「ポリシリコン薄膜トランジスタ」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

本発明は、大面積のポリシリコン表面に応用出来る、ポリシリコンの平坦化方法および該方法により得られたポリシリコンからなる薄膜トランジスタを提供する。例文帳に追加

To provide a planarization method for polysilicon and a thin film transistor consisting of the polysilicon obtained by the method that apply with respect to a polysilicon surface having a large area. - 特許庁

ポリシリコン薄膜３と、ポリシリコン薄膜上に形成されたゲート絶縁膜４と、ゲート絶縁膜上に形成されたゲート導電膜５とを含んで構成されたポリシリコン薄膜トランジスタをガラス基板１上に備える。例文帳に追加

A polysilicon thin-film transistor, composed including a polysilicon thin film 3, the gate insulating film 4 formed on the polysilicon thin film, and gate conductive film 5 formed on the gate insulating film, is equipped on a glass substrate 1. - 特許庁

結晶化されたポリシリコンの結晶粒が突出して荒れた表面を平坦化して半導体層の電気的特性を向上させることができるポリシリコン薄膜トランジスタ基板の製造方法及びそれによって製造された薄膜トランジスタ基板を含む液晶表示装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a polysilicon thin film transistor substrate, which can improve the electrical characteristic of a semiconductor layer, by flattening a rough surface due to the projection of crystal grains of a crystallized polysilicon, and a liquid crystal display including the thin film transistor substrate manufactured by the same. - 特許庁

シリコン層へのドーパント元素の導入方法、ポリシリコン太陽電池の製造方法、ポリシリコン型薄膜トランジスタの製造方法及びシリコン層のドーパント元素導入装置例文帳に追加

METHOD FOR INTRODUCING DOPANT ELEMENT INTO SILICON LAYER, MANUFACTURING METHOD FOR POLYSILICON SOLAR BATTERY, MANUFACTURING METHOD FOR POLYSILICON THIN-FILM TRANSISTOR, AND APPARATUS FOR INTRODUCING DOPANT ELEMENT INTO SILICON LAYER - 特許庁

本方法によれば、ポリシリコン表面の粗さを効果的に減少させるために、再結晶によりポリシリコン層上に生じるバンプを平面化し、薄膜トランジスタの信頼性を増大させる。例文帳に追加

By using the manufacturing method for effectively reducing the roughness on the polysilicon surface, bumps that are generated on the polysilicon layer due to recrystallization is planarized, and the reliability in the thin-film transistor is improved. - 特許庁

ポリシリコン層表面が粗いために生じる漏電問題を解決するポリシリコン薄膜トランジスタの信頼性を改善する製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a manufacturing method for improving reliability in a polysilicon thin-film transistor for solving the problem regarding leakages due to roughness on the surface of a polysilicon layer. - 特許庁

アモルファスシリコンからなる半導体薄膜４１を有する光電気変換型の薄膜トランジスタ３は、ポリシリコンからなる半導体薄膜２５、２６を有する駆動回路用のＣＭＯＳ薄膜トランジスタ２１、２２よりも上層側に設けられている。例文帳に追加

A photoelectric conversion type thin-film transistor 3 having a semiconductor thin film 41 made of an amorphous silicon is provided at an upper layer side rather than CMOS thin film transistors 21 and 22 for a drive circuit having semiconductor thin films 25 and 26 made of a polysilicon. - 特許庁

アモルファスシリコンからなる半導体薄膜４２を有する光電気変換型の薄膜トランジスタ３は、ポリシリコンからなる半導体薄膜２５、２６を有する駆動回路用のＣＭＯＳ薄膜トランジスタ２１、２２よりも上層側に設けられている。例文帳に追加

A photoelectric conversion type thin film transistor 3 having a semiconductor thin film 42 made of an amorphous silicon is provided on the upper layer side, rather than an CMOS thin-film transistors 21 and 22 for a drive circuit having semiconductor thin films 25 and 26 made of a polysilicon. - 特許庁

光電気変換型の薄膜トランジスタ３のアモルファスシリコンからなる半導体薄膜４１は、駆動回路用のＣＭＯＳ薄膜トランジスタ２１、２２のポリシリコンからなる半導体薄膜２５、２６よりも上層側に設けられている。例文帳に追加

