「single dislocation」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

Therefore, without performing sequential lamination of p-layers and n-layers, the SiC single crystal capable of reducing threading screw dislocations can be produced while suppressing transfer of polymorphism and dislocation.例文帳に追加

したがって、ｐ層とｎ層を順次積層させなくても、多形や転位の引継ぎを抑制しつつ、貫通転位を低減できるＳｉＣ単結晶を製造することができる。 - 特許庁

To provide a production method of a silicon carbide single crystal, by which crystal defects such as screw dislocation can be further suppressed while continuously sublimating a raw material for sublimation in a given amount.例文帳に追加

一定量の昇華用原料を継続して昇華させつつ、らせん転位などの結晶欠陥をさらに抑制できる炭化珪素単結晶の製造方法の提供 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an SiC single crystal capable of reducing threading dislocations while suppressing transfer of polymorphism and dislocation without performing sequential lamination of p-layers and n-layers.例文帳に追加

ｐ層とｎ層を順次積層させなくても、多形や転位の引継ぎを抑制しつつ、貫通転位を低減できるＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a new method of manufacturing a compound semiconductor single crystal, by which the propagation of a dislocation from a seed crystal is effectively suppressed and the yield can be drastically improved.例文帳に追加

種結晶からの転位の伝搬を効果的に抑制して歩留りを大幅に向上させることができる新規な化合物半導体単結晶の製造方法の提供。 - 特許庁

Thereby, a local dislocation occurs at the crystal face whereto the filament reaches, and the induced structures each having optical anisotropy can be manufactured periodically at the inside of the single crystal.例文帳に追加

これによって、フィラメントが到達した結晶面が局所転位を起こし、単結晶内部に光学異方性を有する誘起構造を周期的に作製することができる。 - 特許庁

A GaN single crystal 20 is grown by the flux method using a GaN substrate 10 having a crystal dislocation density higher than that of a semiconductor crystal to be grown.例文帳に追加

結晶転位密度が成長させる半導体結晶よりも高いＧａＮ基板１０を用いて、フラックス法でＧａＮ単結晶２０を結晶成長させる。 - 特許庁

Further, in the case of LD, a mask is formed such that openings are not arranged only in a single direction successively while a part not having a dislocation density is formed in a stripe shape.例文帳に追加

また、ＬＤにする場合には、ストライプ状に転位密度の存在しない部分を作りながら、単一方向のみに連続する開口部としないようにマスクを形成する。 - 特許庁

The GaN layer 15 is grown to overlie an InGaN/ZnO compound substrate having the InGaN layer 14 which is grown while lattice matching with the ZnO single crystal substrate 11 having a small dislocation density, thereby the threading dislocation of the GaN layer 15 is reduced sharply.例文帳に追加

転位密度の小さいＺｎＯ単結晶基板１１に格子整合して成長されたＩｎＧａＮ層１４を有するＩｎＧａＮ／ＺｎＯ複合基板を下地としてＧａＮ層１５が成長されているので、ＧａＮ層１５の貫通転位密度が大幅に低減されている。 - 特許庁

In particular, the non dislocation rate of the single crystal rod can be heightened, provided that the height of the solid-liquid interface is controlled in the range of -12.5-5% for a diameter of the cylindrical part of the single crystal rod.例文帳に追加

特に、固液界面の高さが、単結晶棒の直胴部の直径に対して−１２．５％〜５％の範囲となるように固液界面の高さを制御すると、単結晶棒の無転位化率を高くすることができる。 - 特許庁

To provide a method for producing a quartz glass crucible without any bubbles in a silicon single crystal and any dislocation, obtaining a high signal crystal ratio and having a high crucible production yield by carrying out a single crystal pulling.例文帳に追加

単結晶引上げを行っても、引上げられるシリコン単結晶中に気泡の取込みがなく、有転位化が発生せず、高単結晶化率が得られるルツボ製造歩留のよい石英ガラスルツボの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a compound semiconductor single crystal which makes the single crystal having excellent crystallinity obtainable by decreasing the dislocation density in a grown crystal and eliminating the stress from a seed crystal.例文帳に追加

