「system on silicon」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The thin film production system is constituted in such a manner that a silicon-containing film is deposited on a substrate using silicon-containing process gas from a first gas feed part in a reaction chamber.例文帳に追加

反応室において、第１ガス供給部からのシリコン含有プロセスガスを用いて基板上にシリコン含有膜が形成される。 - 特許庁

In the piezoelectric device 1 which is an MEMS (MicroElectro Mechanical System) device, a whole of silicon layer 14 of SOI (Silicon On Insulator) substrate 11 is made as a p type region.例文帳に追加

ＭＥＭＳデバイスである圧電デバイス１において、ＳＯＩ基板１１のシリコン層１４全体をｐ型領域とする。 - 特許庁

The detecting system comprises a plurality of detectors formed on a single silicon substrate.例文帳に追加

検出系は単一のシリコン基板に形成される複数の検出器を含む。 - 特許庁

A trialkoxysilane is produced by removing oxide formed on the surface of silicon, bringing the silicon in contact with a copper compound, heat-treating the system and performing a vapor-phase reaction of the silicon with an alcohol.例文帳に追加

シリコンの表面に形成された酸化物の除去を行い、シリコンと銅化合物とを接触させて熱処理を施し、シリコンとアルコールとを気相反応させてトリアルコキシシランを製造する。 - 特許庁

On the silicon system substrate 2, a nitride system semiconductor layer 3 is formed as composed of nitride system chemical compound.例文帳に追加

シリコン系基板２上には、窒化物系化合物から構成された窒化物系半導体層３が形成されている。 - 特許庁

To provide silicon carbide particles containing ≥20% of silicon carbide whose crystal system is 2H phase and having shape anisotropy, and a method for producing silicon carbide particles inexpensively producing the silicon carbide particles on an industrial scale.例文帳に追加

結晶系が２Ｈ相である炭化ケイ素を２０％以上含み、形状異方性を有する炭化ケイ素粒子、および、この炭化ケイ素粒子を工業的規模で安価に製造することが可能な炭化ケイ素粒子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The thin film production system is provided with: a step where silicon-containing process gas is fed from a first gas feed part so that a silicon-containing film is deposited on a substrate using the silicon-containing process gas in a reaction chamber; and a step where an exhaust pump exhausts the silicon-containing process gas from the reaction chamber.例文帳に追加

反応室において、シリコン含有プロセスガスを用いて基板上にシリコン含有膜が形成されるように、第１ガス供給部からシリコン含有プロセスガスを供給するステップと、排気ポンプが、前記反応室から前記シリコン含有プロセスガスを排気するステップとを具備する。 - 特許庁

The silicon ring is arranged on the periphery of a wafer on the side of an electrode for mounting the wafer in a plasma treating system, provided with a power supply section and has self-heating function, and the plasma treating system is provided with the silicon ring.例文帳に追加

プラズマ処理装置内のウェーハを載置する電極側で、ウエーハの周辺に配置されるシリコンリングであって、給電部が設けられ、自己発熱する機能を有するシリコンリングおよび該リングを備えたプラズマ処理装置。 - 特許庁

A support part 2 is erected on a silicon substrate 1 by an MEMS (Micro Electro-mechanical System) technology, and at a tip end of the support part 2, a plate-like magnetic body 3 is provided put in parallel with the surface of the silicon substrate 1.例文帳に追加

シリコン基板１にＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System）技術により支持部２が立設され、支持部２の先端面には、シリコン基板１の表面に平行させて板状の磁性体３が設けられている。 - 特許庁

Disclosed is the polarization correcting element (PCE) for a liquid crystal, for example, LCoS (Liquid Crystal on Silicon) display system manufactured by using a linear photopolymerization type polymer (LPP) aligning a photopolymerization type liquid crystal polymer (LCP) film.例文帳に追加

本発明は、光重合型液晶ポリマー（ＬＣＰ）フィルムを配向する直線光重合型ポリマー（ＬＰＰ）を使用して製造される液晶、例えばＬＣｏＳ（Liquid Crystal on Silicon）表示システム用の偏光補正素子（ＰＣＥ）に関する。 - 特許庁

In the nitriding system 21, NH_3 gas is dissociated with the exciting energy of the UV-rays and caused to react on the silicon wafer 22 thus forming an SiN film usable as an insulation film on the surface of the silicon wafer 22.例文帳に追加

