vapor etchingとは 意味・読み方・使い方

IN-SITU CHAMBER CLEANING PROCESS FOR REMOVING DEPOSIT OF BY-PRODUCT FROM CHEMICAL VAPOR DEPOSITION ETCHING CHAMBER例文帳に追加

化学蒸着エッチングチャンバから副生成物の堆積物を除去するインサイチュチャンバ洗浄プロセス - 特許庁

The chromium film 12 improves the adhesion between the photoresist 13 and the aluminum vapor deposition film 11, and as to undercut caused by wet etching for the aluminum vapor deposition film 11 in the process (h), it can be controlled to about 0.3 μm, thus remarkable improvement is made possible.例文帳に追加

一方、ホトレジストとアルミニウム蒸着膜の間にクロム蒸着膜を挾みホトレジストとアルミニウム蒸着膜の密着が改善できる。 - 特許庁

In a fifth step, the pit is formed on the lower photoresist layer through the vapor etching by 100% of oxygen (O_2).例文帳に追加

第５ステップにて、１００％の酸素（Ｏ_2）によるガスエッチングにより下フォトレジスト層にピットを形成する。 - 特許庁

The method for manufacturing the vapor deposition mask includes forming a hole 25 in a sheet made from a metal 34 through an etching process.例文帳に追加

蒸着マスクの製造方法において、エッチングにより金属製シート３４に孔２５が形成される。 - 特許庁

After rough polishing, the wafer is subjected to vapor phase etching (step S5) to form an epitaxial film (step S6).例文帳に追加

粗研磨終了後、気相エッチングを行い（ステップＳ５）、その後、エピタキシャル膜を形成する（ステップＳ６）。 - 特許庁

An air gap 4 is formed in the vicinity of the sacrificial layer 3 and the barrier layer by etching the local oxide part 7 with vapor HF and etching the sacrificial layer 3.例文帳に追加

局所酸化部７を蒸気ＨＦでエッチングし、更に、犠牲層３をエッチングして、犠牲層３とバリア層の界面近傍にエアーギャップ４を形成する。 - 特許庁

An SiO_2 mask 2 is formed on a semiconductor element wafer 1 by vapor deposition and etching, and a ridge 1R is formed by etching a semiconductor layer (Figure 1.A).例文帳に追加

半導体素子ウエハ１に蒸着及びエッチングによりSiO_2マスク２を形成し、半導体層のエッチングによりリッジ１Ｒを形成する（図１．Ａ）。 - 特許庁

To reduce undercut caused by wet etching and to improve the working precision at the time of forming a surface wave element aluminum vapor deposition film or aluminum alloy vapor deposition film electrode by applying lithography technology to a thin film formed on the film surface on a substrate and executing etching with the formed resist pattern and a thin film fine pattern as masks.例文帳に追加

表面波素子、中でも表面波共振器電極形成プロセスでは、アルミニウム電極、アルミニウム蒸着膜厚が１μｍから２μｍで、線幅２μｍから５μｍに対して厚い。 - 特許庁