vapor-phase crackingとは 意味・読み方・使い方

IMPURITY ANALYZING METHOD OF SILICON SUBSTRATE AND ITS VAPOR PHASE CRACKING DEVICE例文帳に追加

シリコン基板中の不純物分析方法及びその気相分解用装置 - 特許庁

METHOD FOR CRACKING CARBON FIBER MADE BY VAPOR PHASE METHOD, METHOD FOR PRODUCING CRACKED CARBON FIBER MADE BY VAPOR PHASE METHOD, CRACKED CARBON FIBER MADE BY VAPOR PHASE METHOD, RESIN COMPOSITION CONTAINING THE SAME AND APPLICATION THEREOF例文帳に追加

気相法炭素繊維の解砕方法、解砕された気相法炭素繊維の製造方法、解砕された気相法炭素繊維およびそれを含有する樹脂組成物ならびにその用途 - 特許庁

To provide a method for selectively performing catalytic cracking of an isoolefin derivative into an isoolefin and an alcohol or water in a vapor phase in an inexpensive and/or simple apparatus.例文帳に追加

安価および／または簡単な装置中でイソオレフィン誘導体をイソオレフィンならびにアルコールまたは水へ接触気相分解するための選択的方法を提供する。 - 特許庁

The method for producing the crude hydroxyalkyl(meth)acrylamide having <1% content of a norbornene derivative comprises thermally cracking the norbornene derivative in a vapor phase, condensing the formed thermally cracked gas in the vapor phase, and vaporizing the obtained condensed liquid again before distillation to remove ≥50% of cyclopentadiene in the condensed liquid.例文帳に追加

ノルボルネン誘導体を気相熱分解し、生成した気相熱分解ガスを凝縮し、得られた凝縮液を、蒸留前に再蒸発することにより該凝縮液中のシクロペンタジエンを５０％以上除去して、ノルボルネン誘導体の含有量が１％未満である、粗ヒドロキシアルキル（メタ）アクリルアミドを得る。 - 特許庁

To realize crystal of high quality which has small dislocation and cracking by selectively growing GaN on a substrate having a stepped striped pattern consisting of projection and recessed parts in various widths by using an organic metal vapor-phase grown crystal method.例文帳に追加

有機金属気相成長結晶法を用い、凸部と凹部の幅に粗密のある段差状ストライプ・パターンを有する基板上に、ＧａＮを選択成長させ、転位やクラックの少ない、高品質の結晶を実現する。 - 特許庁

In the method for analyzing the semiconductor substrate, the semiconductor substrate containing an analyte is etched by a vapor phase cracking method using hydrogen fluoride vapor and ozone-containing gas produced by discharge, and a recovery liquid is discharged on the semiconductor substrate after etching, so that the analyzing target is recovered along with the recovery liquid.例文帳に追加

本発明は、フッ化水素の蒸気と、放電により発生させたオゾン含有ガスとを用いた気相分解法により分析対象物を含む半導体基板をエッチングし、エッチング後の半導体基板上に回収液を吐出し、回収液とともに分析対象物を回収する半導体基板の分析方法に関する。 - 特許庁

To provide a method capable of manufacturing a high-quality gallium nitride semiconductor substrate while suppressing crystal degradation caused by the reaction of Ga and Si and suppressing occurrence of cracking caused by the difference in thermal expansion coefficients of GaN and Si in the process of forming a thick film gallium nitride semiconductor layer on a Si(111) face by using a vapor phase growth method.例文帳に追加

Ｓｉ（１１１）面上に気相成長法を利用して、厚膜の窒化ガリウム系半導体層を形成する際、ＧａとＳｉに因る反応に起因する結晶劣化、ＧａＮとＳｉの熱膨張係数差に起因するクラッキング発生を抑制し、良質な窒化ガリウム系半導体基板の作製を可能とする作製方法の提供。 - 特許庁