窒化装置２１では、紫外線の励起エネルギによってＮＨ_3ガスを解離してシリコンウェハ２２と反応させ、シリコンウェハ２２の表面に絶縁膜として使用可能なＳｉＮ膜を生成することができる。 - 特許庁

Since the silicon germanium layer 15 is not formed on the peripheral portion 11b, a transfer system can be prevented from contacting the silicon germanium layer 15 causing contamination, although it contacts the peripheral portion 11b.例文帳に追加

周辺部１１ｂにシリコンゲルマニウム層１５を成膜させないことから、搬送系と周辺部１１ｂとが接触したとしても、汚染の原因であるシリコンゲルマニウム層１５と接触することが抑えられる。 - 特許庁

To provide a deposition system of silicon carbide films which deposits an epitaxial film accurately and quickly at a minimum required volume of gas in depositing the epitaxial film comprising a silicon carbide (SiC) on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上に炭化珪素（ＳｉＣ）からなるエピタキシャル膜を成膜するにあたり、該エピタキシャル膜を必要最小限のガス量にて精度よく、しかも迅速に成膜することのできる炭化珪素膜の成膜装置を提供する。 - 特許庁

A silicon substrate of a silicon substrate optical system used on the interference type optical fiber gyroscope (IFOG) is etched so as to accept optical components.例文帳に追加

干渉型光ファイバジャイロスコープ（ＩＦＯＧ）で使用するシリコン基板光学システムのシリコン基板は、光学部品を受け入れるようにエッチングされる。 - 特許庁

The vapor phase growth system 100 is used to heat both surfaces of the single crystal silicon substrate W of a diameter of 300 mm or more and to grow in vapor phase a silicon epitaxial layer on the main surface thereof.例文帳に追加

気相成長装置１００は、直径３００ｍｍ以上のシリコン単結晶基板Ｗを両面から加熱しつつシリコン単結晶基板Ｗの主表面上にシリコンエピタキシャル層を気相成長させる装置である。 - 特許庁

To provide a gas barrier film on which is deposited a silicon nitride film having excellent gas barrier properties and excellent adhesiveness with a substrate, and to provide a method and a system for depositing the silicon nitride film.例文帳に追加

優れたガスバリア性のみならず、基板との密着性にも優れる窒化ケイ素膜を成膜してなるガスバリアフィルム、ならびに、その成膜方法および装置を提供する。 - 特許庁

Silicon system sealing materials 3 with a silicon polymer as a main component are applied to a surface of metal 1, and an IC tag 5 is loaded on the sealing materials 3 to be attached in such a state that the sealing materials 3 are not hardened.例文帳に追加

金属１表面上に、シリコーンポリマーを主成分とするシリコーン系のシーリング材３を塗布し、シーリング材３が未硬化の状態でシーリング材３上にＩＣタグ５を載せて貼付する。 - 特許庁

METHOD OF FORMING RECESS ON SILICON SUBSTRATE BY ANISOTROPIC ETCHING AND METHOD OF USING PLASMA ETCHING SYSTEM例文帳に追加

シリコン基板に凹部を異方性エッチングにより形成する方法およびプラズマエッチングシステムの使用方法 - 特許庁

On the lower surface of the silicon system substrate 2, a lower electrode 6 is formed as electrically connected to the anode electrode 4.例文帳に追加

シリコン系基板２の下面には、アノード電極４と電気的に接続された下部電極６が形成されている。 - 特許庁

Laser beams which have passed an optical system using a phase randomizer are irradiated on a silicon film, thereby decreasing variations of the film quality.例文帳に追加

位相ランダマイザーを用いた光学系を通したレーザー光をシリコン膜に照射することにより、膜質のバラツキを低減する。 - 特許庁

To provide an SiGe etch-stop material system on a monocrystalline silicon substrate useful for aqueous anisotropic etchants.例文帳に追加

水性異方性エッチング剤に対して有用な、シリコン基板上のＳｉＧｅエッチング停止構造物を提供する。 - 特許庁

A silicon area required on a chip can considerably be reduced by decreasing number of required gates in this system and method.例文帳に追加

本システムおよび方法は所要ゲート数を低減することによりチップ上に必要なシリコンエリアを著しく低減する。 - 特許庁

POLYCRYSTALLINE SILICON THIN FILM, ITS MANUFACTURING METHOD, THIN FILM TRANSISTOR, LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND SYSTEM ON PANEL例文帳に追加

