「wet ashing」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

This method for peeling the resist left on a substrate 5 after dry etching includes a step of dry ashing the resist left on the substrate 5 and a step of wet-peeling the resist left on the substrate 5 after dry ashing with ozone water excited by ultraviolet rays.例文帳に追加

ドライエッチング後に、基板に残留するレジストを除去するレジスト剥離方法において、上記基板５に残留するレジストをドライアッシングする工程と、ドライアッシングによって基板に残留するレジストを紫外線で励起されたオゾン水によってウエット剥離する工程とを具備する。 - 特許庁

Next, after removing a natural oxide film and an ashing oxide film, a lower electrode having a designated grain spacing is formed, by processing the grain spacing of the HSG grains for wet etching with ammonia hydrogen peroxide or the like (Fig.(F)-(G)).例文帳に追加

次に、自然酸化膜やアッシング酸化膜を除去後、アンモニア過酸化水素水などでＨＳＧ粒の粒間隔をウェットエッチングし、所定の粒間隔を有する下部電極を形成する（図１（Ｆ）〜（Ｇ））。 - 特許庁

With radiation of high frequency oxygen plasma, the surface of reaction product (4) is physically shocked and such reactive product can be removed easily with a post-processing (ashing and wet process with an organic solvent).例文帳に追加

この高周波を伴う酸素プラズマ照射により、反応生成物（４）の最表面が物理的な衝撃を受け、後処理（アッシング及び有機溶剤によるウエット処理）によって、容易に除去することができる。 - 特許庁

To provide a method for forming an insulating film and the insulating film, wherein the insulating film at a low relative dielectric constant and excellent in resistance or the like to a process such as etching, ashing or wet cleaning can be formed.例文帳に追加

低比誘電率であり、エッチング，アッシングあるいはウエット洗浄などのプロセスに対する耐性などにも優れた絶縁膜を形成することができる絶縁膜の形成方法および絶縁膜を提供する。 - 特許庁

To cause less change of quality of an inorganic anti-reflective film even when subjected to a wetting (wet peeling-off) process or a plasma ashing process when it is desired to reprocess the film.例文帳に追加

再工事が必要な場合に、ウェット処理（湿式剥離）や、プラズマアッシング処理を行っても、無機反射防止膜の膜質が変化しにくいようにする - 特許庁

The method has: a step in which SiOC films are formed on Si substrates 1 or on foundation films 2 and 3 formed on the Si substrates and containing Si; a step in which an ashing process is carried out to the SiOC films; and a step in which the SiOC films 4' receiving the ashing treatment are removed selectively by a wet process containing F.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上又は前記Ｓｉ基板上に形成されたＳｉを含む下地膜２、３上に、ＳｉＯＣ膜を形成する工程と、前記ＳｉＯＣ膜に、アッシング処理を施す工程と、前記アッシング処理を施したＳｉＯＣ膜４’を、Ｆを含むウエット処理により選択的に除去する工程を備える。 - 特許庁

To prevent surface roughness in an insulating film when the insulating film is subjected to wet cleaning after a polymer film is removed by ashing which polymer film is deposited on a resist pattern, when the insulating film is subjected to plasma etching using an etching gas containing carbon and fluorine.例文帳に追加

絶縁膜に対して炭素及びフッ素を含むエッチングガスを用いるプラズマエッチングを行なったときにレジストパターンの上に堆積されるポリマー膜をアッシングにより除去し、その後、絶縁膜をウェット洗浄した際に該絶縁膜に表面荒れが発生しないようにする。 - 特許庁

To prevent surface roughness in an insulating film when the insulating film is subjected to wet cleaning after a polymer film is removed by ashing which polymer film is deposited on a resist pattern, when the insulating film is subjected to plasma etching using an etching gas containing carbon and fluorine.例文帳に追加

絶縁膜に対して炭素及びフッ素を含むエッチングガスを用いるプラズマエッチングを行なったときにレジスト膜の上に堆積されるポリマー膜をアッシングにより除去し、その後、絶縁膜をウェット洗浄した際に該絶縁膜に表面荒れが形成されないようにする。 - 特許庁

A method for manufacturing a semiconductor device having a borderless wiring structure forms a borderless via-hole in which two different types of metals are exposed in an aperture, wherein prior to the wet processing for stripping a resist mask used to form the via hole, ashing is done using plasma including H_2O.例文帳に追加

ボーダレス配線構造を有する半導体装置の製造方法において、開口内で２種類の異なる金属が露出するボーダレスビアホールを形成し、前記ビアホールの形成に用いたレジストマスクを剥離する際のウェット処理に先立って、Ｈ2Ｏを含むプラズマでアッシングする。 - 特許庁

The surface roughness of wiring when wet-etching a sheath metal layer is eliminated by covering the wiring 13 with the metal layer 19, and the wetting properties between the substrate and etching liquid is improved by performing O2 ashing treatment before wet etching, thus surely removing the sheath metal layer.例文帳に追加

本発明は、配線１３上に金属層１９を被覆することにより、シースメタル金属層のウエットエッチング時における配線表面のあれをなくし、且つウエットエッチング前にＯ_2アッシング処理を行うことにより、基板とエッチング液のぬれ性を向上させ、シースメタル金属層を確実に除去するものである。 - 特許庁

To provide an etching method which allows for selective wet etching for dissolving a layer composed of a specific metal material such as Ti preferentially, and also allows for effective cleaning and removing of residues produced by etching, ashing, or the like, and to provide an etching liquid for use therein, and a manufacturing method of a semiconductor element using the same.例文帳に追加

Ｔｉ等の特定の金属材料からなる層を優先的に溶解する選択的なウエットエッチングを可能とし、しかもエッチング・アッシング等により生じる残渣をも効果的に洗浄除去することができるエッチング方法及びこれに用いるエッチング液、これを用いた半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for a surface treatment in which an equipment can be easily constituted and miniaturized, and a surface reforming such as a wettability improvement or a surface treatment such as an ashing or an etching can be performed relatively easily at a low cost, without requiring an additional stage for a rinse in a wet etching or a drying, and without an expensive and large facility for a vacuum or a decompressing.例文帳に追加

ウエット法のリンスや乾燥のための追加工程を必要とせず、また真空や減圧のための高価で大型の設備を必要とせず、装置を簡単に構成しかつ小型化でき、濡れ性改善などの表面改質やアッシング、エッチングなどの表面処理を、比較的容易にかつ低コストで行うことができる新規な表面処理方法を提供する。 - 特許庁