wurtzite structureとは 意味・読み方・使い方

The semiconductor laser element comprises: an active layer 6, and a p-side semiconductor layer formed on the active layer 6 and has a wurtzite crystal structure.例文帳に追加

半導体レーザ素子は、活性層６と、活性層６上に形成され、ウルツ鉱型結晶構造を有するｐ側半導体層とを備える。 - 特許庁

The film includes a wurtzite crystal structure, and the surface thereof is composed of a zinc polarity (0001).例文帳に追加

この膜はウルツ鉱型の結晶構造を有し、かつ、その表面が亜鉛極性である（０００１）面である。 - 特許庁

To provide an aluminum nitride piezoelectric material having a wurtzite-type crystal structure which is material-designed so as to improve the time constant at high temperature.例文帳に追加

高温での時定数が向上されるよう材料設計された、ウルツ鉱型の結晶構造を有する窒化アルミニウム圧電体を提供する。 - 特許庁

To relax restriction to sample structure which can be evaluated, by simply evaluating distortion occurring at a wurtzite semiconductor film.例文帳に追加

ウルツ鉱型半導体膜に生じる歪を簡便に評価し、評価可能な試料構造に対する制約を緩和する。 - 特許庁

An AlN support substrate 13 comprises a crystal having the Wurtzite structure and is a conductive or insulative support body.例文帳に追加

ＡｌＮ支持基体１３は、Wruzite構造を有する結晶からなり、導電性或いは絶縁性の支持体である。 - 特許庁

To provide a field-effect transistor using a semiconductor with a Wurtzite crystal structure capable of forming a barrier layer out of a semiconductor having a greater bandgap energy, without increasing contact resistance with an electrode.例文帳に追加

ウルツ鉱型結晶構造の半導体を用いた電界効果トランジスタで、電極との接触抵抗を高くすることなく、バンドギャップエネルギーのより大きな半導体から障壁層が構成できるようにする。 - 特許庁

A semiconductor light emitting device includes a planar light-emitting layer with a wurtzite crystal structure having a <0001> axis substantially parallel to the plane of the layer, referred to as an in-plane light-emitting layer.例文帳に追加

層の平面にほぼ平行な＜０００１＞軸を有するウルツ鉱結晶構造を有する、面内発光層と呼ばれるプレーナ発光層を含む半導体発光装置。 - 特許庁

The semiconductor substrate having a crystal structure of the wurtzite type has a main surface inclined about 45 to about 65° in a <10-10> direction of a crystal zone axis from a (0001) face.例文帳に追加

ウルツ鉱型の結晶構造を持つ半導体基板は、面方位が（０００１）面から晶帯軸の＜１０−１０＞方向に約４５°〜約６５°傾いた主面を有している。 - 特許庁