bond radiusとは 意味・読み方・使い方

First impurities 61 having covalent bond radii larger than the covalent bond radius of a semiconductor atom 51, and second impurities 62 having covalent bond radii smaller than the covalent bond radius of the semiconductor atom 51, are arranged in a semiconductor adjacent to each other.例文帳に追加

半導体中に半導体原子５１の共有結合半径より大きな共有結合半径を有する第１の不純物６１と、半導体原子５１の共有結合半径より小さな共有結合半径を有する第２の不純物６２とを、半導体中に互いに隣接するように配置する。 - 特許庁

The silicon seed crystal is used for the growth of the non- dislocation silicon single crystal and contains the impurity element having a bond radius larger than that of silicon and the impurity having a bond radius smaller than that of silicon.例文帳に追加

無転位シリコン単結晶の成長に用いるシリコン種子結晶であって、シリコンよりも結合半径が大きい不純物元素と、シリコンよりも結合半径が小さい不純物元素とを含むことを特徴とするシリコン種子結晶。 - 特許庁

By use of impurity elements having opposite signs of Δr (difference between the covalent bond atomic radius between the basic material and a dopant) in order to match the mean covalent bond radius of an impurity element, reduce the strain, and increase the solubility of a donor or acceptor, a plurality of dopants are further used in manufacture of a semiconductor device.例文帳に追加

不純物元素の平均共有結合半径を整合させ、ひずみを減少させドナーまたはアクセプタの溶解度を増大させるように、反対符号のΔｒ（母材とドーパントの共有結合原子半径の差）を持つ不純物元素を用いた、半導体装置の製造における複数のドーパントの使用が開示されている。 - 特許庁

Since the n-type impurity element is smaller than Zn in terms of ionic radius, grid distortion attributable to the difference in bond lengths between elements in groups II-VI is eased for improvement in crystallinity.例文帳に追加

ｎ型不純物元素はＺｎよりもイオン半径が小さいので、ＩＩ−ＶＩ族元素の結合長差に起因する格子歪が緩和され、結晶性が向上する。 - 特許庁

The material of a recording layer consists of Sb, Te and an element whose covalent bond radius is 1.5 to 1.7, and the dissociation energy for Sb or Te is 70 to 95 kcalmol-1.例文帳に追加

記録層材料が、 Ｓｂと Ｔｅと、 共有結合半径が１．５〜１．７でかつＳｂ又はＴｅに対する解離エネルギーが７０〜９５ｋｃａｌｍｏｌ^-1の元素からなることを特徴とする。 - 特許庁

The well layer 106 is mixed with an appropriate quantity of crystallized In as a group III element whose covalent bond radius is larger than Ga, so that the crystallinity of the semiconductor laser device 100 becomes superior, and an oscillation threshold current is reduced, resulting in improving light emission efficiency.例文帳に追加

この井戸層１０６には、Ｇａよりも共有結合半径が大きなＩＩＩ族元素であるＩｎが適量混晶化されているので、結晶性に優れたものになって、発振閾値電流が低減し、発光効率が向上する。 - 特許庁

When a thick sheet 30 of which the thickness is larger than the difference in level (h) is bonded to the surface of the adherend 20 having the difference in level (h), a roller having a radius of (21/2-1)h/2 or a push-in plate is used to bond the sheet 30 under pressure to minimize the gap.例文帳に追加

段差ｈを有する被着体２０の表面に、段差ｈよりも厚みの厚いシート３０を貼る際に、（２^1/2−１）ｈ／２の半径のローラ、もしくは押込み板を使用して、シート３０を圧着することにより隙間を最小限に抑え、上記の課題を解決した。 - 特許庁