「single dislocation」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method of manufacturing a multilayer epitaxial silicon single crystal wafer in which there is no slip dislocation, and which can be applied to a wafer of no slid dislocation, high resistivity and a wafer of a diameter of 300 mm or more, and to provide the multilayer epitaxial silicon single crystal wafer.例文帳に追加

スリップ転位が無く、高抵抗率のウェーハや、直径が３００ｍｍ以上のウェーハに対しても適用可能な多層のエピタキシャルシリコン単結晶ウェーハの製造方法および多層のエピタキシャルシリコン単結晶ウェーハを提供する。 - 特許庁

To provide a method for growing a silicon single crystal having reduced dislocation density and a crystal axis orientation of [110] by a CZ method.例文帳に追加

転位密度を低減した、ＣＺ法による結晶軸方位が［１１０］のシリコン単結晶を育成する方法を提供する。 - 特許庁

To produce a group III nitride single crystal substrate which has low dislocation density and a large area for each crystal face.例文帳に追加

いずれの結晶面についても低転位密度であり大面積であるＩＩＩ族窒化物単結晶基板を製造する。 - 特許庁

To provide a method for pulling a single crystal by which, when pulling a large diameter single crystal, a neck part formed in the single crystal can be prevented from being broken and the propagation of heat shock dislocation from a seed crystal to the straight body part can be prevented.例文帳に追加

大口径の単結晶引上げ時に、ネック部が破断することなく、且つ、種結晶から直胴部への熱ショック転位の伝播を防止することのできる単結晶の引上げ方法を提供する。 - 特許庁

To provide an apparatus for producing a single crystal, which can reliably detect the presence or absence of a crystal habit line, that is, whether or not a dislocation occurs in a single crystal even when the single crystal deforms during being pulled.例文帳に追加

単結晶の引上げ中に単結晶が変形した場合でも、晶癖線の有無、つまり単結晶の有転位化の発生の有無を確実に検出することができる単結晶製造装置を提供する。 - 特許庁

The method of growing the silicon single crystal comprises adjusting the rotation speed of a seed crystal to 0 to 8 rpm after growing the constant diameter part of the silicon single crystal, and then cutting the silicon single crystal off from the melt in the dislocation-free state.例文帳に追加

シリコン単結晶の定径部の成長が終了した後、種結晶の回転速度を０〜８ｒｐｍとして、単結晶を無転位状態で融液から切り離すシリコン単結晶の成長方法。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a silicon single crystal which can suppress the occurrence of a slip dislocation irrespective of the crystal orientation, can achieve a dislocation-free crystal simply, can improve the quality of the crystal, and is most suited in particular for pulling a <110> single crystal by using a seed crystal having a crystal orientation of <110> that is difficult to eliminate the slip dislocation.例文帳に追加

結晶方位に拘わらず、スリップ転位の発生を抑制し、無転位化を簡易に達成し、結晶品質の向上を図ることができ、特に、スリップ転位を消滅させるのが難しい結晶方位が＜１１０＞である種結晶を用い、＜１１０＞の単結晶を引上げるのに最適であるシリコン単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

Large area, uniformly low dislocation density single crystal III-V nitride material, e.g., gallium nitride has a large area of greater than 15 cm, a thickness of at least 1 mm, an average dislocation density not exceeding 5E5 cm^-2, and a dislocation density standard deviation ratio of less than 25%.例文帳に追加

１５ｃｍを超える大面積と、少なくとも１ｍｍの厚さと、５Ｅ５ｃｍ^−２を超えない平均転位密度と、２５％未満の転位密度標準偏差比率と、を有する大面積で均一な低転位密度単結晶ＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料、たとえば窒化ガリウム。 - 特許庁

To provide a method for growing a silicon single crystal which is capable of growing a silicon single crystal which contains a region wherein dislocation clusters are produced and is reduced in the density of the LPD (light point defect) having a size of 0.09 μm or more.例文帳に追加

転位クラスター発生領域を含み、０．０９μｍ以上のＬＰＤ密度が少ないシリコン単結晶を育成できるシリコン単結晶の育成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a compound semiconductor single crystal which yields a large effect to reduce dislocation density, can reduce the twin development probability, and has high qualities and a high single crystallization ratio.例文帳に追加

転位密度低減効果が大きく、双晶発生確率を低減することができる、高品質で単結晶化率が高い化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