The semiconductor thin film 41, made of the amorphous silicon of a photoelectric conversion type thin film transistor 3, is provided on the upper layer side from the semiconductor thin film 25 and 26 of CMOS thin film transistors 21 and 22 for a drive circuit. - 特許庁

薄膜トランジスタを構成する基板及び各膜の表面および界面をトランジスタの動作に影響をおよぼすボロン等の不純物汚染から清浄にかつ保護し、特性や信頼性の高い、また歩留りの高いポリシリコン薄膜トランジスタの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a poly silicon thin film transistor that has excellent characteristics with high reliability and a high yield by protecting the surfaces and the interfaces of a substrate and each film constituting a thin film transistor from impurity contamination such as boron affecting transistor operations. - 特許庁

オフ電流が小さく、電位保持特性が優れており、消費電力が低いと共に、動作速度も速い低温ポリシリコントランジスタを含む薄膜トランジスタ、この薄膜トランジスタの製造方法及びそれを使用した液晶表示装置を提供する。例文帳に追加

To provide: a thin-film transistor comprising a low-temperature polysilicon transistor having a low off-current, excellent potential-holding characteristics, low power usage, and a high operating speed; a method for manufacturing the thin-film transistor; and a liquid-crystal display device using the same. - 特許庁

ポリシリコン薄膜の膜質バラツキを緩和し、p-SiTFTのバラツキを抑え、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）特性の向上と均一性を向上できるアモルファス半導体薄膜の多結晶化方法および薄膜トランジスタの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for polycrystallizing a thin amorphous semiconductor film and a method for fabricating a thin film transistor in which the thin film transistor (TFT) characteristics and the uniformity can be enhanced by relaxing variation in the quality of thin polysilicon film and suppressing variation of p-SiTFT. - 特許庁

ＬＤＤ/オフセト領域を具備している薄膜トランジスターに関するもので、前記ＬＤＤ/オフセット領域ではポリシリコン基板の“プライマリー”結晶粒境界が位置してないことを特徴とする薄膜トランジスターを提供することによって、漏洩電流特性等の電気的特性が優れる薄膜トランジスターを提供することができる。例文帳に追加

The thin-film transistor having LDD/offset regions to be provided is constituted such that a "primary" grain boundary of the polysilicon base layer is not positioned in the LDD/offset regions, thereby a thin-film transistor having excellent electrical characteristics such as leakage current characteristics is provided. - 特許庁

その後、アモルファスシリコン膜６ａに対してレーザアニール処理することによって薄膜トランジスタのチャネル層となるポリシリコン膜６を生成する。例文帳に追加

Next, a polysilicon film 6 which becomes the channel layer of a thin film transistor is formed by performing a laser annealing process to the amorphous silicon film 6a. - 特許庁

弗化水素溶液を使い捨てすることなく、ガラス基板中の不純物の影響が防止可能なポリシリコン薄膜トランジスタの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a polysilicon thin film transistor, in which the influence of impurities in a glass substrate can be prevented without wasting hydrogen fluoride solution. - 特許庁

従って、ポリシリコン型薄膜トランジスタの製造工程で不純物注入活性化に高コストのレーザーアニーリングの代わりに熱活性化を利用できる。例文帳に追加

Consequently, thermal activation can be utilized in place of high cost laser annealing for impurity implantation and activation in the fabrication process of a polysilicon type thin film transistor. - 特許庁

多結晶シリコンを活性層とするコプラナー型の薄膜トランジスタを形成する際、パターニングして所望の形状に形成された凹所１２を有するアンダーコート膜２の上に、ポリシリコン膜３を形成する。例文帳に追加

To form a coplanar thin film transistor having an active layer of polycrystalline silicon, a polysilicon film 3 is formed on an undercoat film 2 having a recessed part 12 formed in a desirable shape by patterning. - 特許庁

