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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > アクセプタ準位に関連した英語例文

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アクセプタ準位の部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 10



例文

このように障壁層4a内にアクセプタ準位およびドナーが不均一に形成されているため、井戸層4b内に電勾配が発生する。例文帳に追加

In this way the acceptor level and the donor level are formed uniformly in the barrier layer 4a, so a potential graduation is generated in the well layer 4b. - 特許庁

例えば、エミッタ電極1のダイヤモンド半導体薄膜1bに対してボロンを添加すると、アクセプタ準位は伝導帯から約5.1eVに存在し、コレクタ電極2のダイヤモンド半導体薄膜2bに対して窒素を添加すると、ドナーは伝導帯から約1.7eVに存在する。例文帳に追加

For example, when boron is added to a diamond semiconductor thin film 1b of the emitter electrode 1, an acceptor level is present at approximately 5.1 eV from a conduction band and when nitrogen is added to a diamond semiconductor thin film 2b of the collector electrode 2, a donor level is present at approximately 1.7 eV from the conduction band. - 特許庁

障壁層4a内で井戸層4bの[001]方向側の界面と接する部分にアクセプタ準位が多く形成され、障壁層4a内で井戸層4bの[00-1]方向側の界面と接する部分にドナーが多く形成され、変調ドーピング構造となっている。例文帳に追加

In the barrier layer 4a, there are many acceptor levels generated in a position in contact with a boundary on the [001] orientation side of the well layer 4b and many donor levels generated in a position in contact with a boundary on the [00-1] orientation side of the well layer 4b to form a modulation doping structure. - 特許庁

フィン型半導体領域13の上部及び側部には、半導体にドナー又はアクセプタ準位を生成する第1の不純物が導入されていると共に、フィン型半導体領域13の上部には、半導体を絶縁物化する第2の不純物がさらに導入されている。例文帳に追加

A first impurity generating a donor level or acceptor level in a semiconductor is introduced in upper and side parts of the fin type semiconductor regions 13, and a second impurity making the semiconductor into an insulator is further introduced in the upper parts of the fin type semiconductor regions 13. - 特許庁

例文

酸化亜鉛にSb、Biなどドナーの深いドーパントをドーピング、又は、ドナーとアクセプターの複数ドーパントをドーピングすることにより、自己吸収の低減により蛍光寿命の短いエキシトン発光の発光強度の改善が達成される。例文帳に追加

Light emitting intensity of exciton light emission having the short fluorescent life by reduction of self-absorption is improved by doping a dopant such as Sb and Bi having a deep donor level or doping a plurality of dopants of a donor and an acceptor in the zinc oxide. - 特許庁


例文

不純物拡散層110は、AlGaN層104に対しアクセプタ性を示す不純物が拡散し、且つ、AlGaN層104における窒素空孔と不純物とが結合してなる不純物が、AlGaN層104の伝導帯端の近傍に形成される。例文帳に追加

In the impurity diffusion layer 110, impurities which show acceptor properties to the AlGaN layer 104 are diffused, and an impurity level obtained through coupling nitrogen holes of the AlGaN layer 104 with the impurities is formed nearby a conduction band end of the AlGaN layer 104. - 特許庁

キャップ層50は、少なくとも表面側で、少なくともゲート電極100のドレイン電極90側の側面に接する領域に、アクセプタ準位を形成する不純物がドーピングされるドーピング領域60を備える。例文帳に追加

The cap layer 50 has a doping region 60, doped with an impurity forming an acceptor level, in a region coming into contact with at least a side face of the gate electrode 100 on the side of the drain electrode 90 at least on a top surface side. - 特許庁

アクセプタ準位から高い割合で正孔が放出されるので、該ベース層の抵抗が低下し、正孔が蓄積された領域が実効的ベース層となり、その幅W_effが構造上のベース層幅W_bよりも小であるので、電流利得が(W_b/W_eff)^2倍(この倍率は1よりも大)に向上する。例文帳に追加

Since holes are discharged at a high rate from the acceptor level, the resistance of that base layer drops, and a region where the positive poles are accumulated becomes an effective base layer; and since the width Weff is smaller than the width Wb of the structural base layer, the current gain rises (Wb/Weff)^2 times (this magnification is larger than 1). - 特許庁

Mgドープp型InGaNで構成されるベース層をエミッタ層とコレクタ層とで挟んで形成したヘテロ接合バイポーラトランジスタであって、該ベース層のIn組成を該エミッタ層から該ベース層に至る間の距離に応じて変化させて、該ベース層中のアクセプタ準位の深さをバンドギャップと共に変化させたことを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタを構成する。例文帳に追加

In this heterojunction bipolar transistor, where a base layer constituted of an Mg-doped p-type INGaN is made between an emitter layer and a collector layer, In composition of that base layer is changed, according to the distance from that emitter layer to that base layer, and the depth of the acceptor level within that base layer is changed together with a band gap. - 特許庁

例文

ZnSを第一の主成分とし、第二成分としてII-VI族の化合物半導体を一部含む、または含まない半導体中に、アクセプタ準位を形成する第一添加元素(Cu、Ag、Au、Li、Na、N、As、P、Sb)と、ドナーを形成する第二添加元素(Cl、Al、I、F、Br)を含み、エレクトロルミネッセンス、フォトルミネッセンス、カソードルミネッセンスにより波長が400nm以下の可視光線または紫外線を発光する機能を持つことを特徴とする蛍光体である。例文帳に追加

A porous body and a light-emitting device comprising the phosphor are also provided. - 特許庁

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