| 意味 | 例文 (631件) |
界面領域の英語
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英訳・英語 interfacial region
「界面領域」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 631件
分離領域は、チャネル領域と分離領域との間の界面に沿って、チャネルの角部領域を与える。例文帳に追加
The isolating region provides the corner region of channel along the interface between the channel region and the isolating region. - 特許庁
界面領域は陥凹部186のパターンを含む。例文帳に追加
The interface region includes a pattern of concavities 186. - 特許庁
pボディ領域4内の、pボディ領域4領域と、n^+エミッタ領域5およびp^+コンタクト領域6との界面には、p^+低抵抗領域41が設けられている。例文帳に追加
A p^+ low resistance region 41 is provided at the interface among the p body region 4, the n^+ emitter region 5 and p^+ contact region 6, within the p body region 4. - 特許庁
整流領域17とエミッタ領域15との界面の順方向電圧は、ベース領域13とエミッタ領域15との界面の順方向電圧よりも高い。例文帳に追加
The forward voltage of the interface between the rectifier area 17 and the emitter area 15 is higher than the forward voltage of the interface between the base area 13 and the emitter area 15. - 特許庁
前記半導体領域の表面には金属元素を含む界面領域が設けられる。例文帳に追加
An interface region containing a metallic element is provided on a surface of the semiconductor region. - 特許庁
センター領域22とショルダー領域24との界面のトレッド分割角度は、45°以下である。例文帳に追加
A tread division angle of the interface of the center area 22 and the shoulder areas 24 is 45 degrees or smaller. - 特許庁
半導体材料の2つの領域間に界面領域を形成する方法および半導体装置例文帳に追加
METHOD OF FORMING INTERFACE REGION BETWEEN TWO SEMICONDUCTOR MATERIAL REGIONS, AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁
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「界面領域」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 631件
上記界面上には、該界面の所定の領域に複数の調整機構が備えられる。例文帳に追加
On the interface, a plurality of adjustment mechanisms are provided in a predetermined region of the interface. - 特許庁
泡は1層以上の緩衝領域層中及び/又は被覆領域と緩衝領域との界面に生成される。例文帳に追加
The foam 26 is formed in ≥1 layer of buffer region layer 22 and/or at the boundary between a coating region 16 and the buffer region 22. - 特許庁
アノード領域4と高抵抗領域8が接する第1界面6からカソード領域15と高抵抗領域8が接する第2界面12までの距離は50μm以上である。例文帳に追加
The distance from a first interface 6 at which the anode region 4 and the high resistance region 8 are in contact with each other through a second interface 12 at which the cathode region 15 and the high resistance region 8 are in contact with each other is 50 μm or greater. - 特許庁
界面領域114は、導電線の上表面上に形成され、界面領域114は、キャップ層の金属成分を含む。例文帳に追加
An interface region 114 is formed on the top surface of the conductive line, and the interface region 114 contains a metallic components of the cap layer. - 特許庁
前記界面領域の表面にはトンネル絶縁膜が設けられる。例文帳に追加
A tunnel insulating film is provided on a surface of the interface region. - 特許庁
トレッド面20におけるセンター領域22とショルダー領域24との界面は、接地面の外側にある。例文帳に追加
An interface of the center area 22 and the shoulder areas 24 in a tread surface 20 is outside a grounding face. - 特許庁
そして、この領域とレンズとの境界面(22)が粗面化されている。例文帳に追加
The interface (22) between the region and each of the lenses has been roughened. - 特許庁
非活性領域17では、n型ドリフト領域2bとp型仕切領域3bとが交互に配置されており、n型ドリフト領域2bとp型仕切領域3bは、第1の界面32に沿って延びるとともに、n型ストッパー領域19側で曲がって第2の界面31に沿って延びている。例文帳に追加
The n-type drift regions 2b and the p-type division regions 3b extend along a first interface 32, bend in the n-type stopper region 19 side, and further extend along a second interface 31. - 特許庁
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