slow-mosとは 意味・読み方・使い方

To restrain a MOS transistor from varying in threshold voltage in long-term service by a method wherein the MOS transistor is improved in slow trap characteristics restraining a lack of uniformity in threshold voltage due to reduction in a short channel characteristics.例文帳に追加

短チャネル特性の低下による閾値電圧のばらつきを抑えつつＭＯＳトランジスタのスロートラップ特性を向上させ、長期使用時におけるトランジスタの閾値電圧の変動を抑えること。 - 特許庁

Drive capability of the N-type MOS transistor 12 is set to be about 1/50 that of an N-type MOS transistor 13, and the time for forcing the P-type well to the reference voltage Vss is made to be slow and gradual.例文帳に追加

このＮ−ＭＯＳトランジスタ１２は、その駆動能力が、Ｎ−ＭＯＳトランジスタ１３の５０分の１程度に設定されており、Ｐ−ウェルを基準電圧Ｖssヘフォースさせる時間をゆっくりと緩慢にさせる。 - 特許庁

Reset output signals are also determined by the DC voltage characteristics of the MOS transistors P1 and N1, so that the reset output signals can be generated, even if a power supply voltage is built up slow.例文帳に追加

リセット出力信号はＭＯＳトランジスタＰ１、Ｎ１のＤＣ的な電圧特性でも決まり電源電圧の立ち上がりが遅い場合でも確実にリセット出力信号が生成できる。 - 特許庁

According to this operation, the Vgs of a constant current supply MOS transistor for the amplifier circuit block 2 becomes minimum in the amplifier circuit 24 nearest to the bias generating circuit 1 whereby the speed of response of other amplifier circuits 21-23 will not become slow when the circuit is designed based on the reference of the amplifier circuit 24.例文帳に追加

このため、アンプ回路ブロック２の定電流源ＭＯＳトランジスタのＶｇｓもバイアス発生回路１に最も近いアンプ回路２４が最も小さくなり、このアンプ回路２４を基準に設計すると、他のアンプ回路２１乃至２３の応答速度が遅くなることはない。 - 特許庁

This new method for forming a MOS structure having a GaAs base 140 includes the steps of ion implanting after formation of an oxide and thereafter performing slow heating and cooling operations, in such a manner that an interface defect detectable by a high-resolution transmission electron microscope essentially will not be generated.例文帳に追加

ＧａＡｓを基本とするＭＯＳ構造を形成する新しい方法は、酸化物形成後のイオン注入及び高分解透過電子顕微鏡によって検出できる界面欠陥が本質的に形成されないように行われるその後のゆっくりした加熱及び冷却を含む。 - 特許庁