多結晶シリコン薄膜、その製造方法、薄膜トランジスタ、液晶表示装置およびシステムオンパネル - 特許庁

A treatment apparatus including a treatment system for forming a silicon containing film on the substrate using the HCD treatment gas is provided.例文帳に追加

ＨＣＤ処理ガスを使用してシリコン含有膜を基板上に形成するための処理システムを含んでいる処理装置が提供される。 - 特許庁

A method for preparing an environmental barrier coating system (14) on the substrate (12) formed of the silicon-comprising material is also disclosed.例文帳に追加

ケイ素含有材料からなる基材（１２）上に環境バリヤーコーティング系（１４）を設けるための方法も開示される。 - 特許庁

To provide a radio communication system to mount a Gaussian monocycle pulse generating circuit on a silicon semiconductor integrated circuit in a monolithic manner.例文帳に追加

シリコン半導体集積回路にモノリシックにガウシアン・モノサイクル・パルス発生回路を搭載する。 - 特許庁

Since hydrogen included in the polycrystalline silicon resistance layer 14a is uniformly absorbed by the Ti films 18a and 18b, the dispersion of the resistance value of the polycrystalline silicon resistance layer 14a due to hydrogen absorption from the polycrystalline silicon resistance layer 14a by a Ti system barrier metal film 26c formed on a second interlayer insulating film 24 above the polycrystalline silicon resistance layer 14a does not occur.例文帳に追加

従って、Ｔｉ膜１８ａ、１８ｂにより多結晶シリコン抵抗層１４ａに含有される水素は均一に吸収されるため、多結晶シリコン抵抗層１４ａ上方の第２層間絶縁膜２４上に形成されているＴｉ系バリヤメタル膜２６ｃによる多結晶シリコン抵抗層１４ａからの水素吸収に起因する多結晶シリコン抵抗層１４ａの抵抗値の変動は生じない。 - 特許庁

An optical waveguide path 2 is a quartz system optical waveguide path formed on a silicon substrate 1, and on the silicon substrate 1, an optical waveguide path 2 comprising a clad 2a and an optical waveguide core 2b is formed, and a mounting part 4 for mounting an optical element 5 on the silicon substrate 1 is formed by eliminating a part of the optical waveguide 2.例文帳に追加

光導波路２は、シリコン基板１上に形成した石英系光導波路であり、シリコン基板１上には、クラッド２ａと光導波路コア２ｂからなる光導波路２が形成されていて、その光導波路２の一部を取り除いて光素子５をシリコン基板１上に搭載する搭載部４が形成されている。 - 特許庁

First, a silicon oxide film is formed thicker than the groove with a bias system high density plasma CVD method to the groove formed on the silicon substrate 101, and thereafter a phosphorus-doped silicon oxide film 107 is deposited in another chamber with similar bias system high density plasma CVD method.例文帳に追加

シリコン基板１０１上に形成された溝１０４ａから１０４ｃに、最初、バイアス系高密度プラズマＣＶＤ法によりシリコン酸化膜１０６を溝の深さより厚く形成し、次いで、別チャンバーにおいて同様のバイアス系高密度プラズマＣＶＤ法によりリンドープシリコン酸化膜１０７を堆積する。 - 特許庁

The micro collimating lens system for optical communication comprises an optical fiber 20 which is aligned in a prescribed direction on a silicon substrate 10 and transmits an optical signal and at least two lenses 30, 40 aligned on the silicon substrate 10 so that the optical signal from the optical fiber 20 can be collimated at multiple stages.例文帳に追加

シリコン基板10に所定方向に整列されて、光信号を伝達する光ファイバー20と、この光ファイバー20からの光信号が多段階に視準されるようにシリコン基板10に整列される少なくとも二つのレンズ30,40とを含んで、光通信用超小型視準レンズシステムを構成する。 - 特許庁

The system has an integrated circuit 10 provided on a silicon substrate 1, a plurality of pad electrodes 21 to 24 that are provided on the silicon substrate 1 and are led out from the integrated circuit 10, and inspecting switch elements 31, 32 provided in the same chip as in the integrated circuit 10.例文帳に追加