ポリシリコン薄膜トランジスターを用いたＡ／Ｄ変換回路において、十分なＡ／Ｄ変換ダイナミックレンジをとることを可能にする。例文帳に追加

To provide an A/D converting circuit which uses a polysilicon thin film transistor, the A/D converting circuit being capable of having a sufficient A/D conversion dynamic range and suitable to the polysilicon thin film transistor. - 特許庁

ポリシリコン半導体膜へのリボン状のビームを用いたイオン打ち込みにおけるシート抵抗の不均一を抑制して、作り込まれる薄膜トランジスタの特性変動を防止する。例文帳に追加

To suppress the ununiformity of sheet resistance when ions are implanted into a polysilicon semiconductor film by using a ribbon-like beam, and to prevent a change in characteristic of a fabricated thin-film transistor. - 特許庁

ポリシリコン膜を用いて薄膜トランジスタと抵抗素子とが形成された半導体装置において、抵抗素子の抵抗値の安定化を図ることができる半導体装置およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device comprising a thin film transistor and a resistive element formed using a polysilicon film in which the resistance of the resistive element can be stabilized, and to provide its fabrication process. - 特許庁

本発明による薄膜トランジスタの製造工程では、ポリシリコン層表面を酸化処理してシリコン酸化膜層を生成し、その後これをエッチ液によって除去する。例文帳に追加

In the manufacturing process of the thin-film transistor, the surface of the polysilicon layer is subjected to oxidation treatment for generating a silicon film layer, and then the silicon oxide film layer is removed by offset chemicals. - 特許庁

液晶表示装置に用いるポリシリコン薄膜トランジスタの製造工程において、アモルファスシリコンからなる半導体膜3の成膜直後に、酸素プラズマ処理Bを施すことにより、表面酸化膜4を形成する。例文帳に追加

In a manufacturing process of a poly silicon thin film transistor used for a liquid crystal display, immediately after a semiconductor film 3 consisting of amorphous silicon is formed, a surface oxide film 4 is formed by applying an oxygen plasma treatment B. - 特許庁

デュアルゲートの薄膜トランジスタが形成されたアクティブマトリクス基板又は電気光学装置において、例えば、チャネルポリシリコンの領域と、画素電極とが平面的に重なるように配置する。例文帳に追加

The active matrix substrate or electro-optical device where a dual-gate thin-film transistor is formed has, for example, a region of channel polysilicon and a pixel electrode arranged overlapping each other in a plane. - 特許庁

ゲート絶縁膜15上に成膜した第１の金属層72をパターニングして、薄膜トランジスタ４,５となる部分のポリシリコン層11に対向したゲート絶縁膜15上にゲート電極16を設ける。例文帳に追加

The liquid crystal display device further includes a first metal layer 72 deposited on the gate insulating film 15 and patterned to provide a gate electrode 16 on the gate insulating film 15 opposed to a polysilicon layer 11 of parts becoming thin film transistors 4, 5. - 特許庁

パーティクル発生の少ないプラズマＣＶＤ装置を提供し、ポリシリコン薄膜トランジスタのゲート絶縁膜として用いても歩留まりの高い生産性を確保することを目的とする。例文帳に追加

To provide a plasma CVD device producing a small amount of particles and to secure high yield in producing a gate insulating film of a polysilicon thin film transistor. - 特許庁

結晶粒径を拡大し、薄膜トランジスタの電子移動度を高める画像表示システム及び低温ポリシリコンのレーザアニール方法を提供する。例文帳に追加

To provide an image display system improved in electron mobility of a thin film transistor by expanding the particle diameter of crystal and a method for laser annealing of low-temperature polysilicon. - 特許庁

素子特性が安定しており、低コストに大量生産ができるポリシリコン薄膜トランジスタおよびこれを用いた液晶表示装置を提供することを実現する。例文帳に追加

To provide a polysilicon thin-film transistor which has stable element characteristics and can be mass-produced at low cost and a liquid-crystal display device which uses it. - 特許庁

キャリア移動度がよく且つプラスチック基材に密着性よく設けられたポリシリコン膜を有する、低コストの薄膜トランジスタ基板及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a low-cost thin-film transistor substrate having improved carrier mobility, and a polysilicon film provided on a plastic base with improved adhesion properties, and also to provide a manufacturing method of the thin-film transistor substrate. - 特許庁