The dislocation density of the stripe region 13 is greater than that of the single crystal region 15, and the crystal orientation of the stripe region 13 differs from that of the single crystal region 15.例文帳に追加

ストライプ領域１３の転位密度は単結晶領域１５の転位密度より大きく、ストライプ領域１３の結晶方位は単結晶領域１５の結晶方位と異なる。 - 特許庁

To provide a silicon single crystal pull-up apparatus capable of reducing microdefects due to bubbles or the like formed on the surface of a quartz crucible and single crystal dislocation generation.例文帳に追加

石英ルツボの表面に形成される気泡等に起因する微小欠陥や単結晶の有転位化を低減することができるシリコン単結晶の引上げ装置を提供する。 - 特許庁

To produce a compound raw material which produces a compound single crystal having a stabilized composition with a low dislocation density and a method for producing the same.例文帳に追加

転位密度の低い安定した組成の化合物単結晶を製造できる化合物原料と製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a crucible and a method for producing a high quality silicon carbide single crystal where the occurrence of dislocation defects is few.例文帳に追加

転位欠陥の発生の少ない高品質の炭化珪素単結晶を製造するための坩堝及び製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for preventing generation of a dislocation in a tail portion during growing a silicon single crystal without using a large amount of inert gas.例文帳に追加

シリコン単結晶育成時に、大量の不活性ガスを使用することなく、テール部の有転位化を防止する方法を提供する。 - 特許庁

To form a (non-defect) III-V compound semiconductor layer in which dislocation is completely eliminated on a silicon single crystal substrate.例文帳に追加

シリコン単結晶基板上に完全に転位をなくした（無欠陥の）III −Ｖ族化合物半導体層を形成することを目的とする。 - 特許庁

Thereby, when growing up a SiC single crystal 4 on the SiC single crystal substrate 3, it is possible to prevent that the region 4b in which screw dislocation can occur in the SiC single crystal 4 have a higher temperature than the region surrounding the above region.例文帳に追加

これにより、ＳｉＣ単結晶基板３にＳｉＣ単結晶４を成長させる際に、ＳｉＣ単結晶４のうちの螺旋転位発生可能領域４ｂがその周囲の領域と比べて高温になることを防止できる。 - 特許庁

The p-type GaAs single crystal has an average dislocation density of ≤100/cm^-2 and contains Si, Zn, B and In as dopants.例文帳に追加

本発明のp型GaAs単結晶は、平均転位密度100cm^-2以下のp型GaAs単結晶であって、ドーパントとして、Si，Zn，B，及びInを含有することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for producing a silicon single crystal, by which the length of a neck part required for achieving dislocation-free state can be shortened and excellent crystal quality can be obtained.例文帳に追加

無転位化に必要なネック部長さの短縮を図り、優れた結晶品質を得るシリコン単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

The dislocation controlling seed crystal 10, the method for producing the seed crystal, and the production method of a SiC single crystal using the seed crystal are configured as follows.例文帳に追加

以下の構成を備えた転位制御種結晶１０及びその製造方法、並びにこれを用いたＳｉＣ単結晶の製造方法。 - 特許庁

To provide an SiC single crystal ingot that can give a high quality substrate with few dislocation defects, and to provide a substrate and an epitaxial wafer obtained from the ingot.例文帳に追加

転位欠陥の少ない良質の基板を得ることのできるSiC単結晶インゴット、これから得られる基板及びエピタキシャルウェハを提供する。 - 特許庁

To provide a dislocation controlling seed crystal and a production method of the seed crystal that has little possibility of inducing a defect in a SiC single crystal during growing, and to provide a production method of a SiC single crystal.例文帳に追加

本成長途中のＳｉＣ単結晶中に欠陥を生成させるおそれの少ない転位制御種結晶及びその製造方法、並びに、ＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a silicon single crystal in which there is no sudden formation of dislocation; a molten silicon does not flow out at the side part of a single crystal having grown at that time; the productiobn yield is high.例文帳に追加

転移が突然形成されたり、溶融シリコンはその時点まで成長した単結晶の側部において流出することがなく、歩留まりの高いシリコン単結晶の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide the production method of a silicon single crystal, reducing minute defects or dislocation in a single crystal caused by bubbles on the inner surface of a quartz crucible that houses a silicon melt.例文帳に追加

