wet ashing methodとは 意味・読み方・使い方

wet ashing method発音を聞く 例文帳に追加

湿式灰化法 - Weblio英語基本例文集

This method for peeling the resist left on a substrate 5 after dry etching includes a step of dry ashing the resist left on the substrate 5 and a step of wet-peeling the resist left on the substrate 5 after dry ashing with ozone water excited by ultraviolet rays.例文帳に追加

ドライエッチング後に、基板に残留するレジストを除去するレジスト剥離方法において、上記基板５に残留するレジストをドライアッシングする工程と、ドライアッシングによって基板に残留するレジストを紫外線で励起されたオゾン水によってウエット剥離する工程とを具備する。 - 特許庁

To provide a method for forming an insulating film and the insulating film, wherein the insulating film at a low relative dielectric constant and excellent in resistance or the like to a process such as etching, ashing or wet cleaning can be formed.例文帳に追加

低比誘電率であり、エッチング，アッシングあるいはウエット洗浄などのプロセスに対する耐性などにも優れた絶縁膜を形成することができる絶縁膜の形成方法および絶縁膜を提供する。 - 特許庁

The method has: a step in which SiOC films are formed on Si substrates 1 or on foundation films 2 and 3 formed on the Si substrates and containing Si; a step in which an ashing process is carried out to the SiOC films; and a step in which the SiOC films 4' receiving the ashing treatment are removed selectively by a wet process containing F.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上又は前記Ｓｉ基板上に形成されたＳｉを含む下地膜２、３上に、ＳｉＯＣ膜を形成する工程と、前記ＳｉＯＣ膜に、アッシング処理を施す工程と、前記アッシング処理を施したＳｉＯＣ膜４’を、Ｆを含むウエット処理により選択的に除去する工程を備える。 - 特許庁

A method for manufacturing a semiconductor device having a borderless wiring structure forms a borderless via-hole in which two different types of metals are exposed in an aperture, wherein prior to the wet processing for stripping a resist mask used to form the via hole, ashing is done using plasma including H_2O.例文帳に追加

ボーダレス配線構造を有する半導体装置の製造方法において、開口内で２種類の異なる金属が露出するボーダレスビアホールを形成し、前記ビアホールの形成に用いたレジストマスクを剥離する際のウェット処理に先立って、Ｈ2Ｏを含むプラズマでアッシングする。 - 特許庁

To provide an etching method which allows for selective wet etching for dissolving a layer composed of a specific metal material such as Ti preferentially, and also allows for effective cleaning and removing of residues produced by etching, ashing, or the like, and to provide an etching liquid for use therein, and a manufacturing method of a semiconductor element using the same.例文帳に追加

Ｔｉ等の特定の金属材料からなる層を優先的に溶解する選択的なウエットエッチングを可能とし、しかもエッチング・アッシング等により生じる残渣をも効果的に洗浄除去することができるエッチング方法及びこれに用いるエッチング液、これを用いた半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for a surface treatment in which an equipment can be easily constituted and miniaturized, and a surface reforming such as a wettability improvement or a surface treatment such as an ashing or an etching can be performed relatively easily at a low cost, without requiring an additional stage for a rinse in a wet etching or a drying, and without an expensive and large facility for a vacuum or a decompressing.例文帳に追加

ウエット法のリンスや乾燥のための追加工程を必要とせず、また真空や減圧のための高価で大型の設備を必要とせず、装置を簡単に構成しかつ小型化でき、濡れ性改善などの表面改質やアッシング、エッチングなどの表面処理を、比較的容易にかつ低コストで行うことができる新規な表面処理方法を提供する。 - 特許庁