top-gate typeとは 意味・読み方・使い方

In addition, a top gate-type TFT that is of the multi-gate structure and a top gate-type TFT that is of a single gate structure can be formed on the same substrate by merely changing the mask without increasing the number of processes.例文帳に追加

また、マスクを変更するだけで、工程数を増やすことなく、同一基板上に上記マルチゲート構造であるトップゲート型ＴＦＴとシングルゲート構造であるトップゲート型ＴＦＴを形成することができる。 - 特許庁

A color filter 130 is formed in the upper part of the top gate type thin film transistor array part.例文帳に追加

トップゲート型薄膜トランジスタアレイ部の上部にカラーフィルター１３０を形成する。 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR MANUFACTURING ACTIVE MATRIX DEVICE INCLUDING TOP-GATE-TYPE TFT例文帳に追加

トップゲート型ＴＦＴを含むアクティブマトリックスデバイスの製造方法および製造装置 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE USING SELF-ALIGNED CRYSTALLIZATION BY METAL INDUCTION IN SILICON LAYER FOR TFTS, TOP-GATE TYPE TFT AND TOP-GATE TYPE TFT MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ＴＦＴのためのＳｉ層の金属誘起による自己整合結晶化を用いる半導体デバイス、トップ・ゲート形ＴＦＴおよび該トップ・ゲート形ＴＦＴの製造方法 - 特許庁

TOP GATE TYPE FIELD-EFFECT TRANSISTOR, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND DISPLAY INCLUDING THE SAME例文帳に追加

トップゲート型の電界効果型トランジスタ及びその製造方法並びにそれを備えた表示装置 - 特許庁

The p-type FinFET includes: a second germanium fin over the substrate; a second gate dielectric on a top surface and sidewalls of the second germanium fin; and a second gate electrode on the second gate dielectric.例文帳に追加

p型FinFETは、基板上の第二ゲルマニウムフィン、第二ゲルマニウムフィンの上面と側壁上の第二ゲート誘電体、及び、第二ゲート誘電体上の第二ゲート電極からなる。 - 特許庁

The MOS capacitor uses an n-type diffusion region 2 formed on the top face of a p-type silicon substrate 1 as a bottom electrode, a gate insulation film 3 formed above the n-type diffusion region 2 as a dielectric layer, and a gate electrode 4 formed on the gate insulation film 3 as a top electrode.例文帳に追加

ＭＯＳキャパシタは、Ｐ型シリコン基板１の上面部に形成されたＮ型拡散領域２を下部電極とし、その上に形成されたゲート絶縁膜３を誘電体層とし、当該ゲート絶縁膜３の上に形成されたゲート電極４を上部電極としている。 - 特許庁

The n-type FinFET includes a first germanium fin over a substrate; a first gate dielectric on a top surface and sidewalls of the first germanium fin; and a first gate electrode on the first gate dielectric.例文帳に追加

n型FinFETは、基板上の第一ゲルマニウムフィン、第一ゲルマニウムフィンの上面と側壁上の第一ゲート誘電体、及び、第一ゲート誘電体上の第一ゲート電極からなる。 - 特許庁