気相化学反応の英語

化学的気相成長法または液相成長法により多層カーボンナノチューブ３を生成する際に、化学的気相成長法または液相成長法の主反応剤（ＣＨ_4、Ｈ_2 ）の他に吸熱反応性の反応補助剤（Ｈ_2 Ｓ）を添加して、単層カーボンナノチューブ４を生成する。例文帳に追加

In producing the multi-walled carbon nanotube 3 with a chemical vapor growth method or with a liquid growth method, the single-walled carbon nanotube 4 is produced by adding an auxiliary reactive agent (H_2S) for an endothermic reaction other than main reactants (CH_4, H_2) of the chemical vapor growth method or the liquid growth method. - 特許庁

熱移動及び物質移動に対する抵抗が少なく、プロセス設備容積を劇的に減少させるチャンスを創り出す化学反応器及び反応チャンバ及び気相反応物質を有する触媒化学反応を行う方法を提供する。例文帳に追加

To provide a chemical reactor, reaction chamber, and method for conducting a catalytic chemical reaction including gas phase reactants, which provides less resistance to heat and mass transfer thus creates the opportunity for dramatic reductions in process hardware volume. - 特許庁

化学気相成長装置の反応部の外部でアルコールまたはアルコールの水溶液を自然蒸発などで気化させることにより得られるガスをこの反応部に導入することにより反応を行う。例文帳に追加

Reaction is carried out by introducing the gas obtained by evaporating the alcohol or the aqueous alcohol solution by spontaneous vaporization at the outside of the reaction zone of the chemical vapor deposition unit. - 特許庁

続いて、下部電極上にＴａ化学蒸気、０３ガス及びＮＨ_3ガスの化学気相反応によりＴａＯＮ膜が形成され、ＴａＯＮ膜を結晶化する。例文帳に追加

Subsequently, a TaON film is formed on the electrode 40 through chemical vapor reaction of Ta chemical vapor to O3 gas and NH3 gas, and the TaON film is crystallized. - 特許庁

シリコンウエハ表面に多結晶シリコン膜を化学気相反応堆積法（ＣＶＤ法）により成膜する方法である。例文帳に追加

This is a method for forming a polycrystalline silicon film on the surface of a silicon wafer by a chemical vapor deposition(CVD) method. - 特許庁

高周波型プラズマ強化化学気相堆積を行う反応装置及びそれを実施する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a reactor for performing a high-frequency type plasma-reinforced chemical vapor deposition, and to provide a method for embodying the same. - 特許庁

当該有機金属化学気相堆積装置は、反応室、回転スタンド、ウエハサセプタ２０６ａ、ヒーター、シャワーヘッドを含む。例文帳に追加

The metal-organic chemical vapor deposition apparatus includes a reaction chamber, a rotation stand, a wafer susceptor 206a, a heater and a shower head. - 特許庁

ノズル内でソースガスの反応を最小化することができる高密度プラズマ化学気相蒸着装置を提供する。例文帳に追加

To provide a high-density plasma chemical vapor deposition system capable of minimizing the reaction of a source gas in a nozzle. - 特許庁