成長結晶中の転位密度を減少させるとともに種結晶からの応力をなくすことにより結晶性に優れた単結晶を得られるようにした化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a single crystal by which the propagation of dislocations included in a single crystal substrate to a growing layer on the substrate can be suppressed and the occurrence of a new dislocation in the growing layer can be suppressed.例文帳に追加

単結晶の基板に含まれる転位が、基板上の成長層へ伝播することを抑えることができ、また成長層での新たな転位の発生を抑制することができる単結晶の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a gallium nitride single crystal substrate having small crystal defect density and a large surface area from a gallium nitride single crystal layer laminated on the surface of silicon (Si) single crystal used as a substrate and having low dislocation density, excellent crystal quality and a large diameter and to provide the gallium nitride single crystal substrate manufactured by the same method.例文帳に追加

転位密度が低く結晶品質に優れ、且つ大口径の珪素（Ｓｉ）単結晶を基板として利用し、その表面上に積層した窒化ガリウム単結晶層から結晶欠陥密度の小さい大面積の窒化ガリウム単結晶基板を製造する方法とその方法により製造された窒化ガリウム単結晶基板を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a single crystal which does not give a heavy load to an apparatus even when a material charge into a crucible is excessive, can suppress the occurrence of dislocation, and can improve the yield and productivity, in the method for manufacturing a single crystal by using a single crystal pulling apparatus for pulling the single crystal from a crucible by the Czochralski method.例文帳に追加

チョクラルスキー法によってルツボから単結晶を引上げる単結晶引上装置を用いた単結晶の製造方法において、ルツボのチャージ量が多い場合であっても、装置に対し大きな負荷を与えることなく有転位化を抑制し、歩留まりと生産性を向上することのできる単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method includes storing a silicon melt 15 in a crucible 13 housed in a chamber 12, dipping a seed crystal 25 in the silicon melt 15, and pulling a silicon single crystal 11 while rotating the seed crystal, the silicon single crystal 11 free from formation of COP (Crystal Originated Particle) and dislocation clusters.例文帳に追加

チャンバ１２に収容されたるつぼ１３にシリコン融液１５を貯留し、このシリコン融液１５に種結晶２５を浸漬して回転させながらＣＯＰ（Crystal Originated Particle）及び転位クラスタを形成させないシリコン単結晶１１を引上げる。 - 特許庁

To provide a method for producing a single crystal by which dispersion in resistivity to crystal length is suppressed small, a single crystal having a high dislocation-free rate is obtained, consumption of an inert gas is not increased and operation time is not elongated.例文帳に追加

結晶長に対する抵抗率のばらつきを小さく抑え、無転位化率の高い単結晶を得ると共に、不活性ガスの消費量が増加することなく、且つ、操業時間が長時間化することのない単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an apparatus and method for pulling a single crystal which can pull up the single crystal having a stable product quality by alternatively forming an expanded diameter part and reduced diameter part at a neck part, and preventing dislocation from a seed crystal to a straight body part.例文帳に追加

ネック部に拡径部と縮径部とを交互に形成して、品質の安定した単結晶を引き上げ可能とし、且つ、種結晶から直胴部への転位化を防止することのできる単結晶引上装置及び単結晶引上げ方法を提供する。 - 特許庁

The GaAs single crystal has ≤20,000 cm^-2 average dislocation density and no crystallized particles having ≥1 μm particle diameter which cause IR scattering.例文帳に追加

ＧａＡｓ単結晶は、２００００ｃｍ^-2以下の平均転位密度を有し、赤外線散乱原因となる粒径１μｍ以上の析出粒子を含んでいないことを特徴としている。 - 特許庁

To provide a low dislocation density nitride semiconductor substrate excellent in cleavability, and to provide a nitride semiconductor laser element capable of a single mode with the main laser beam FFP free of ripples.例文帳に追加

劈開性に優れた低転位の窒化物半導体基板、主レーザ光のＦＦＰにリップルの乗らない良好な単一モードとなる窒化物半導体レーザ素子を提供することである。 - 特許庁

Thereby, the propagation of the dislocation from the seed crystal to the growing crystal side can be suppressed and the high quality compound semiconductor single crystal can be obtained in a good yield.例文帳に追加

