tunnel transitionとは 意味・読み方・使い方

To provide a device and a method for dynamic wind tunnel testing in order to inhibit the deviation of a wind tunnel testing model from its wind tunnel measuring section, relax the limits to the test range, and minimize transient phenomena in transition to free flight mode.例文帳に追加

動的風洞試験装置及び方法に関し、風試模型の風洞計測部からの逸脱を防止し試験範囲の制限を緩和し、フリーフライト移行時の過渡現象を小さくする。 - 特許庁

The charge trap memory device characterized by comprising a tunnel insulating film formed on a substrate and a charge trap layer formed on the tunnel insulating film and composed of a high-k dielectric insulating film doped with transition metal and in that the tunnel insulating film reacts with the metal of the charge trap layer and the metal is formed so that it is prevented from spreading to the substrate side.例文帳に追加

基板上に形成されたトンネル絶縁膜と、このトンネル絶縁膜上に形成され、遷移金属がドーピングされた高誘電率絶縁膜からなる電荷トラップ層とを備え、トンネル絶縁膜が電荷トラップ層の金属と反応することや、この金属が基板側に広がることを防止するように形成されたことを特徴とする電荷トラップ型メモリ素子である。 - 特許庁

A deterioration in control performance can be avoided by automatically acquiring long-term transition between physical models, and a short-term variation in physical phenomenon in a tunnel can be compensated for in each case by the adaptation control.例文帳に追加

長期的な物理モデルの変遷を自動的に獲得して制御性能の低下を避けることができるとともに、トンネル内の物理現象の短期的なバラツキは適応制御でその都度補償できる。 - 特許庁

Colors of optical spectra among the optical fibers are mixed by repeating electric field transition (tunnel) among optical fibers through near-field light of the optical fibers of the fiber bundles B_11, B_12, B_13, B_14, B_15, B_16, in the fiber bundle B_2.例文帳に追加

ファイババンドルB_2において、ファイババンドルB_11、B_12、B_13、B_14、B_15、B_16の光ファイバの近接場光によりこれらの光ファイバ間で電場移行（トンネル）を繰返して光ファイバ間の光スペクトルを混色する。 - 特許庁

To provide a route control method for signaling messages and the like without movement of an IP address nor establishment of a tunnel after session transition of a SIP server.例文帳に追加

ＳＩＰサーバのセッション移行後に、ＩＰアドレスを移動することなく、且つ、トンネルを確立することもない、シグナリングメッセージの経路制御方法等を提供する。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory element comprises a tunnel insulating film formed on a semiconductor substrate, an electric charge trap layer which is formed on the tunnel insulating film and includes a dielectric film of which a transition metal is doped, a blocking insulating film formed on the electric charge trap layer, and a gate electrode formed on the blocking insulating film.例文帳に追加

半導体基板上に形成されたトンネル絶縁膜と、トンネル絶縁膜上に形成され、遷移金属がドーピングされた誘電膜を含む電荷トラップ層と、電荷トラップ層上に形成されたブロッキング絶縁膜と、ブロッキング絶縁膜上に形成されたゲート電極と、を備えることを特徴とする不揮発性半導体メモリ素子である。 - 特許庁

The gain medium 4 comprises two or more quantum well layers 9 and 11 and a plurality of barrier layers 8, 10 and 12 for separating the respective quantum well layers, and is in a configuration based on a resonance tunnel diode wherein the transition of the carrier occurs through a photon assist tunnel between the subbands of the two or more quantum well layers 9 and 11 and the gain is generated.例文帳に追加

利得媒質4は、2つ以上の量子井戸層9、11と各量子井戸層を隔てる複数の障壁層8、10、12から構成されて、2つ以上の量子井戸層9、11のサブバンド間でキャリアの遷移がフォトンアシストトンネルを経て生起して利得が発生する共鳴トンネルダイオードに基づく構成である。 - 特許庁