シリコン融液が収容された石英ルツボの内表面の気泡に起因して発生する微小欠陥や単結晶の有転位化を低減することができるシリコン単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To grow a single crystal having a low dislocation density in a good yield by preventing that the solid-liquid interface becomes a shape recessed to the melt side when the single crystal is grown by a vertical Bridgman method.例文帳に追加

垂直ブリッジマン法を用いるに当たり、固液界面の形状が融液側に凹面になってしまうのを抑制することにより、転位密度の低い単結晶を歩留まり良く育成する。 - 特許庁

To provide a silicon single crystal and a method for producing the same in which even a large-diameter silicon single crystal can be separated without dislocation without harmful effect on crystal characteristics in a short time.例文帳に追加

大口径シリコン単結晶においても、短時間でしかも結晶特性に悪影響せず無転位のまま切り離すことが可能である、シリコン単結晶とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a production method of a silicon single crystal ingot, by which a dislocation-free silicon single crystal ingot having high qualities over the whole length can be grown even when the silicon single crystal ingot has a large diameter of ≥450 mm in the cylindrical part.例文帳に追加

直胴部における直径が４５０ｍｍ以上の大口径シリコン単結晶インゴットであっても、全長にわたって良質な無転位シリコン単結晶インゴットを育成できる、シリコン単結晶インゴットの製造方法を提供する。 - 特許庁

Therefore, if an electronic device is formed to a SiC single crystal substrate 1 whose direction of the dislocation line of threading dislocation is [0001]c axis, good device characteristic, no deterioration and an enhanced yield can be attained.例文帳に追加

このため、貫通転位３の転位線の方向が［０００１］ｃ軸であるＳｉＣ単結晶基板１に対して電子デバイスを形成すれば、デバイス特性は良好となり、劣化が無く、歩留まりも向上したＳｉＣ半導体装置。 - 特許庁

To provide a novel manufacturing method, with which dislocation density of semiconductor crystals in a semiconductor element can be reduced, and a semiconductor element including a semiconductor single-crystal layer, having a low dislocation density layer formed by this method.例文帳に追加

半導体素子中における半導体単結晶の転位密度を低減することが可能な新規な製造方法を提供し、これによって低転位密度の領域を有する半導体単結晶層を具えた半導体素子を得る。 - 特許庁

To provide a crucible for pulling a silicon single crystal, the crucible that is free from deformation in a quartz crucible due to a larger diameter or from deformation such as buckling and can prevent generation of dislocation.例文帳に追加

大口径化による石英ルツボの変形や座屈等の変形がなく有転位化を防止できるシリコン単結晶引上用ルツボを提供する。 - 特許庁

To provide an InP single crystal which is reduced in twin defects in an area with low carrier concentration while reducing dislocation density therein.例文帳に追加

キャリア濃度が低い領域において、転位密度を低減しつつ双晶欠陥の発生を抑制したＩｎＰ単結晶およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Nitrogen as an element having an action of hardening impurities and a dopant other than nitrogen are jointly doped, so that the GaAs single crystals having small dislocation density can be obtained.例文帳に追加

不純物硬化作用元素としての窒素と、窒素以外のドーパントとを共にドープすることにより転位密度が小さいＧａＡｓ単結晶が得られる。 - 特許庁

To provide a single crystal ingot that has no propagation of thermal dislocation and no crack and that is safe for handling, and to provide a method for manufacturing the ingot.例文帳に追加

熱的な転位の伝播が無いことに加え、クラックがなく取り扱い上も安全となる単結晶インゴットおよびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The silicon single crystal grown by a CZ method has a crystal axis orientation [110] and a dislocation in the crystal length direction at the center part of the crystal.例文帳に追加

ＣＺ法により育成されたシリコン単結晶の結晶軸方位が［１１０］であり、結晶長さ方向に、かつ結晶の中心部に転位が存在する。 - 特許庁

To provide a silicon seed crystal, by which a non-dislocation silicon single crystal in a wide range of impurity concentration is manufactured without using a necking step.例文帳に追加

広い不純物濃度範囲の無転位シリコン単結晶をネッキング工程を用いずに製造することを可能にするシリコン種子結晶を提供する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor element which uses a novel substrate whose latice constant very much coincides with that of a GaN single crystal not only at a normal temperature but during heating in layer formation as well and also has a GaN single crystal layer having an extremely low through- dislocation.例文帳に追加

