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thin gate oxideとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 薄膜ゲート酸化物
「thin gate oxide」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 190件
To provide a thin and high-quality gate oxide film.例文帳に追加
薄い高品質のゲート酸化物を提供する。 - 特許庁
After the gate oxide film of a thin film region is selectively removed, a second gate oxide film forming step is performed to form a second gate oxide film 15A in the thin film region, and a gate oxide film 15B is formed in a thick film region.例文帳に追加
薄膜部領域のゲート酸化膜を選択的に除去した後、第2のゲート酸化膜形成工程を行って、薄膜部領域に第2のゲート酸化膜15Aを形成し、厚膜部領域にゲート酸化膜15Bを形成する。 - 特許庁
The gate electrode 15 is insulated in the region of the body zone 20 from the side wall by a trench-oxide region thicker than a thin gate-oxide region and the gate oxide.例文帳に追加
ゲート電極15は、ボディゾーン20の領域内において、薄いゲート酸化物区域およびゲート酸化物より厚いトレンチ酸化物区域によって上記側壁から絶縁される。 - 特許庁
Then, the remaining nitride film is eliminated on the entire surface and a thin gate oxide film is formed, thus obtaining the gate oxide film with a different film thickness.例文帳に追加
次に残りの窒化膜を全面除去して薄いゲート酸化膜を形成することにより、異なった膜厚のゲート酸化膜を得る。 - 特許庁
A thick gate oxide film 12 is formed at the part of a guard ring 15, and the thin gate oxide film 8 is formed at guard rings 16, 17.例文帳に追加
ガードリング15部分に厚いゲート酸化膜12が形成され、ガードリング16、17部分に薄いゲート酸化膜8が形成されている。 - 特許庁
A thickness of a gate oxide film 59 along a side surface of a trench 51 is made thin and uniform.例文帳に追加
トレンチ51の側面に沿うゲート酸化膜59を薄く均一な厚さとする。 - 特許庁
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「thin gate oxide」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 190件
To prevent a thick gate oxide film from being damaged by a washing and hydrofluoric acid pretreatment process that is made before forming a thin gate oxide film.例文帳に追加
厚いゲート酸化膜が、薄いゲート酸化膜の形成前に行われる洗浄、フッ酸前処理工程によってダメージを受けないようにする。 - 特許庁
When the pixel is reset, a tunnel current passes through the gate oxide thin film 18 to set the potential of the floating gate 16.例文帳に追加
画素をリセットする際に、トンネル電流がゲート酸化薄膜18を通り抜けてフローティングゲート16の電位を設定する。 - 特許庁
Furthermore, a low gate threshold voltage can be ensured because the gate oxide film of the planar MOSFET is thin at the CMOS section.例文帳に追加
また、CMOS部のプレーナMOSFETのゲート酸化膜は薄いために低いゲートしきい値電圧を確保できる。 - 特許庁
To suppress degradation in the characteristic of a transistor having a thin gate oxide film when transistors having a variety of gate oxide film thicknesses are formed in a single semiconductor device.例文帳に追加
複数種類のゲート酸化膜厚を作り分ける場合に、そのうちの薄いゲート酸化膜を持つトランジスタの特性が劣化してしまうのを抑制する。 - 特許庁
Further a thick oxide film 44 on the side surface of the trench 42 for element isolation and a thin gate oxide 45 on the side surface of the gate trench 43 are formed simultaneously.例文帳に追加
さらに、素子分離用トレンチ42の側面に厚い酸化膜44を、また、ゲートトレンチ43の側面に薄いゲート酸化膜45を同時に形成する。 - 特許庁
The resist is released, and a surface at a part where the thin gate insulation film is formed is subjected to washing, hydrofluoric acid treatment, thus forming a second thin gate oxide film.例文帳に追加
レジストを剥離し、薄膜のゲート絶縁膜を形成する部分のシリコン表面を洗浄、フッ酸処理して膜厚の薄い第2のゲート酸化膜を形成する。 - 特許庁
LOW-VOLTAGE ORGANIC THIN-FILM TRANSISTOR USING ULTRA-THIN METAL OXIDE FILM AS GATE DIELECTRIC, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加
超薄膜金属酸化膜をゲート絶縁体として利用した低電圧有機薄膜トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁
Since a source-gate voltage of the source follower TR 8 is clamped at a prescribed voltage and a maximum electric field applied to the gate oxide film is reduced, the TR with a thin gate oxide film thickness can be used.例文帳に追加
ソースホロアトランジスタ8のソース・ゲート間電圧が所定電圧でクランプされ、ゲート酸化膜に加わる最大電界が低下するので、ゲート酸化膜厚の薄いトランジスタを使用可能である。 - 特許庁
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