| 例文 (8件) |
イオンインプランテーションを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 8件
イオンインプランテーション用感放射線性樹脂組成物、及びイオンインプランテーション用パターン形成方法例文帳に追加
RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION FOR ION IMPLANTATION AND PATTERN FORMING METHOD FOR ION IMPLANTATION - 特許庁
ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法及びイオンインプランテーション方法例文帳に追加
POSITIVE RESIST COMPOSITION, METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN AND ION IMPLANTATION METHOD - 特許庁
拡散領域は、気相ドーピング、プラズマドーピング、あるいはプラズマ浸漬イオンインプランテーションにより形成される。例文帳に追加
The diffused region 367 is formed through vapor-phase doping, plasma doping, or plasma infiltration ion implantation. - 特許庁
したがって、超高真空中でのエピタキシャル成長やイオンインプランテーションなどを用いる必要がない。例文帳に追加
Thereby, use of epitaxial growth, ion implantation or the like in ultra-high vacuum is unnecessary. - 特許庁
半導体シリコン単結晶ウェーハに表面あるいは裏面から重金属元素をイオンインプランテーションして重金属存在層を形成するとともに前記重金属存在層をゲッタリング層としたことを特徴とする。例文帳に追加
A heavy metal element is ion-implanted to the semiconductor silicon single crystal wafer from the front or rear surface to form a heavy metal-existing layer, and the heavy metal-existing layer is used as a gettering layer. - 特許庁
次に、前記ポリシリコン層の第１領域におけるソース／ドレインと、前記フォトレジスト層のエッジ部分の下の前記第２領域におけるＬＤＤとを形成するマスクとして前記フォトレジスト層を使用し、イオンインプランテーションプロセスを行う。例文帳に追加
Next, ion implantation process is performed, using the photoresist layer as a mask for forming a source/drain in the first region of the polysilicon layer and the LDD in the second region below the edge portion of the photoresist layer. - 特許庁
本発明に係る配線基板は、基板１と；基板１上に形成され、スパッタリング或いはイオンインプランテーションによる粗面化処理を施された第１配線２と；第１配線２上に形成され、第１配線２と電気的に導通された第２配線（３または４）と；を有して成る構成とされている。例文帳に追加
The wiring board comprises a substrate 1, a first line 2 formed on the substrate 1 and subjected to surface roughing by sputtering or ion plantation, and a second wire 3 or 4 formed on the first wire 2 and electrically connected with the first wire 2. - 特許庁
薄膜であってもイオン遮断性及びレジストの耐破壊性に優れ、基板上に反射防止膜が形成されていない場合にも、良好な感度及び解像度を有し、良好なパターンの形状、及びパターン変動幅の小さいレジスト膜を形成可能なイオンインプランテーション用感放射線性樹脂組成物を提供する。例文帳に追加
To provide a radiation-sensitive resin composition for ion implantation forming a resist film which is excellent in ion blocking property and in the breaking resistance of the resist even in the case of a thin film, has good sensitivity and resolution even when an antireflection film is not formed on a substrate, and ensures a good pattern profile and a small pattern variation range. - 特許庁
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