「"バイポーラ接合トランジスタ"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

フォトダイオードと共に形成したバイポーラ接合トランジスタを提供する。例文帳に追加

To provide a bipolar junction transistor formed together with a photodiode. - 特許庁

縦型リプレイスメント・ゲート・トランジスタと両立性のあるバイポーラ接合トランジスタ例文帳に追加

BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR COMPATIBLE WITH VERTICAL REPLACEMENT GATE TRANSISTOR - 特許庁

第２の電力源は、前記バイポーラ接合トランジスタ(202)をターンオンするために利用される。例文帳に追加

A second power supply is utilized to turn on the bipolar junction transistor (202). - 特許庁

ＣＭＯＳ工程と統合されることができる高い利得を有するバイポーラ接合トランジスタ及びその形成方法例文帳に追加

BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR WITH HIGH GAIN THAT CAN BE INTEGRATED WITH CMOS PROCESS, AND ITS FORMING METHOD - 特許庁

ベース領域上に炭化ケイ素保護層を有する炭化ケイ素バイポーラ接合トランジスタとその製造方法例文帳に追加

SILICON CARBIDE BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR HAVING SILICON CARBIDE PASSIVATION LAYER ON BASE REGION AND METHOD OF FABRICATING THEREOF - 特許庁

ＣＭＯＳ工程に統合されることができる高利得を有するバイポーラ接合トランジスタ及びその形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a high-gain bipolar junction transistor that can be integrated with a CMOS process, and its forming method. - 特許庁

不純物ドープ・コレクタを備えない「コレクタ無し」シリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）バイポーラ接合トランジスタ（ＢＪＴ）を提供すること。例文帳に追加

To provide a "non-collector" silicon-on-insulator (SOI) bipolar junction transistor not provided with an impurity doped collector. - 特許庁

一実施形態において、一方法は、第１の電力源(204)に結合されるバイポーラ接合トランジスタ(202)を提供する。例文帳に追加

In one embodiment, a method provides a bipolar junction transistor (202) that is coupled to a first power supply (204). - 特許庁

縦型ＭＯＳＦＥＴの加工と両立性があるバイポーラ接合トランジスタ（ＢＪＴ）の構造および加工方法を提供する。例文帳に追加

To provide the structure of a bipolar junction transistor (BJT) compatible with a process of a vertical MOSFET and to provide a method for processing the same. - 特許庁

本発明に係るバイポーラ接合トランジスタでは、第１の導電型のエピタキシャル炭化ケイ素保護層が、炭化ケイ素エミッタメサの外側にあるエピタキシャル炭化ケイ素ベース層の少なくとも一部に設けられる。例文帳に追加

In this bipolar junction transistor, an epitaxial silicon carbide passivation layer 350 of the first conductivity type is provided on at least a portion of the epitaxial silicon carbide base layer 320 outside the silicon carbide emitter mesa. - 特許庁

第一の回路は、第一の形式の第一のMOSトランジスタ、第二の形式の第一のMOSトランジスタ、及び第一のバイポーラ接合トランジスタを含むようにする。例文帳に追加

The first circuit includes a first type first MOS transistor, a second type first MOS transistor, and a first bipolar junction transistor. - 特許庁

ＣＭＯＳ工程に統合されることができる本発明のバイポーラ接合トランジスタ形成方法は、ＣＭＯＳ工程でマスク工程及びイオン注入工程を追加することによってベース領域を形成する。例文帳に追加

The forming method of the bipolar junction transistor capable of being integrated with a CMOS process of this invention forms a base region by adding a mask process and ion implantation process to the CMOS process. - 特許庁

第二の回路を、第一の形式の第二のMOSトランジスタ、第二の形式の第二のMOSトランジスタ、抵抗器、及び第二のバイポーラ接合トランジスタから構成する。例文帳に追加

The second circuit is constituted of a first type second MOS transistor, a second type second MOS transistor, resistor, and a second bipolar junction transistor. - 特許庁

このように、静電誘導トランジスタおよびバイポーラ接合トランジスタのゲート領域およびベース領域が、セルフアラインプロセスで形成可能である。例文帳に追加

In this manner, gate and base regions of static induction transistors and bipolar junction transistors can be formed in a self-aligned process. - 特許庁

相変化材料が第１の相のときには半導体構造はバイポーラ接合トランジスタとして動作し、相変化材料が第２の相のときには半導体構造は電界効果トランジスタとして動作する。例文帳に追加

The semiconductor structure is operated as a bipolar junction transistor when the phase change material is in a first phase, and the semiconductor structure is operated as a MOSFET when the phase change material is in a second phase. - 特許庁

シリコンフォトダイオード検出ユニットおよび寄生垂直バイポーラ接合トランジスタ増幅ユニットがＣＭＯＳプロセスによって同時に形成され得るシリコン光検出モジュールを提供する。例文帳に追加

To provide a silicon photodetection module in which a silicon photodiode detection unit and a parasitic perpendicular bipolar junction transistor amplification unit are formed simultaneously by CMOS process. - 特許庁

これによって、ベース領域のドーピングレベル及び幅を高周波回路に最適の状態で調節することができるので、高利得の高周波回路に適するバイポーラ接合トランジスタを形成することができる。例文帳に追加

As a result, the doping level and width of the base region can be adjusted to a high-frequency circuit in an optical state, thereby making it possible to form the bipolar junction transistor suitable for the high-frequency circuit with high gain. - 特許庁

第１の導電型の炭化ケイ素（ＳｉＣ）コレクタ層、炭化ケイ素コレクタ層上の第２の導電型のエピタキシャル炭化ケイ素ベース層、およびエピタキシャル炭化ケイ素ベース層上の第１の導電型のエピタキシャル炭化ケイ素エミッタメサを含むバイポーラ接合トランジスタ（ＢＪＴ）を提供する。例文帳に追加

To provide a bipolar junction transistor (BJT) comprising a silicon carbide (SiC) collector layer of first conductivity type an epitaxial silicon carbide base layer of second conductivity type on the silicon carbide collector layer, and an epitaxial silicon carbide emitter mesa of the first conductivity type on the epitaxial silicon carbide base layer. - 特許庁