1016万例文収録!

「しょうたんけい」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索


小窓モード

プレミアム

ログイン
設定

設定

Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > しょうたんけいに関連した英語例文

セーフサーチ:オン

不適切な検索結果を除外する

不適切な検索結果を除外しない

セーフサーチについて

しょうたんけいの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 42687



例文

炭化珪素単結晶の製造方法及び製造装置例文帳に追加

METHOD AND DEVICE FOR PRODUCING SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL - 特許庁

炭化珪素単結晶育成用原料の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR PRODUCING RAW MATERIAL FOR SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL PROMOTION - 特許庁

単結晶炭化珪素部材の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR PRODUCING SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE MEMBER - 特許庁

昇華用原料微粉末5とキャリアガス3を炭化ケイ素種結晶を備える炭化ケイ素単結晶成長雰囲気内に供給する工程と、昇華用原料微粉末5を加熱し昇華させる工程と、昇華したガスを炭化ケイ素種結晶2上に供給し炭化ケイ素種結晶上に炭化ケイ素単結晶を成長させる工程と、を含む炭化ケイ素単結晶の製造方法。例文帳に追加

The method for producing a silicon carbide single crystal includes steps of: supplying a source fine powder 5 for sublimation and a carrier gas 3 to an atmosphere for growing a silicon carbide single crystal, the atmosphere including a silicon carbide seed crystal; heating to sublimate the source fine powder 5 for sublimation; and supplying the sublimated gas onto the silicon carbide seed crystal 2 to grow a silicon carbide single crystal on the silicon carbide seed crystal. - 特許庁

例文

炭化珪素単結晶の製造方法、製造装置および炭化珪素単結晶成長用基板と単結晶の加熱処理方法例文帳に追加

METHOD AND APPARATUS OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE, SUBSTRATE FOR SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL GROWING AND METHOD OF HEAT TREATMENT OF SINGLE CRYSTAL - 特許庁


例文

良好な品質の単結晶を製造することができる炭化ケイ素単結晶の製造装置及び炭化ケイ素単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus and a method for producing a silicon carbide single crystal, producible of a single crystal with good quality. - 特許庁

炭化珪素エピタキシャル成長用炭化珪素単結晶ウェハ及び炭化珪素エピタキシャルウェハ例文帳に追加

SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL WAFER FOR EPITAXIAL GROWTH OF SILICON CARBIDE AND SILICON CARBIDE EPITAXIAL WAFER - 特許庁

炭化珪素結晶インゴット、炭化珪素結晶ウエハおよび炭化珪素結晶インゴットの製造方法例文帳に追加

SILICON CARBIDE CRYSTAL INGOT, SILICON CARBIDE CRYSTAL WAFER, AND METHOD FOR PRODUCING THE SILICON CARBIDE CRYSTAL INGOT - 特許庁

携帯無線通信端末、認証システム、携帯無線通信端末の認証方法、携帯無線通信端末の認証プログラム例文帳に追加

PORTABLE RADIO COMMUNICATION TERMINAL, AUTHENTICATION SYSTEM, AUTHENTICATION METHOD FOR PORTABLE RADIO COMMUNICATION TERMINAL, AND AUTHENTICATION PROGRAM FOR PORTABLE RADIO COMMUNICATION TERMINAL - 特許庁

例文

携帯情報端末認証システム、携帯情報端末認証方法および携帯情報端末認証プログラム例文帳に追加

PORTABLE INFORMATION TERMINAL AUTHENTICATION SYSTEM, PORTABLE INFORMATION TERMINAL AUTHENTICATION METHOD AND PORTABLE INFORMATION TERMINAL AUTHENTICATION PROGRAM - 特許庁

例文

携帯端末内蔵認証装置、携帯端末用認証プログラム及びその記録媒体、携帯端末を利用する認証方法例文帳に追加

AUTHENTICATION DEVICE BUILT IN PORTABLE TERMINAL, AUTHENTICATION PROGRAM FOR PORTABLE TERMINAL, RECORDING MEDIUM THEREOF, AND AUTHENTICATION METHOD USING PORTABLE TERMINAL - 特許庁

不在者の携帯端末による認証操作の負担を軽減して、認証操作に伴う携帯端末の消費電力の増大を抑制する。例文帳に追加

To suppress an increase in power consumption of a portable terminal caused by an authentication operation by reducing the burden of the authentication operation by the portable terminal of an absent person. - 特許庁

