wet ashingとは 意味・読み方・使い方

With radiation of high frequency oxygen plasma, the surface of reaction product (4) is physically shocked and such reactive product can be removed easily with a post-processing (ashing and wet process with an organic solvent).例文帳に追加

この高周波を伴う酸素プラズマ照射により、反応生成物（４）の最表面が物理的な衝撃を受け、後処理（アッシング及び有機溶剤によるウエット処理）によって、容易に除去することができる。 - 特許庁

To provide a method for forming an insulating film and the insulating film, wherein the insulating film at a low relative dielectric constant and excellent in resistance or the like to a process such as etching, ashing or wet cleaning can be formed.例文帳に追加

低比誘電率であり、エッチング，アッシングあるいはウエット洗浄などのプロセスに対する耐性などにも優れた絶縁膜を形成することができる絶縁膜の形成方法および絶縁膜を提供する。 - 特許庁

To cause less change of quality of an inorganic anti-reflective film even when subjected to a wetting (wet peeling-off) process or a plasma ashing process when it is desired to reprocess the film.例文帳に追加

再工事が必要な場合に、ウェット処理（湿式剥離）や、プラズマアッシング処理を行っても、無機反射防止膜の膜質が変化しにくいようにする - 特許庁

The method has: a step in which SiOC films are formed on Si substrates 1 or on foundation films 2 and 3 formed on the Si substrates and containing Si; a step in which an ashing process is carried out to the SiOC films; and a step in which the SiOC films 4' receiving the ashing treatment are removed selectively by a wet process containing F.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上又は前記Ｓｉ基板上に形成されたＳｉを含む下地膜２、３上に、ＳｉＯＣ膜を形成する工程と、前記ＳｉＯＣ膜に、アッシング処理を施す工程と、前記アッシング処理を施したＳｉＯＣ膜４’を、Ｆを含むウエット処理により選択的に除去する工程を備える。 - 特許庁

To prevent surface roughness in an insulating film when the insulating film is subjected to wet cleaning after a polymer film is removed by ashing which polymer film is deposited on a resist pattern, when the insulating film is subjected to plasma etching using an etching gas containing carbon and fluorine.例文帳に追加

絶縁膜に対して炭素及びフッ素を含むエッチングガスを用いるプラズマエッチングを行なったときにレジストパターンの上に堆積されるポリマー膜をアッシングにより除去し、その後、絶縁膜をウェット洗浄した際に該絶縁膜に表面荒れが発生しないようにする。 - 特許庁

To prevent surface roughness in an insulating film when the insulating film is subjected to wet cleaning after a polymer film is removed by ashing which polymer film is deposited on a resist pattern, when the insulating film is subjected to plasma etching using an etching gas containing carbon and fluorine.例文帳に追加

絶縁膜に対して炭素及びフッ素を含むエッチングガスを用いるプラズマエッチングを行なったときにレジスト膜の上に堆積されるポリマー膜をアッシングにより除去し、その後、絶縁膜をウェット洗浄した際に該絶縁膜に表面荒れが形成されないようにする。 - 特許庁

A method for manufacturing a semiconductor device having a borderless wiring structure forms a borderless via-hole in which two different types of metals are exposed in an aperture, wherein prior to the wet processing for stripping a resist mask used to form the via hole, ashing is done using plasma including H_2O.例文帳に追加

ボーダレス配線構造を有する半導体装置の製造方法において、開口内で２種類の異なる金属が露出するボーダレスビアホールを形成し、前記ビアホールの形成に用いたレジストマスクを剥離する際のウェット処理に先立って、Ｈ2Ｏを含むプラズマでアッシングする。 - 特許庁

The surface roughness of wiring when wet-etching a sheath metal layer is eliminated by covering the wiring 13 with the metal layer 19, and the wetting properties between the substrate and etching liquid is improved by performing O2 ashing treatment before wet etching, thus surely removing the sheath metal layer.例文帳に追加

本発明は、配線１３上に金属層１９を被覆することにより、シースメタル金属層のウエットエッチング時における配線表面のあれをなくし、且つウエットエッチング前にＯ_2アッシング処理を行うことにより、基板とエッチング液のぬれ性を向上させ、シースメタル金属層を確実に除去するものである。 - 特許庁