シリコン基板１上に設けられた集積回路１０と、シリコン基板１上に設けられて集積回路１０から引き出された複数のパッド電極２１〜２４と、集積回路１０と同一チップ内に設けられた検査用のスイッチ素子３１、３２と、を備える。 - 特許庁

The plasma processing system comprises a processing chamber for forming a silicon nitride film on the surface of an article to be processed, having a silicon oxide film on a silicon substrate by plasma processing, a susceptor contained in the processing chamber and mounting the article to be processed, and a temperature regulator connected with the susceptor and sustaining the temperature thereof at about 250-350°C.例文帳に追加

本発明のプラズマ処理装置は、シリコン基板上にシリコン酸化膜を有する被処理体の表面にシリコン窒化膜をプラズマ処理によって形成する処理室と、処理室に収納されて被処理体を載置可能なサセプタと、サセプタに接続されてサセプタの温度を約２５０乃至約３５０℃に維持する温度調節装置とを有する。 - 特許庁

The nanochip array 14 is manufactured by integrally forming at least one carbon nanotube 16 on respective silicon microchips 42 so as to extend outward by forming a plurality of silicon microchips 42 by a microelectric machine system technology.例文帳に追加

ナノ・チップアレイ１４は、複数のシリコン・マイクロチップ４２を微小電気機械システム技術により形成し、各シリコン・マイクロチップ４２上に少なくも一つのカーボン・ナノチューブ１６を外側へ向かって伸延するように一体的に形成することによって製造される。 - 特許庁

This optical waveguide substrate is constituted by forming the optical waveguide of the organic system having a layer consisting of an organic optical material having a hydroxyl group or alkyl group as a lower clad layer 3 on the aluminum oxide substrate 1 via an intermediate layer 2 consisting of silicon nitride or silicon interposed therebetween.例文帳に追加

窒化アルミニウム基板１上に酸化珪素または珪素から成る中間層２を介在させて、水酸基またはアルキル基を有する有機系光学材料から成る層を下部クラッド層３とした有機系の光導波路を形成した光導波路基板である。 - 特許庁

The amount of metal adsorbed on a thin film in the amorphous silicon can be adjusted appropriately and finely, and contamination due to metal can be prevented although crystallization temperature is lowered in crystallizing silicon by a metal induced crystallization system.例文帳に追加

本発明によれば、非晶質シリコンの薄膜上に吸着される金属の量を適切に且つ微細に調節でき、金属誘導結晶化方式によるシリコンの結晶化時,結晶化温度を下げながらも金属による汚染が防止される。 - 特許庁

In a bonding system, two objects 91 and 92 to be bonded each having a bonding part PT1 composed of one of Au(gold), Cu(copper) and Al(aluminum) and a bonding part PT2 composed of one of one of Si(silicon), SiO_2(silicon dioxide) or glass on bonding surfaces thereof are bonded.例文帳に追加

この接合システムは、Ａｕ（金）、Ｃｕ（銅）およびＡｌ（アルミニウム）のいずれかで構成される接合部分ＰＴ１とＳｉ（シリコン）、ＳｉＯ_２（二酸化シリコン）およびガラスのいずれかで構成される接合部分ＰＴ２とをその接合表面にそれぞれ有する２つの被接合物９１，９２を接合する。 - 特許庁

To provide an MEMS (micro-electromechanical system) sensor in which a frame body part formed from a silicon wafer of an SOI (silicon on insulator) layer is fixed to a counter substrate while interposing a metal-bonded part between them and a protective insulation layer for covering the metal-bonded part can be formed faultlessly.例文帳に追加

ＳＯＩ層のシリコンウエハで形成された枠体部と対向基板とが金属結合部を介して固定されたＭＥＭＳセンサにおいて、金属結合部を覆う保護絶縁層を欠陥無く形成できるようにしたＭＥＭＳセンサを提供する。 - 特許庁

To provide a crystalline silicon film of high quality capable of depositing with high productivity even on the object to be film-deposited relatively low in heat resistance such as a low melting point glass substrate at a low temperature in which the thermal damage of the object can be suppressed and to provide a method for depositing the same crystalline silicon film and a system therefor.例文帳に追加

例えば低融点ガラス基板のような耐熱性の比較的低い被成膜物品上にも該物品の熱的損傷を抑制できる低温下で、生産性よく形成される良質の結晶性シリコン膜並びにそのような結晶性シリコン膜の形成方法及び装置を提供する。 - 特許庁

