液体レジストの英語

このレジストパターン５のスペース部５ａ内に残留するレジスト膜４ａに対し、残留レジスト膜４ａを除去するための液体に溶け易くする易溶化処理を施した後、残留レジスト膜４ａに液体を供給する。例文帳に追加

A solubilization treatment is carried out on a resist film 4a remaining in a space portion 5a of the resist pattern 5 to make the remaining resist film 4a easily soluble in a liquid for removing the remaining resist film 4a and then the liquid is supplied to the remaining resist film 4a. - 特許庁

半導体製造装置は、レジスト膜が形成されたウェハ２０を保持する可動ステージ３６の上に配される液体２５を供給する液体供給部４５と、レジスト膜の上に液体２５を配した状態で、該レジスト膜にマスク３２を介した露光光を照射する露光部３４と、液体２５に含まれる気体を液体２５から脱気する脱気部４０とを有している。例文帳に追加

The equipment for producing a semiconductor comprises a section 45 for supplying liquid 25 arranged on a movable stage 36 for holding a wafer 20 having a resist film formed thereon, an exposure section 34 for irradiating the resist film with exposure light via a mask 32, in a state where the liquid 25 is arranged on the resist film, and a section 40 for degassing the liquid 25. - 特許庁

露光後、処理プロセスが利用され、レジスト層１４から、液体の残留部６０を除去する。例文帳に追加

After the exposure, a treatment process is used to eliminate a remaining part 60 of liquid from the resist layer 14. - 特許庁

イオン液体を含むレジスト下層膜形成組成物及びそれを用いたレジストパターンの形成方法例文帳に追加

RESIST UNDERLAYER FILM FORMING COMPOSITION COMPRISING IONIC LIQUID AND METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN USING THE SAME - 特許庁

また、本発明は、ポジ型のレジストを用いる場合、この液体Ｌとして、アルカリ性水溶液を用いる。例文帳に追加

When positive resist is used, alkaline solution of water is used for the liquid L. - 特許庁

光出射部１００からの光が液体槽４０を通過して、液体中に浸されたレジスト防液構造体１０の開口３１ａからマスクＭを介してレジストＲに照射される。例文帳に追加

Light from a light emission part 100 passes through a liquid tank 40 and irradiates a resist R from an opening 31a of a resist liquid-protective structure 10 immersed in liquid through a mask M. - 特許庁

液体リサイクル部４０は、ウェハ２０上のレジスト膜の上に液体２３を供給する液体供給部４１と、ウェハ２０上に配された液体２３を排出して回収する液体排出部４２と、液体２３を収納し且つ回収された液体２３に含まれる不純物を除去する不純物除去部４３とから構成されている。例文帳に追加

The liquid recycle unit 40 comprises a liquid supply section 41 for supplying the liquid 23 to the resist film on the wafer 20; a liquid discharge unit 42 for discharging and recovering the liquid 23 disposed on the wafer 20; and an impurity removal unit 43 for receiving the liquid 23 and removing impurities included in the liquid 23. - 特許庁

続いて、レジスト膜１０１の上に液体１０３を配した状態で、レジスト膜１０２に露光光を選択的に照射することによりパターン露光を行う。例文帳に追加

The resist film 102 is subjected to pattern exposure by selectively irradiating the resist film 102 with exposure light while a liquid 103 is disposed on the resist film 101. - 特許庁