「ポリシリコン薄膜トランジスタ」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

アモルファスシリコン薄膜トランジスタとポリシリコン薄膜トランジスタとを備えた薄膜トランジスタパネルにおいて、より一層の小型化を図る。例文帳に追加

To further miniaturize a thin-film transistor panel having an amorphous silicon thin-film transistor, and to provide a polysilicon thin film transistor. - 特許庁

ポリシリコン薄膜トランジスタ基板の製造方法、ポリシリコン薄膜トランジスタ基板及び液晶表示装置例文帳に追加

POLYSILICON THIN-FILM TRANSISTOR SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING SAME, AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY - 特許庁

トップゲート形ポリシリコン薄膜トランジスター製造方法例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING TOP GATE-TYPE POLYSILICON THIN FILM TRANSISTOR - 特許庁

ゲートオーバーラップ型ＬＤＤポリシリコン薄膜トランジスタ例文帳に追加

GATE OVERLAP TYPE LDD POLYSILICON THIN FILM TRANSISTOR - 特許庁

ポリシリコン評価装置及び薄膜トランジスタ製造システム例文帳に追加

POLYSILICON EVALUATION APPARATUS AND THIN FILM TRANSISTOR MANUFACTURING SYSTEM - 特許庁

ポリシリコン薄膜トランジスタの信頼性を改善する製造方法例文帳に追加

MANUFACTURING METHOD FOR IMPROVING RELIABILITY IN POLYSILICON THIN-FILM TRANSISTOR - 特許庁

ポリシリコン薄膜トランジスタおよびこれを用いた液晶表示装置例文帳に追加

POLYSILICON THIN FILM TRANSISTOR AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE USING THE SAME - 特許庁

ポリシリコン評価装置及び薄膜トランジスタ製造システム例文帳に追加

POLISILICON EVALUATION DEVICE AND THIN-FILM TRANSISTOR PRODUCTION SYSTEM - 特許庁

低温ポリシリコン薄膜トランジスタ及びその製造方法例文帳に追加

LOW-TEMPERATURE POLYSILICON THIN-FILM TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME - 特許庁

ポリシリコン活性層を含む薄膜トランジスタ及び製造方法例文帳に追加

THIN-FILM TRANSISTOR INCLUDING POLYSILICON ACTIVE LAYER, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME - 特許庁

ポリシリコンの平坦化方法およびその方法から得られるポリシリコンからなる薄膜トランジスタ例文帳に追加

PLANARIZATION METHOD FOR POLYSILICON AND THIN FILM TRANSISTOR CONSISTING OF POLYSILICON OBTAINED FROM METHOD THEREOF - 特許庁

次いで、このポリシリコン層３’を薄膜トランジスタのポリシリコンアイランドにパターン化する。例文帳に追加

The polysilicon layer 3' is patterned to the polysilicon island of the thin-film transistor. - 特許庁

ポリシリコン評価方法、ポリシリコン検査装置及び薄膜トランジスタ製造方法例文帳に追加

POLYSILICON EVALUATION METHOD, POLYSILICON INSPECTION DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THIN FILM TRANSISTOR - 特許庁

ポリシリコンの形成方法、当該ポリシリコンを備える薄膜トランジスタ及びその形成方法例文帳に追加

METHOD FOR FORMING POLYSILICON, THIN FILM TRANSISTOR HAVING THE POLYSILICON, AND METHOD FOR FORMING THE THIN FILM TRANSISTOR - 特許庁

薄膜トランジスタ製造システム及び方法、ポリシリコン評価方法及びポリシリコン検査装置例文帳に追加

SYSTEM AND METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM TRANSISTOR, METHOD FOR EVALUATING POLYSILICON, AND POLYSILICON INSPECTION DEVICE - 特許庁

アモルファスシリコン薄膜トランジスタを直接にポリシリコン薄膜トランジスタへ変換するポリシリコン薄膜トランジスタの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a fabrication method of a polysilicon thin film transistor for directly transforming an amorphous silicon thin film transistor into the polysilicon thin film transistor. - 特許庁

多層チャンネルパッシベーション段階を有する低温ポリシリコン薄膜トランジスターの製造方法例文帳に追加

METHOD FOR PRODUCING LOW-TEMPERATURE POLYSILICON THIN FILM TRANSISTOR HAVING MULTILAYER CHANNEL PASSIVATION STEP - 特許庁

ポリシリコン薄膜トランジスターにふさわしいＡ／Ｄ変換回路を提供する。例文帳に追加

To provide an A/D conversion circuit suitable for poly-silicon thin film transistors. - 特許庁