The shape of a crystallization laser in the width direction (minor axis direction) for reforming an a-Si film or a microcrystalline silicon film 104 on a substrate 101 into a band-shaped crystalline silicon film (SELAX crystalline silicon film) 105 is changed to have a profile asymmetrically tilted from a symmetrical Gaussian shape by combining four continuous oscillation lasers with an optical system.例文帳に追加

基板１０１上のa‐Ｓｉ膜あるいは微結晶シリコン膜１０４を帯状結晶シリコン膜（ＳＥＬＡＸ結晶シリコン膜）１０５に改質するための結晶化レーザの幅方向（短軸方向）形状を、４本の連続発振レーザを光学系で結合して左右対称のガウシアン形状から非対称に傾きを持ったプロファイルとする。 - 特許庁

The method of forming the silicon nitride film includes the steps of heating an interior of a reduced pressure CVD device to a temperature lower than 700 degrees, introducing raw material gas containing nitrogen and silane system gas, thereby forming a silicon nitride film 60 on a metal electrode; and thereafter changing the temperature to a temperature higher than 700 degrees and forming the silicon nitride film 70 again.例文帳に追加

シリコン窒化膜の形成方法は、減圧ＣＶＤ装置内を７００度よりも低い温度に加熱すると共に窒素を含む原料ガス及びシラン系ガスを導入して、金属電極上にシリコン窒化膜を形成する工程と、該工程の後、温度を７００度よりも高い温度に変更して再度シリコン窒化膜を形成する工程とを有する。 - 特許庁

A backside electrode 13 including a light reflecting metallic layer 131, and a silicon system thin film photoelectric conversion unit 14 including a monoconductive layer 141, a photoelectric conversion layer 142 constituted of a crystalline silicon system thin film, and a reverse conductive layer 143 which is formed on the backside electrode 13, and a transparent front face electrode 15 which is formed on the photoelectric conversion unit 14 are arranged on a substrate 11.例文帳に追加

基板（１１）上に、光反射性金属膜（１３１）を含む裏面電極（１３）と、裏面電極（１３）上に形成された一導電型層（１４１）、結晶質シリコン系薄膜からなる光電変換層（１４２）および逆導電型層（１４３）を含むシリコン系薄膜光電変換ユニット（１４）と、光電変換ユニット（１４）上に形成された透明前面電極（１５）とを備える。 - 特許庁

A first gate oxide film (5) of a high voltage driving system transistor and a second gate oxide film (7) of a memory cell transistor and a low voltage driving system transistor are formed on a silicon substrate (1).例文帳に追加

シリコン基板（１）の上に、高電圧駆動系トランジスタの第１ゲート酸化膜（５）と、メモリセルトランジスタと低電圧駆動系トランジスタの第２ゲート酸化膜（７）を形成する。 - 特許庁

A main body metal fitting 3' on which the trivalent chromium system chromate layer is formed is immersed in a silicate solution 51 in which an alkali silicate is dissolved and by drying the main body metal fitting, a silica system layer consisting mainly of an oxide of silicon is formed on the trivalent chromium system chromate layer.例文帳に追加

そして、その三価クロム系クロメート層４２ａが形成された主体金具３’を、アルカリケイ酸塩を溶解させたケイ酸塩溶液５１中に浸漬し、乾燥させることにより、三価クロム系クロメート層４２ａ上に、珪素の酸化物を主体とするシリカ系層４２ｃを形成する。 - 特許庁

The CNT 4 is grown from a titanium-cobalt combined fine particle 3 by the CVD method after the titanium-cobalt combined fine particle 3 is deposited on an insulating film 2 on a silicon substrate 1 using a catalytic fine particle forming system.例文帳に追加

触媒微粒子生成システムを用いて、シリコン基板１の絶縁膜２上にチタン・コバルト複合微粒子３を堆積した後、ＣＶＤ法によりチタン・コバルト複合微粒子３からＣＮＴ４を成長させる。 - 特許庁

A first region 108 is formed on an SOI (Silicon On Insulator) wafer to constitute a two-dimensional optical scanning part 100 wherein a torsional vibration system with three degrees of freedom is excited by comb teeth to cause resonance.例文帳に追加

ＳＯＩウエハに第１領域１０８を形成し、３自由度捻り振動系を櫛歯で加振して共振させる二次元光走査部１００を構成する。 - 特許庁