液晶パネルにポリシリコン薄膜トランジスタを用いて小さい面積にゲートオン、ゲートオフ電圧発生回路を集積して高効率及び高収率の液晶表示装置を提供する。例文帳に追加

To provide a liquid crystal display device which has high efficiency and high manufacturing yield by integrating a gate-on voltage generation circuit and a gate-off voltage generation circuit on a liquid crystal display panel in a small area by using polysilicon thin film transistors. - 特許庁

光を照射された際にも電荷の発生を低減することができ、リーク成分の少ない薄膜トランジスタの作製ができるポリシリコン薄膜の形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for forming a thin polysilicon film useful for fabricating a thin film transistor having a reduced leak component in which generation of charges can be reduced even when it is irradiated with light. - 特許庁

一定の方位の結晶粒を有する良質のポリシリコン層を形成し、その結晶粒の大きさを増大させてポリシリコン内の電子移動度を向上させると共に、このような良質のポリシリコン層を用いて電気的な特性に優れたポリシリコン薄膜トランジスタ及び液晶表示素子を提供する。例文帳に追加

To form a high-quality polysilicon layer having uniformly oriented crystal grains, to increase the size of the crystal grains for improving electron mobility in the polysilicon, and to provide a polysilicon thin film transistor having superior electrical characteristics and a liquid crystal display using the high-quality polysilicon layer. - 特許庁

各薄膜トランジスタは、ガラス基板１上に下地膜２を介して形成されチャネル領域とソース／ドレイン領域とが形成される島状の結晶化ポリシリコン膜４ｂ，４ｃと、ポリシリコン膜４ｂ，４ｃ上に絶縁膜５を介して形成されたゲート電極６ａ，６ｂとを備える。例文帳に追加

Each thin film transistor 11 and 12 is provided with island-like crystalline polysilicon films 4b and 4c which are formed on the glass substrate 1 through a base film 2, and in which a channel region and a source/drain region are respectively formed and gate electrodes 6a and 6b formed on the polysilicon films 4b and 4c through insulating films 5. - 特許庁

電子ビームで結晶粒を測定して、自動的にポリシリコン膜の結晶状態の検査を行う結晶状態検査装置、これを用いたポリシリコン膜の結晶状態検査方法及び薄膜トランジスタの製造システムを提供する。例文帳に追加

To provide a device for inspecting a crystal state capable of measuring a crystal grain by an electron beam to inspect automatically the crystal state of a poly silicone film, a method of inspecting the crystal state of the poly silicone film using the same, and a system for manufacturing a thin film transistor. - 特許庁

キャリアのモビリティの高いポリシリコン薄膜表面を平坦化することにより、このポリシリコン薄膜からなる活性層上に良好な絶縁耐圧を有するゲート絶縁膜を形成することが可能な正スタガ型の薄膜トランジスタの製造方法を提供しようとものである。例文帳に追加

To provide a production method of a positive stagger-type thin film transistor which can form a gate insulating film having good dielectric strength on an active layer composed of a polysilicon thin film by leveling the surface of the polysilicon thin film featuring high mobility of a carrier. - 特許庁

ＮＭＯＳポリシリコン薄膜トランジスタの製造に際し、ポリシリコン薄膜にリンイオンを高濃度で注入し、次いで炉アニール処理による活性化を行ない、次いでポリシリコン薄膜にリンイオンを低濃度で注入し、次いで高圧水蒸気雰囲気中での熱処理による活性化を行なったところ、実線で示すＶｇ−Ｉｄ特性を有する本発明品が得られた。例文帳に追加

A method for manufacturing a thin film transistor implants phosphorus ions on a polysilicon thin film at high concentration when manufacturing the NMOS polysilicon thin film transistor, next, activates them by furnace annealing treatment, then, implants the phosphorus ions on the polysilicon thin film at low concentration, and then obtains an inventive product having Vg-Id characteristics shown in a full line by activating them by heat treatment in a high pressure water vapor atmosphere. - 特許庁