これによって、後述するように種結晶から成長結晶側への転位の伝搬が抑制され、高品位の化合物半導体単結晶を歩留り良く得ることができる。 - 特許庁

To suppress vibration of the liquid surface caused in the vicinity of a melt line when a silicon single crystal is pulled and to produce a crucible providing a good DF (dislocation-free) rate even when it is used for pulling the crystal for a long time.例文帳に追加

シリコン単結晶引き上げ時において、メルトライン付近で発生する液面振動を少なくし、かつ長時間引き上げでもDF化率が良いルツボをつくることを目的とする。 - 特許庁

To produce a silicon single crystal of which oxygen concentration distribution in both the direction of crystal growth and the crystal plane can be uniformly controlled and in which the occurrence of a dislocation can be prevented.例文帳に追加

結晶成長方向の酸素濃度分布および結晶面内の酸素濃度分布を均一に制御するとともに、有転位化を防止できるシリコン単結晶を製造できる。 - 特許庁

To provide a quartz glass crucible with which the occurrence of dislocation of a silicon single crystal in producing the silicon single crystal is avoided, which has high heat resistance, and with which lowering of productivity and a yield is suppressed, and a method for manufacturing the same, and to provide a method for producing the silicon single crystal, in which the quartz glass crucible is used.例文帳に追加

シリコン単結晶を製造する際のシリコン単結晶の有転位化を回避し、かつ、高い耐熱性を有し、生産性、歩留まりの低下を抑制することができる石英ガラスルツボ及びその製造方法、並びにそのような石英ガラスルツボを用いたシリコン単結晶の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a single crystal by which productivity and yield are improved and manufacturing cost of the single crystal is decreased, by solving the problem of causing dislocation which has become conspicuous especially in a large diameter nitrogen-doped crystal and a low resistivity crystal, and effectively manufacturing the single crystal of high quality.例文帳に追加

大直径の窒素ドープ結晶や低抵抗率結晶などで特に顕著になってきている、有転位化の問題を解消し、高品質の単結晶を効率良く製造することで、これらの生産性や歩留りを改善して単結晶製造のコストを下げることができる単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a quartz glass crucible capable of avoiding dislocation of a silicon single crystal during production of the silicon single crystal, having high heat resistance, and suppressing decrease in productivity and yield, a method for producing the same, and a method for producing a silicon single crystal using the quartz glass crucible.例文帳に追加

シリコン単結晶を製造する際のシリコン単結晶の有転位化を回避し、かつ、高い耐熱性を有し、生産性、歩留まりの低下を抑制することができる石英ガラスルツボ及びその製造方法、並びにそのような石英ガラスルツボを用いたシリコン単結晶の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a process for manufacturing an epitaxial single-crystal silicon carbide substrate capable of preventing basal plane dislocation contained in a single-crystal silicon carbide substrate from being continued in an epitaxial membrane to form a high quality epitaxial membrane, and an epitaxial single-crystal silicon carbide substrate obtained thereby.例文帳に追加

炭化珪素単結晶基板に含まれる基底面転位がエピタキシャル膜に引き継がれるのを抑制して、高品質のエピタキシャル膜を成膜することができるエピタキシャル炭化珪素単結晶基板の製造方法を提供し、また、これにより得られたエピタキシャル炭化珪素単結晶基板を提供する。 - 特許庁

To provide a Zn-doped GaAs single crystal wafer which has a suppressed average dislocation density nearly equal to that of a silicon dope-type wafer, and thereby, can be used as a substrate for semiconductor laser for an optical pick-up, or the like.例文帳に追加

シリコンドープ型ウエハ並みに平均転位密度を低く抑制し、これによって光ピックアップ用半導体レーザの基板等への適用を可能にしたＺｎドープＧａＡｓ単結晶ウエハを提供する。 - 特許庁

The BaTiO_3-PbTiO_3 based single crystal has 10^2-10^6 grain/cm^2 dislocation density, 1-5 vol.% pore content and ≥1 mm^3 volume.例文帳に追加

本発明のＢａＴｉＯ_3 −ＰｂＴｉＯ_3 系単結晶は、転位密度が１０^2 〜１０^6 個／ｃｍ^2 、気孔含有量が１体積ｐｐｍ〜５体積％の範囲にあり、１ｍｍ^3 以上の体積を有する。 - 特許庁