改質されたポリシリコン膜１０５に薄膜トランジスタ等の画素回路を形成する。例文帳に追加

A pixel circuit, such as a thin film transistor is formed on the reformed polysilicon film 105. - 特許庁

自己整合ＬＤＤ構造を備えたポリシリコン薄膜トランジスタ及びその製造方法例文帳に追加

POLYSILICON THIN FILM TRANSISTOR HAVING SELF-ALIGNED LDD STRUCTURE AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

ポリシリコン活性層を含む薄膜トランジスタ及びその製造方法とアレイ基板例文帳に追加

THIN-FILM TRANSISTOR CONTAINING POLYSILICON ACTIVE LAYER, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND ARRAY SUBSTRATE - 特許庁

ポリシリコン薄膜トランジスタ基板の製造方法及び液晶表示装置例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING POLYSILICON THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY - 特許庁

ポリシリコン層形成方法及びこれを用いた薄膜トランジスタの製造方法例文帳に追加

METHOD OF FORMING POLYSILICON LAYER AND METHOD OF MANUFACTURING THIN FILM TRANSISTOR USING SAME - 特許庁

ＬＤＤ構造のポリシリコン薄膜トランジスタのトランジスタ特性を改善する。例文帳に追加

To improve transistor characteristics of the polysilicon thin film transistor of an LDD structure. - 特許庁

ポリシリコン評価方法並びに薄膜トランジスタ製造システム及び方法例文帳に追加

METHOD OF EVALUATING POLYSILICON, THIN FILM TRANSISTOR MANUFACTURING SYSTEM, AND METHOD OF THE SAME - 特許庁

ポリシリコン活性層を含む薄膜トランジスタの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a thin-film transistor containing a polysilicon active layer. - 特許庁

薄膜トランジスタの活性層として使用可能な移動度が大きなポリシリコン層となる。例文帳に追加

A polysilicon layer showing the mobility can be obtained as the layer that may be used as the active layer of a thin film transistor. - 特許庁

トップゲートセルフアラインポリシリコン薄膜トランジスタ、その製造方法、及びアレイ例文帳に追加

TOP GATE SELF-ALIGNED POLYSILICON THIN FILM TRANSISTOR, ITS MANUFACTURING METHOD AND ARRAY - 特許庁

ポリシリコン層を備えた薄膜トランジスタの製造工程を短縮し、薄膜トランジスタをローコストに製造することが可能な薄膜トランジスタの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a thin-film transistor capable of manufacturing a thin-film transistor inexpensively by shortening the manufacturing process of a thin-film transistor having a polysilicon layer. - 特許庁

次に、アモルファスシリコン層１０６中に結晶化を発生させてポリシリコンを形成し、ポリシリコン薄膜トランジスタを得る。例文帳に追加

Next, a polysilicon thin film transistor is obtained by occurring crystallization in the amorphous silicon layer 106 to form polysilion. - 特許庁

ポリシリコン膜の形成方法およびその方法により形成したポリシリコン膜からなる薄膜トランジスタ例文帳に追加

FORMING METHOD OF POLYSILICON FILM AND THIN FILM TRANSISTOR CONSISTING OF POLYSILICON FILM FORMED BY THIS METHOD - 特許庁

ポリシリコン膜の形成方法、その方法で形成されたポリシリコン膜を備える薄膜トランジスタおよびその製造方法例文帳に追加

FORMING METHOD OF POLYSILICON FILM, THIN FILM TRANSISTOR EQUIPPED WITH POLYSILICON FILM AND FORMED BY METHOD, AND MANUFACTURING METHOD OF TRANSISTOR - 特許庁

ポリシリコン結晶化方法、そして、これを用いたポリシリコン薄膜トランジスタの製造方法及び液晶表示素子の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR CRYSTALLIZING POLYSILICON, METHOD FOR FABRICATING POLYSILICON THIN FILM TRANSISTOR USING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING LIQUID CRYSTAL DISPLAY - 特許庁