本発明の課題は、基板上に形成されたアモルファスシリコン薄膜を加熱して溶融させることにより、大粒径シリコン結晶を有するポリシリコン薄膜を容易かつ安価に形成可能な薄膜形成方法、及び、該形成方法が用いられる薄膜トランジスタを提供することである。例文帳に追加

To provide a method for forming a thin film capable of easily and inexpensively forming a polysilicon thin film having a large grain size silicon crystal by heating and melting an amorphous silicon thin film formed on a substrate, and to provide a thin film transistor used for the method. - 特許庁

周辺の明るさを正確に感知して、これを用いて周辺の明るさに応じて自動で画面の明るさを調節することができ、低温結晶化ポリシリコン薄膜トランジスタで具現することのできる周辺光感知回路及びこれを有する平板表示装置を提供する。例文帳に追加

To provide an ambient light sensing circuit which can precisely sense ambient luminance to automatically adjust image luminance according to sensed ambient luminance, and which can be configured with a low-temperature crystallized polysilicon thin-film transistor, as well as to provide a flat panel display having the ambient light sensing circuit. - 特許庁

アクティブマトリクス型液晶表示装置において、アモルファスシリコン薄膜をＣＷレーザのスキャン照射により結晶化させてなるポリシリコン薄膜により形成された、チャネル長方向が互いに直交する２種類の薄膜トランジスタの特性のバラツキを小さくする。例文帳に追加

To reduce variations of characteristics of two kinds of thin-film transistors having channel-length directions made orthogonal to each other which are so formed of polysilicon thin films as to change amorphous silicon films into the polysilicon films crystallized by the scanning projection of a CW laser on the amorphous silicon films, in an active-matrix type liquid crystal display. - 特許庁

インバータ５８，６０の各々の負荷抵抗は、多結晶ポリシリコンで形成され、バルクのトランジスタであるＮチャネルＭＯＳトランジスタ５８４，６０４の上層に形成可能なＰチャネル薄膜トランジスタ５８２，６０２によってそれぞれ構成される。例文帳に追加

Load resistors of inverters 58 and 60 are made of polycrystal polysilicon, and composed of P-channel thin film transistors 582 and 602 which can be formed on the upper layers of N-channel MOS transistors 584 and 604 as bulk transistors, respectively. - 特許庁

インバータ５８，６０の各々の負荷抵抗は、多結晶ポリシリコンで形成され、バルクのトランジスタであるＮチャネルＭＯＳトランジスタ５８４，６０４の上層に形成可能なＰチャネル薄膜トランジスタ５８２，６０２によってそれぞれ構成される。例文帳に追加

Load resistances of invertors 58 and 60 are formed with polycrystal polysilicon, and composed of P-channel thin film transistor 582 and 602 which can be formed on upper layers of N-channel MOS transistor 584 and 604 that are bulk transistors, respectively. - 特許庁

素子基板１０上の薄膜トランジスター３０は、ボトムゲート構造を備え、かつ、ポリシリコン膜からなる島状半導体膜１ａにチャネル領域１ｇ、低濃度ソース領域１ｂ、低濃度ドレイン領域１ｃ、高濃度ソース領域１ｄ、高濃度ドレイン領域１ｅを備えたＧＯＬＤ構造を備えている。例文帳に追加

A thin-film transistor 30 on an element substrate 10 has: a bottom gate structure; and a GOLD structure including a channel region 1g, a lightly-doped source region 1b, a lightly-doped drain region 1c, a heavily-doped source region 1d and a heavily-doped drain region 1e in an island-like semiconductor film 1a formed of a polysilicon film. - 特許庁

本発明に係わる有機電界発光型表示装置における薄膜トランジスタは、ソース領域７ｂとドレイン領域７ｃとを共通にした複数のチャネル領域７ａを備えて、かつそのパターン端がテーパー形状に加工されたポリシリコン膜７を備えたことを特徴としており、さらに各チャネル領域７ａのチャネル幅Ｗが５μｍ以上３０μｍ以下であることを特徴とするものである。例文帳に追加

Furthermore, the channel width W of the respective channel areas 7a is 5 μm or more and 30 μm or less. - 特許庁