炭化珪素焼結体、その炭化珪素焼結体を用いたメカニカルシール及びその炭化珪素焼結体を用いたセグメントシール例文帳に追加

SILICON CARBIDE SINTERED COMPACT, AND MECHANICAL SEAL AND SEGMENT SEAL USING THE SILICON CARBIDE SINTERED COMPACT - 特許庁

炭化珪素単結晶ウェハの結晶欠陥検査方法および結晶欠陥検査装置例文帳に追加

CRYSTAL DEFECT INSPECTION METHOD AND CRYSTAL DEFECT INSPECTION APPARATUS OF SILICON CARBIDE SINGLE-CRYSTAL WAFER - 特許庁

炭化珪素単結晶の結晶欠陥検査方法および結晶欠陥検査装置例文帳に追加

CRYSTAL DEFECT INSPECTION METHOD AND CRYSTAL DEFECT INSPECTION APPARATUS OF SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL - 特許庁

単結晶小径部凹部への支持部材挿入確認方法および単結晶引上げ装置例文帳に追加

CONFIRMATION OF INSERTION OF SUPPORTER INTO SMALL- DIAMETER DEPRESSION IN SINGLE CRYSTAL AND SINGLE CRYSTAL PULLER - 特許庁

続く焼成工程では、固形物31を焼成して炭素粉末を炭素化して焼成品を得る。例文帳に追加

In a following firing process, the solid material 31 is fired to carbonize the carbon powder to obtain a fired material. - 特許庁

ケイ素基板上に立方晶炭化ケイ素結晶膜を形成する方法例文帳に追加

METHOD FOR FORMING CUBIC SILICON CARBIDE CRYSTAL FILM ON SILICON SUBSTRATE - 特許庁

単結晶の断面形状に対応するパターンを傾斜面に形成する。例文帳に追加

Patterns corresponding to cross-sectional shapes of single crystals are formed on the inclined surface. - 特許庁

携帯端末を衝撃を緩和できる形状に形成すること。例文帳に追加

To form a mobile terminal in a profile capable of relaxing impacts. - 特許庁

炭化珪素単結晶基板の研磨用水系研磨スラリー及び研磨法。例文帳に追加

AQUEOUS POLISHING SLURRY FOR POLISHING SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND POLISHING METHOD - 特許庁

Mnk−1タンパク質およびMnk−2タンパク質の結晶学的構造例文帳に追加

CRYSTALLOGRAPHIC STRUCTURE OF MNK-1 PROTEIN AND MNK-2 PROTEIN - 特許庁

炭化ケイ素粉末及びその製造方法並びに炭化ケイ素焼結体例文帳に追加

SILICON CARBIDE POWER AND ITS MANUFACTURING METHOD AND SILICON CARBIDE SINTERED COMPACT - 特許庁

携帯端末,携帯端末における認証方法およびプログラム例文帳に追加

PORTABLE TERMINAL, AND AUTHENTICATION METHOD AND PROGRAM IN PORTABLE TERMINAL - 特許庁

携帯型端末システム、生体認証装置及び携帯型端末装置例文帳に追加

PORTABLE TERMINAL SYSTEM, BIOMETRICS DEVICE AND PORTABLE TERMINAL DEVICE - 特許庁

炭化珪素単結晶ウェハの口径は50mm以上とする。例文帳に追加

The diameter of the silicon carbide single crystal wafer is specified to 50 mm or more. - 特許庁

炭化ケイ素表面リッチ層を備える炭化ケイ素焼結体例文帳に追加

SILICON CARBIDE SINTERED COMPACT HAVING SILICON CARBIDE SURFACE RICH LAYER - 特許庁

炭化ケイ素焼結体の熱処理方法および炭化ケイ素熱処理体例文帳に追加

HEAT TREATMENT METHOD FOR SILICON CARBIDE SINTERED BODY AND HEAT-TREATED SILICON CARBIDE - 特許庁

携帯情報端末及び携帯情報端末に用いる液晶表示素子例文帳に追加

PORTABLE INFORMATION TERMINAL AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE USED FOR THE PORTABLE INFORMATION TERMINAL - 特許庁

携帯端末装置および携帯端末装置における省電力制御方法例文帳に追加

MOBILE TERMINAL AND POWER SAVING CONTROL METHOD IN THE SAME - 特許庁

きりたんぽ自動製造機ときりたんぽ成形機と焙焼部と串抜機例文帳に追加

AUTOMATIC PRODUCING MACHINE AND FORMING MACHINE OF MASHED RICE PUT ON CHOPSTICK, AND ROASTING PART, AND STICK EXTRACTING MACHINE - 特許庁

焼結用炭化珪素粉末の製造法および炭化珪素焼結体の製造法例文帳に追加

Manufacturing processes of silicon carbide powder for sintering silicon carbide sintered compact  - 特許庁

