例文 (2件) |
いたずら nの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 2件
To achieve an improvement in element characteristic of an n-type transistor by applying a polygate stress technology for very easily improving element characteristic of the n-type transistor and also achieve a highly reliable CMOS transistor for surely preventing deterioration in the characteristic of a p-type transistor and not resulting in unnecessary increase in the manufacturing steps and manufacturing cost.例文帳に追加
極めて簡易にn型トランジスタの素子特性を向上させることのできるポリゲートストレス技術を適用してn型トランジスタの素子特性の特性を改善を実現するも、p型トランジスタの特性劣化を確実に防止し、しかも徒に工程数や製造コストの増加をもたらすことのない信頼性の高いCMOSトランジスタを実現する。 - 特許庁
To ensure a sufficient job function difference of a gate electrode and remarkably improve drive characteristic of transistor without a manufacturing process that is unnecessarily difficult in execution in an n-channel transistor and a p-channel transistor of CMOS transistor or the like.例文帳に追加
CMOSトランジスタ等において、nチャネル型トランジスタとpチャネル型トランジスタとで、徒に実行困難な製造プロセスを伴うことなくゲート電極の十分な仕事関数差の確保を可能とし、トランジスタの駆動特性を大幅に向上させる。 - 特許庁
例文 (2件) |
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