GaN単結晶と常温のみならず層形成時の加熱時においても格子定数が極めて一致する新規な基板を用い、貫通転位の極めて少ないGaN単結晶層を有する半導体素子を得る。 - 特許庁

To provide a quartz glass crucible to be used for the growth of silicon single crystal, effective for suppressing the intrusion of small pieces of crystallized cristobalite into the molten liquid and ensuring the dislocation-free pull-up of a single crystal and provide its production process.例文帳に追加

シリコン単結晶の育成に使用される、融液中への結晶化したクリストバライトの細片混入を抑止し単結晶の無転位引き上げを確実にする石英るつぼおよびその製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a single crystal pulling apparatus capable of preventing a single crystal from becoming into a state having dislocation by suppressing the stay of flow of an inert gas around the outside of a lower end of a heat shield while suppressing a lowering of pulling up speed.例文帳に追加

引き上げ速度の低下を抑えつつ、熱遮蔽体の下端部外側付近で不活性ガスの流れの滞留を抑制し、単結晶の有転位化を防止できる単結晶引き上げ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a single crystal by the Czochralski method, by which a single crystal free of crystal defects such as COP (crystal-originated particle: hollow type defects) or dislocation clusters can be produced efficiently in a high yield.例文帳に追加

ＣＯＰ（空洞型欠陥）や転位クラスターなどの結晶欠陥が存在しない単結晶を、効率よく、高い歩留りで製造することができる、チョクラルスキー法による単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a low concentration boron-doped silicon single crystal epitaxial wafer which is formed by epitaxial growth using a substrate which is a high concentration boron-doped silicon single crystal wafer and does not cause miss-fit dislocation.例文帳に追加

本発明は、高濃度にボロンドープされたシリコン単結晶ウェーハであって、該ウェーハを基板に用いてエピタキシャル成長されたミスフィット転位の発生しない低濃度のボロンドープシリコン単結晶エピタキシャルウェーハを提供する。 - 特許庁

To provide a quartz glass crucible having excellent mechanical strength in use at a high temperature of silicon single crystal pulling, hardly causing occurrence of dislocation at the initial stage of pulling and having a high single crystallization ratio and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

シリコン単結晶引上げの高温使用下において機械的強度に優れ、引き上げ初期の転位発生がほとんど無く、単結晶化率の高い石英ガラスルツボとその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a charging method for single crystal raw material where an additional charge of a semiconductor single crystal rod is performed in a short time, without contaminating a device, without causing breakage of a seed crystal, and without generating dislocation of a crystal, using a Czochralski(CZ) method.例文帳に追加

ＣＺ法において、装置を汚染することなく、短時間でかつ、種結晶の折損、結晶の有転位化をを引き起こすことなく半導体単結晶棒の追加チャージを行う方法を提供する。 - 特許庁

To provide a seed crystal for growing a silicon carbide single crystal from which large diameter face wafers with good quality almost free from dislocation defects can be produced with good reproducibility, and to provide a silicon carbide single crystal ingot and a production method therefor.例文帳に追加

転位欠陥の少ない良質の大口径面ウェハを、再現性良く製造し得るためのＳｉＣ単結晶育成用種結晶とＳｉＣ単結晶インゴット及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Therefore, the device characteristics are improved by forming an electronic device to an SiC single crystal substrate having the direction of dislocation line of the threading dislocation 3 of being the [0001] c-axis, and an SiC semiconductor device with improved yield having no deterioration is formed.例文帳に追加

このため、貫通転位３の転位線の方向が［０００１］ｃ軸であるＳｉＣ単結晶基板に対して電子デバイスを形成すれば、デバイス特性は良好となり、劣化が無く、歩留まりも向上したＳｉＣ半導体装置とすることができる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a silicon single crystal capable of preventing the occurrence of dislocation of tail part of the silicon single crystal even in the case of growing the silicon single crystal added with a large quantity of a dopant and having a low resistivity, and a silicon single crystal manufactured by the method.例文帳に追加

ドーパントが多量に添加された低い抵抗率のシリコン単結晶を成長させる場合であっても、シリコン単結晶のテール部分が有転位化することを防止できるシリコン単結晶の製造方法、及びそのような製造方法によって製造されるシリコン単結晶を提供すること。 - 特許庁