窒化ガリウム系単結晶の育成方法およびそれにより得られる窒化ガリウム系単結晶例文帳に追加

GROWING METHOD OF GALLIUM NITRIDE SINGLE CRYSTAL, AND GALLIUM NITRIDE SINGLE CRYSTAL OBTAINED BY IT - 特許庁

ランガサイト系単結晶基板の製造方法、ランガサイト系単結晶基板および圧電デバイス例文帳に追加

METHOD FOR PRODUCING LANGASITE-BASED SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE, LANGASITE-BASED SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND PIEZOELECTRIC DEVICE - 特許庁

商品販売方法、商品販売システム、携帯端末および携帯端末用プログラム例文帳に追加

MERCHANDISE SALES METHOD AND MERCHANDISE SALES SYSTEM AND PORTABLE TERMINAL AND PROGRAM FOR PORTABLE TERMINAL - 特許庁

携帯無線端末における液晶表示画面の照明制御方法および携帯無線端末例文帳に追加

ILLUMINATION CONTROL METHOD OF LIQUID CRYSTAL SCREEN IN PORTABLE RADIO TERMINAL AND PORTABLE RADIO TERMINAL - 特許庁

故障防止機能付き携帯端末装置および携帯端末装置の故障防止方法例文帳に追加

PORTABLE TERMINAL WITH FAILURE PREVENTION FUNCTION, AND FAILURE PREVENTION METHOD FOR PORTABLE TERMINAL - 特許庁

多孔質炭化珪素焼結体およびこの多孔質炭化珪素焼結体の製造方法例文帳に追加

POROUS SILICON CARBIDE SINTERED COMPACT AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

炭化珪素焼結体用原料およびそれを用いて得られる炭化珪素焼結体例文帳に追加

RAW MATERIAL FOR SILICON CARBIDE SINTERED COMPACT AND SILICON CARBIDE SINTERED COMPACT OBTAINED USING THE SAME - 特許庁

通信網における故障復旧経路探索方法及び故障復旧経路探索プログラム例文帳に追加

METHOD AND PROGRAM FOR SEARCHING FAILURE RESTORATION PATH IN COMMUNICATION NETWORK - 特許庁

最小コスト経路探索装置及びそれに用いる最小コスト経路探索方法例文帳に追加

MINIMUM-COST PATH SEARCH SYSTEM AND MINIMUM-COST PATH SEARCH METHOD FOR USE IN THE SAME - 特許庁

タン光照射装置、3次元形状計測装置、及びパタン光照射方法例文帳に追加

PATTERNED LIGHT IRRADIATION APPARATUS, THREE-DIMENSIONAL SHAPE MEASURING APPARATUS, AND PATTERNED LIGHT IRRADIATION METHOD - 特許庁

4H型炭化珪素単結晶育成用種結晶と4H型炭化珪素単結晶インゴット及びその製造方法例文帳に追加

SEED CRYSTAL FOR GROWING 4H SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL, 4H SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL INGOT, AND METHOD FOR PRODUCING THE SEED CRYSTAL - 特許庁

炭化珪素単結晶インゴット及びその製造方法並びに炭化珪素単結晶育成用種結晶の装着方法例文帳に追加

SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL INGOT, PRODUCTION METHOD THEREFOR AND METHOD FOR MOUNTING SEED CRYSTAL FOR GROWING SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL - 特許庁

昇華用原料の利用率を向上させることができる炭化珪素単結晶の製造装置及び炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus and method for manufacturing a silicon carbide single crystal, wherein the utilization rate of a raw material for sublimation is improved. - 特許庁

炭化ケイ素単結晶成長用種結晶の製造方法及び炭化ケイ素単結晶の製造方法例文帳に追加

PRODUCTION METHOD OF SEED CRYSTAL FOR GROWTH OF SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL, AND PRODUCTION METHOD OF SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL - 特許庁

結晶欠陥の少ない炭化珪素単結晶、炭化珪素単結晶ウェハ及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a silicon carbide single crystal and a silicon carbide single crystal wafer having no crystal defect, and to provide a method for manufacturing the crystal. - 特許庁

炭化珪素単結晶の表面の炭化を防止しつつ、昇華用原料の底部に炭化珪素の多結晶が析出することを抑制する。例文帳に追加

To effectively suppress the deposition of a polycrystal of silicon carbide on the bottom part of a raw material for sublimation while preventing the carbonization of the surface of a silicon carbide single crystal. - 特許庁

炭化珪素単結晶成長用種結晶およびその製造方法並びに炭化珪素単結晶およびその製造方法例文帳に追加

SEED CRYSTAL FOR GROWTH OF SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL, AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME - 特許庁

例文

結晶性の良好な炭化珪素単結晶インゴットを容易に製造することができる炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a silicon carbide single crystal by which a silicon carbide single crystal ingot having good crystallinity is easily produced. - 特許庁

索引トップ用語の索引



  
Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
  
Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する
英→日 日→英
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する

©2024 GRAS Group, Inc.RSS