To provide a method for forming a shoulder, by which the occurrence of dislocation is suppressed in a step of forming the shoulder and yield and productivity can be increased when growing a silicon single crystal by CZ method.例文帳に追加

ＣＺ法によりシリコン単結晶を育成するに際し、肩形成工程での有転位化を抑制して歩留りを向上させ、生産性を高めることができる肩形成方法を提供する。 - 特許庁

In this case, a dislocation defect density existing in an interface between at least any one of the first and second Fe(001) layers and the single crystal MgO(001) is 25-50 pcs./μm or low.例文帳に追加

この際、第１あるいは第２のうち少なくともいずれか一方のＦｅ（００１）層と単結晶ＭｇＯ（００１）との間の界面に存在する転位欠陥の密度が２５〜５０個／μｍ以下である。 - 特許庁

To provide a charge transfer device that can improve lowering of transfer efficiency of signal charge due to the dislocation of a barrier region in a CCD with a single-layer electrode structure, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

本発明は、単層電極構造のＣＣＤにおいて、バリア領域の位置ずれによって信号電荷の転送効率が悪化するのを改善できるようにすることを最も主要な特徴としている。 - 特許庁

To provide a method for growing a high-quality single crystal having a large diameter and long length, capable of collecting a wafer having grown-in defects such as metastasis dislocation cluster and infrared scatter reduced as much as possible by a CZ method.例文帳に追加

ＣＺ法にて転位クラスターや赤外線散乱体のようなGrown-in欠陥を、できるだけ少なくしたウェーハを採取できる、径の大きい長尺の高品質単結晶の育成方法の提供。 - 特許庁

To provide a washing device capable of efficiently and surely removing an adhering substance adhered at a wire for pulling a single crystal and capable of preventing the occurrence of dislocation resulted from the adhering substance.例文帳に追加

単結晶引き上げ用ワイヤに付着した付着物を効率良く、確実に除去することができ、その付着物に起因する有転位化の発生を防止することができる洗浄装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a highly doped semiconductor wafer whereby the dislocation-free semiconductor wafer with a small specific resistance is manufactured by using smaller amounts of doping agents compared to the amount used when using a single doping agent.例文帳に追加

高度にドープされた半導体ウェハを製造する方法であって、単一のドープ剤を使用する場合よりも少量のドープ剤で、比抵抗の小さな、転位のない半導体ウェハを製造する。 - 特許庁

To provide a method for growing a silicon carbide single crystal of high quality which is free from the occurrence of micropipes, almost free from dislocation densities such as screw dislocations and edge dislocations, and free from mixing of different orientation crystals.例文帳に追加

マイクロパイプの発生がなく、らせん転位や刃上転位などの転位密度が極めて少なく、かつ、異方位結晶の混入のない高品質な炭化珪素単結晶の成長方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for growing a high-quality single crystal capable of providing a wafer having minimized Grown-in defects such as dislocation clusters and infrared scatterers, and having a large diameter and a long length by a CZ(Czochralski) method.例文帳に追加

ＣＺ法にて転位クラスターや赤外線散乱体のようなGrown-in欠陥を、できるだけ少なくしたウェーハを採取できる大径長尺の高品質単結晶の育成方法の提供。 - 特許庁

To provide a crystal defect inspection method and a crystal defect inspection apparatus capable of detecting the positions of dislocation and lamination defects precisely and speedily with high sensitivity, when inspecting the in-plane distribution of dislocation and lamination defects existing in the epitaxial film of a silicon carbide single-crystal wafer for manufacturing a semiconductor element by an electroluminescence method.例文帳に追加

エレクトロルミネッセンス法により半導体素子製造用の炭化珪素単結晶ウェハのエピタキシャル膜に存在する転位や積層欠陥の面内分布を検査する際に、転位や積層欠陥の位置を高感度かつ高精度で、さらに高速で検出可能な結晶欠陥検査方法および装置を提供する。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for producing a single crystal capable of improving cooling capacity of a cooling cylinder without generating solidification or dislocation on the melt surface, heightening pulling speed at a production time of a defect-free single crystal, thereby improving productively and the yield of the single crystal, and suppressing power consumption.例文帳に追加