ポリシリコンの形成方法、前記ポリシリコンを備える薄膜トランジスタ、及びその形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for forming polysilicon, a thin film transistor having the polysilicon, and a method for forming the thin film transistor. - 特許庁

ポリシリコン膜の結晶状態検査装置、これを用いたポリシリコン膜の結晶状態検査方法及び薄膜トランジスタの製造システム例文帳に追加

DEVICE FOR INSPECTING CRYSTAL STATE OF POLY SILICONE FILM, METHOD OF INSPECTING CRYSTAL STATE OF POLY SILICONE FILM USING THE SAME, AND SYSTEM FOR MANUFACTURING THIN FILM TRANSISTOR - 特許庁

ポリシリコン膜の形成方法、その方法で形成されたポリシリコン膜を備える薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a forming method of a polysilicon film, a thin film transistor equipped with a polysilicon film formed by the method, and a manufacturing method of the thin film transistor. - 特許庁

レーザアニールによるアモルファスシリコンからポリシリコンへの移行過程で表面が粗くなることを抑制するポリシリコンパターンの形成方法、薄膜トランジスタの製造方法及び薄膜トランジスタを提供すること。例文帳に追加

To provide a method for forming a polysilicon pattern which can suppress surface roughness in a conversion process from amorphous silicon into polysilicon by laser annealing, a thin film transistor, and a method for manufacturing the same. - 特許庁

レーザアニールポリシリコン膜を用いた薄膜トランジスタは、固相成長ポリシリコン膜を用いた薄膜トランジスタに比べて電気的特性のバラツキが大きい。例文帳に追加

To eliminate a problem that a thin-film transistor using a laser annealed polysilicon film has a larger variation in electric characteristics than the one using a solid-phase growth polysilicon film. - 特許庁

ポリシリコン層の改質方法、ポリシリコン太陽電池の製造方法及びポリシリコン型薄膜トランジスタの製造方法並びにポリシリコン層の改質装置例文帳に追加

METHOD AND APPARATUS FOR REFORMING POLYSILICON LAYER, METHOD OF MANUFACTURING POLYSILICON SOLAR CELL, AND METHOD OF MANUFACTURING POLYSILICON TYPE THIN-FILM TRANSISTOR - 特許庁

ポリシリコンの薄膜トランジスタＰＴＦＴが形成された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）基板５００に画素を構成する薄膜トランジスタＰＴＦＴと、発熱層７００と断熱層７０１および放熱層７０２の積層構造からなる音波発生デバイスＳＰ０１が形成されている。例文帳に追加

In the image display device, a thin film transistor PTFT constituting a pixel and a sonic wave generating device SP01 comprising a stacked layer structure of a heat generating layer 700, a heat insulating layer 701 and a heat radiating layer 702 are formed on a thin transistor TFT substrate 500 formed with a thin film transistor PTFT of polysilicon. - 特許庁

薄膜トランジスタのソース領域４ａ及びドレイン領域４ｂを内部に有するポリシリコン膜４上には、薄膜トランジスタのゲート絶縁膜５が形成されている。例文帳に追加

A gate insulating film 5 of the thin film transistor is formed on the polysilicon film 4 having the source region 4a and the drain region 4b of the thin film transistor inside. - 特許庁

薄膜トランジスタ１０１は、ゲート電極２２上にゲート絶縁膜２４を介してポリシリコンからなる半導体薄膜２７が形成されたボトムゲート型の薄膜トランジスタである。例文帳に追加

The thin film transistor 101 is a bottom gate type thin film transistor where a semiconductor thin film 27 of polysilicon is formed on a gate electrode 22 through a gate insulating film 24. - 特許庁

光によるリーク電流の少ない、高性能のポリシリコン薄膜トランジスタ、及びその薄膜トランジスタを用いた表示デバイスを製造する。例文帳に追加

To manufacture a high performance polysilicon thin film transistor which is reduced in leakage current caused by light, and further manufacture a display device using the thin film transistor. - 特許庁

多層チャンネルパッシベーション段階を有する低温ポリシリコン薄膜トランジスターの製造方法、を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a low-temperature polysilicon thin film transistor having a multilayer channel passivation step. - 特許庁

そして、薄膜トランジスタのしきい値電圧を制御するため、不純物をポリシリコン膜３の中にイオン注入する。例文帳に追加

For controlling threshold voltage of the thin film transistor, impurity is ion-implanted into the polysilicon film 3. - 特許庁