「"リン化ガリウム"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

酸化ホウ素（Ｂ_2Ｏ_3）を用いた液体封止引き上げ法（ＬＥＣ法）で育成される直径が６３．５ｍｍ（２．５インチ）以上のリン化ガリウム単結晶製造方法において、ウェーハのボイドの発生を抑制したリン化ガリウム単結晶製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a gallium phosphide single crystal, which is a method for growing the gallium phosphide single crystal having a diameter of ≥63.5 mm (2.5 inch) by a liquid encapsulation Czochralski method (LEC method) using boron oxide (B_2O_3), and by which the occurrence of voids in a wafer is suppressed. - 特許庁

砒化リン化ガリウム（ＧａＡｓ_1-XＰ_X：０≦Ｘ≦１）発光層に含硼素ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を接合させたヘテロ接合構造を利用して発光素子を構成する。例文帳に追加

A light-emitting element is constituted, utilizing a heterojunction structure of gallium arsenide phosphide (GaAs_1-XPX: 0≤X≤1) and a III-V compound semiconductor layer containing boron. - 特許庁

基板結晶との結晶格子の不整合性を回避し、結晶性に優れた窒化リン化ガリウム系発光構造を使用して高輝度の III族窒化物半導体発光素子を得る。例文帳に追加

To obtain a III nitride semiconductor light-emitting element of high brightness by avoiding mismatching of crystalline lattice to substrate crystal and using a gallium nitride phosphide light emitting structure which is excellent in crystallinity. - 特許庁

特に、砒化リン化ガリウム発光層以上の禁止帯幅を有する含硼素ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を発光層にヘテロ接合させる。例文帳に追加

In particular, the heterojunction of the mission layer and a III-V compound semiconductor layer containing boron having a forbidden band which is not narrower than that of gallium arsenide phosphide emission layer is utilized. - 特許庁

非晶質緩衝層を形成した後、これを徐々に結晶質に転化して、窒化リン化ガリウム系の発光部と格子整合を保って発光素子を構成する。例文帳に追加

After formation of an amorphous buffer layer, it is inverted to crystal gradually and a light- emitting element is constituted by keeping lattice matching to a gallium nitride phosphide light emission part. - 特許庁

液体封止引き上げ法による大口径のリン化ガリウム単結晶製造方法において、液体封止剤中の温度勾配と液体封止剤の上の縦方向の温度勾配をそれぞれ適正に制御する。例文帳に追加

In the method of manufacturing the large diameter gallium phosphide single crystal by the liquid encapsulation Czochralski method, the temperature gradient in a liquid encapsulation agent and the temperature gradient above the liquid encapsulation agent in the vertical direction are properly controlled. - 特許庁

酸化ホウ素（Ｂ_2Ｏ_3）を用いた液体封止引き上げ法（ＬＥＣ法）で、直径が６３．５ｍｍ（２．５インチ）以上のリン化ガリウム単結晶を育成する製造方法において、結晶直径ｄ／ルツボ内径Ｄｂを０．７以下とする。例文帳に追加

In the method for manufacturing the gallium phosphide single crystal having a diameter of ≥63.5 mm (2.5 in) by the LEC method using B_2O_3, the ratio (d/Db) of the crystal diameter d to the inner diameter Db of a crucible is set to be ≥0.7. - 特許庁

ヒ化ガリウム、リン化ガリウム、又はアンチモン化ガリウムと、マンガンとを混合して第１の焼成を行い、第１の焼成物を作製し、母体材料と、発光中心材料を構成する元素又はその元素を含む化合物とを混合して第２の焼成を行い、第２の焼成物を作製し、第２の焼成物に、第１の焼成物を混合して、第３の焼成を行うことにより発光材料を作製する。例文帳に追加

The light-emitting material is produced by mixing gallium arsenide, gallium phosphide or gallium antimonide with manganese and performing a first baking to prepare a first baked product, mixing a base material with an element constituting a luminescent center material or a compound containing the element and performing a second baking to prepare a second baked product, subsequently mixing the first baked product with the second baked product and performing a third baking. - 特許庁