融液表面における固化や有転位化を生じさせることなく冷却筒の冷却能力を向上させ、無欠陥の単結晶製造時における引上げ速度を高速度とし、それによって単結晶の生産性及び歩留まりを向上させ、かつ消費電力を抑制することができる単結晶の製造装置及び製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor substrate 10 has a single crystal silicon substrate 11, a dislocation layer 12 formed in a surface region excluding the outermost surface of the single crystal silicon substrate 11, a buffer layer 13 formed on the outermost surface of the single crystal silicon substrate 11, and a gallium nitride layer 14 formed on the surface of the buffer layer 13.例文帳に追加

半導体基板１０は、単結晶シリコン基板１１と、前記単結晶シリコン基板１１の最表面を除く表層領域に形成された転位層１２と、前記単結晶シリコン基板１１の前記最表面に形成されたバッファ層１３と、前記バッファ層１３の表面に形成された窒化ガリウム層１４とを備えている。 - 特許庁

Thereby, the length L from a position D where dislocation generation occurred to the lower end of the tail part 9c can be shortened, the thermal stress remaining in the silicon single crystal 9 can be alleviated, and the generation of cracks causing fracture and rupture of a silicon single crystal 9 can be prevented.例文帳に追加

これにより、有転位化の発生位置Ｄからテイル部９ｃの下端までの長さＬが短くでき、シリコン単結晶９内に残留する熱応力の緩和が図れ、シリコン単結晶９の破断や破裂を引き起こす亀裂の発生を防止することができる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a compound semiconductor capable of largely improving a yield of a compound semiconductor single crystal with good quality and less crystal defect such as dislocation in the manufacturing method of the compound semiconductor single crystal such as GaAs by a liquid sealing Czochralski method.例文帳に追加

液体封止チョクラルスキー法によるＧａＡｓ等の化合物半導体単結晶の製造方法において、転位等の結晶欠陥の少ない良質な化合物半導体単結晶の収率を大幅に向上させる化合物半導体の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for confirming a position where OSF or a nucleus of the OSF hard to be detected is present in the case of a silicon single crystal containing oxygen in low concentration and a method for detecting a dislocation cluster, and to improve the quality of the silicon single crystal by utilizing these methods.例文帳に追加

低酸素濃度のシリコン単結晶の場合に検出されにくいＯＳＦあるいはＯＳＦの核が存在している位置を確認する方法と、併せて転位クラスタを検出する方法を提供し、さらなるシリコン単結晶の高品質化を図ることを主目的とする。 - 特許庁

To provide a method for growing a silicon single crystal capable of preventing the occurrence of a dislocation with the movement to the straight body part and simultaneously removing an overhang at the upper end part of the straight body part, in growing a silicon single crystal having a specific resistance of 0.02 Ωcm or less by a CZ (Czochralski) method.例文帳に追加

比抵抗が０．０２Ωｃｍ以下であるシリコン単結晶をＣＺ法で育成するに際し、直胴部への移行に伴い転位の発生を防止し、同時に、直胴部の上端部分の張り出しをなくすことができるシリコン単結晶の育成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of evaluating an epitaxial wafer that quantitatively and easily evaluates misfit dislocation occurring between a single-crystal substrate such as a silicon wafer and a single-crystal thin film formed by vapor-phase growth thereupon, and to provide a method for manufacturing the epitaxial wafer using the same.例文帳に追加

シリコンウェーハ等の単結晶基板とその上に気相成長させた単結晶薄膜との間に発生するミスフィット転位を、定量的で高感度、且つ簡便に評価するためのエピタキシャルウェーハの評価方法と、それを利用したエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

In the outer shell preceding type tunnel method, the outer peripheral surface of a spherical washer 5 is formed into a freely rotatable sphere at an angle θ equivalent to a positional dislocation of the steel shell main girder 2 of each adjacent single body shield K.例文帳に追加

外殻先行トンネル工法において、球形状ワッシャー５の外周面５ｂは、隣接する単体シールドＫの鋼殻主桁２の位置ずれに相当する角度θに回転自在な球形状に形成する。 - 特許庁