over the whole length in the longitudinal direction of a cylindrical part, and thereby, a silicon wafer with excellent ability of IG can be produced.例文帳に追加

この育成方法により得られるシリコン単結晶は、炭素濃度が０．５×１０^16ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3〜１５×１０^16ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3の範囲に制御され、直胴部の長さの方向全長にわたり有転位部位がないので、優れたＩＧ能力を有するシリコンウェーハを製造することができる。 - 特許庁

To constrain the nitriding of the front surface of a substrate which is composed of a diboride single crystal with high lattice matching with a gallium nitride-based compound semiconductor, provide 2-dimensional stratified growth from an early phase of growth, and control polarization from the early phase of growth, thereby reducing failure and growing up a gallium nitride-based compound semiconductor with excellent planarity, high quality, and low dislocation.例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体と格子整合性の高い二硼化物単結晶から成る基板の表面の窒化を抑制し、成長初期から２次元の層状成長を実現し、また成長初期から極性を制御して、欠陥が低減され、平坦性に優れた高品質、低転位の窒化ガリウム系化合物半導体を成長させること。 - 特許庁

To provide a GaAs single crystal wafer reduced in the influence of the warp of the wafer itself and the nonuniformity of wafer in-plane temperature for the thermal treatment in a device manufacturing process using the wafer, and generating no slip defects, which needs no relaxation of the residual stress by incorporation of dislocation, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

本発明は、ＧａＡｓ単結晶ウエハを用いたデバイス製造プロセス中の熱処理に対して、そのウエハ自身の反りや、熱処理時のウエハ面内温度均一性といった影響を低減し、転位の導入による残留応力の緩和を必要としないスリップ不良の発生が無いＧａＡｓ単結晶ウエハ及びその製造方法を提供することにある。 - 特許庁