キンク現象の英語

さらに、素子形成領域上にＭＩＳＦＥＴを形成する場合、キンク現象の発生を防止でき、リーク電流を低減することができる。例文帳に追加

When MISFET is formed on the element forming area, generation of a kink phenomenon can be prevented and the leakage current can be reduced. - 特許庁

０．２μｍ以下の短ゲート長電界効果型トランジスタにおいて、そのキンク現象を抑制し、高耐圧特性を実現できる構造を提供する。例文帳に追加

To provide a structure for achieving high-breakdown voltage characteristics by restraining kinking phenomenon, in a field effect transistor having a short gate length of 0.2 μm or smaller. - 特許庁

メモリセルのリフレッシュ特性を向上させ、周辺回路のｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴのキンク現象の発生の低減させる技術を提供する。例文帳に追加

To provide technology for improving the refresh characteristics of memory cells and reducing the occurrence of a kink phenomenon in the p- channel type MISFET of a peripheral circuit. - 特許庁

キンク現象や、密巻き部分にスペースができるような変形が発生せず、その上、長尺化が可能な撚り線管及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a stranded wire tube on which kink and such deformation as space is formed in a tightly wound part does not occur and, furthermore, the lengthening of which is possible and its manufacturing method. - 特許庁

簡単な構造でキンク現象の発生を抑制することができるシリコン基板およびその製造方法並びに部分空乏型の電界効果トランジスタを提供することにある。例文帳に追加

To provide a silicon substrate which can suppress the occurrence of a kink phenomenon and its manufacturing method, and a partial depletion type field effect transistor. - 特許庁

閾値電圧の低下やキンク現象などを防止しながら、素子特性を向上させるＳＯＩ構造の半導体層を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device, which has a semiconductor layer in SOI structure improving element characteristics while preventing a drop in threshold voltage, a kink phenomenon, etc., and its manufacture. - 特許庁

リセスの発生を低減し、素子形成領域上に形成されるＭＩＳＦＥＴのキンク現象の発生を防止でき、リーク電流を低減することができる技術を提供する。例文帳に追加

To provide a technique which enables to reduce recess generation, prevent the kink phenomenon of MISFET that is formed on an element forming area and reduce leakage current. - 特許庁

リセスの発生を低減し、素子形成領域上に形成されるＭＩＳＦＥＴのキンク現象の発生を防止でき、リーク電流を低減することができる技術を提供する。例文帳に追加

To provide a technique, capable of reducing generation of recesses, preventing the generation of the kink phenomenon of an MISFET formed on an element formation area and reducing leakage current. - 特許庁