system on siliconとは 意味・読み方・使い方

The detecting system comprises a plurality of detectors formed on a single silicon substrate.例文帳に追加

検出系は単一のシリコン基板に形成される複数の検出器を含む。 - 特許庁

A trialkoxysilane is produced by removing oxide formed on the surface of silicon, bringing the silicon in contact with a copper compound, heat-treating the system and performing a vapor-phase reaction of the silicon with an alcohol.例文帳に追加

シリコンの表面に形成された酸化物の除去を行い、シリコンと銅化合物とを接触させて熱処理を施し、シリコンとアルコールとを気相反応させてトリアルコキシシランを製造する。 - 特許庁

On the silicon system substrate 2, a nitride system semiconductor layer 3 is formed as composed of nitride system chemical compound.例文帳に追加

シリコン系基板２上には、窒化物系化合物から構成された窒化物系半導体層３が形成されている。 - 特許庁

To provide silicon carbide particles containing ≥20% of silicon carbide whose crystal system is 2H phase and having shape anisotropy, and a method for producing silicon carbide particles inexpensively producing the silicon carbide particles on an industrial scale.例文帳に追加

結晶系が２Ｈ相である炭化ケイ素を２０％以上含み、形状異方性を有する炭化ケイ素粒子、および、この炭化ケイ素粒子を工業的規模で安価に製造することが可能な炭化ケイ素粒子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The thin film production system is provided with: a step where silicon-containing process gas is fed from a first gas feed part so that a silicon-containing film is deposited on a substrate using the silicon-containing process gas in a reaction chamber; and a step where an exhaust pump exhausts the silicon-containing process gas from the reaction chamber.例文帳に追加

反応室において、シリコン含有プロセスガスを用いて基板上にシリコン含有膜が形成されるように、第１ガス供給部からシリコン含有プロセスガスを供給するステップと、排気ポンプが、前記反応室から前記シリコン含有プロセスガスを排気するステップとを具備する。 - 特許庁

The silicon ring is arranged on the periphery of a wafer on the side of an electrode for mounting the wafer in a plasma treating system, provided with a power supply section and has self-heating function, and the plasma treating system is provided with the silicon ring.例文帳に追加

プラズマ処理装置内のウェーハを載置する電極側で、ウエーハの周辺に配置されるシリコンリングであって、給電部が設けられ、自己発熱する機能を有するシリコンリングおよび該リングを備えたプラズマ処理装置。 - 特許庁

A support part 2 is erected on a silicon substrate 1 by an MEMS (Micro Electro-mechanical System) technology, and at a tip end of the support part 2, a plate-like magnetic body 3 is provided put in parallel with the surface of the silicon substrate 1.例文帳に追加

シリコン基板１にＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System）技術により支持部２が立設され、支持部２の先端面には、シリコン基板１の表面に平行させて板状の磁性体３が設けられている。 - 特許庁

Disclosed is the polarization correcting element (PCE) for a liquid crystal, for example, LCoS (Liquid Crystal on Silicon) display system manufactured by using a linear photopolymerization type polymer (LPP) aligning a photopolymerization type liquid crystal polymer (LCP) film.例文帳に追加

本発明は、光重合型液晶ポリマー（ＬＣＰ）フィルムを配向する直線光重合型ポリマー（ＬＰＰ）を使用して製造される液晶、例えばＬＣｏＳ（Liquid Crystal on Silicon）表示システム用の偏光補正素子（ＰＣＥ）に関する。 - 特許庁