ＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ）素子が形成されたシリコン基板１１とその上層に形成されたゲート絶縁膜１２とを下地層として、その上層に有機ＳＯＧ（Spin On Glass ）膜１３等からなる絶縁層が堆積され、その絶縁層に溝１５を形成する。 - 特許庁

To provide a deposition method for forming a silicon-containing insulating film that differs from conventional spin-on-glass(SOG) and fluorinated-silicon- oxide(FSG) films, and a semiconductor device.例文帳に追加

従来例に係るＳＯＧ（ｓｐｉｎｏｎｇｒａｓｓ）膜やＦＳＧ（ｆｌｕｏｒｉｎａｔｅｄｓｉｌｉｃｏｎｏｘｉｄｅ）膜とは異なる新規なシリコン含有絶縁膜を成膜する成膜方法、及び半導体装置を提供すること。 - 特許庁

To form a coating film more flat, with respect to the coating method of the coating liquid to apply the coating liquid, such as resist, SOG (spin-on-glass), polyimide or the like, on a substrate, such as a semiconductor substrate, a photo mask, an LCD (liquid crystal display) substrate.例文帳に追加

半導体基板、フォトマスク、ＬＣＤ基板等の基板上にレジスト、ＳＯＧ、ポリイミド等の塗布液を塗布するための塗布液の塗布方法について、塗布膜をより平坦に形成すること。 - 特許庁

To provide a method with which a new silicon-containing insulating film, which is different from the SOG (spin-on-glass) film and FSG (fluorinated silicon oxide) film formed in the conventional example, can be formed and a semiconductor device.例文帳に追加

従来例に係るＳＯＧ（ｓｐｉｎｏｎｇlａｓｓ）膜やＦＳＧ（ｆｌｕｏｒｉｎａｔｅｄｓｉｌｉｃｏｎｏｘｉｄｅ）膜とは異なる新規なシリコン含有絶縁膜を成膜する成膜方法、及び半導体装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device constituted so that a SOG (spin on glass) film is used in an element isolation region, and the degradation of junction leak characteristics due to formation of dislocation in an active region is suppressed when forming a transistor employing a LDD (Lightly doped drain), and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

素子分離領域にＳＯＧ（ｓｐｉｎｏｎｇｌａｓｓ）膜を用いる構成で、ＬＤＤ（ｌｉｇｈｔｌｙｄｏｐｅｄｄｒａｉｎ）構造を採用するトランジスタを形成する場合に、活性領域に転位が形成されて接合リーク特性が悪化するのを抑制することができる構成の半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

例文

To provide an absorbable spin-on glass anti-reflection film and lithography material that a) can absorb a light strongly and evenly in a region of ultraviolet light, b) does not "collapse" a resist material or run off an intended resist line, and c) does not react photoresist developer in a manufacturing process of an SOG anti-reflection film to develop manufacture of layered materials, electronic components, and semiconductor components.例文帳に追加

ａ）紫外光域において強力かつ均一に吸光し、ｂ）レジスト材料を「崩れ」させたり、意図したレジストラインよりはみ出ることのない、ｃ）フォトレジスト現像剤および上記のＳＯＧ反射防止膜の製造工程に対して感応することのない、吸収性スピンオンガラス反射防止膜およびリソグラフィー材料が、層状材料、電子部品、および半導体部品の製造を発展させるために望まれている。 - 特許庁

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