「"ポリシリコン薄膜トランジスタ"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

ゲートオーバーラップ型ＬＤＤポリシリコン薄膜トランジスタ例文帳に追加

GATE OVERLAP TYPE LDD POLYSILICON THIN FILM TRANSISTOR - 特許庁

ポリシリコン薄膜トランジスタの信頼性を改善する製造方法例文帳に追加

MANUFACTURING METHOD FOR IMPROVING RELIABILITY IN POLYSILICON THIN-FILM TRANSISTOR - 特許庁

ポリシリコン薄膜トランジスタおよびこれを用いた液晶表示装置例文帳に追加

POLYSILICON THIN FILM TRANSISTOR AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE USING THE SAME - 特許庁

低温ポリシリコン薄膜トランジスタ及びその製造方法例文帳に追加

LOW-TEMPERATURE POLYSILICON THIN-FILM TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME - 特許庁

多層チャンネルパッシベーション段階を有する低温ポリシリコン薄膜トランジスターの製造方法例文帳に追加

METHOD FOR PRODUCING LOW-TEMPERATURE POLYSILICON THIN FILM TRANSISTOR HAVING MULTILAYER CHANNEL PASSIVATION STEP - 特許庁

ポリシリコン薄膜トランジスターにふさわしいＡ／Ｄ変換回路を提供する。例文帳に追加

To provide an A/D conversion circuit suitable for poly-silicon thin film transistors. - 特許庁

自己整合ＬＤＤ構造を備えたポリシリコン薄膜トランジスタ及びその製造方法例文帳に追加

POLYSILICON THIN FILM TRANSISTOR HAVING SELF-ALIGNED LDD STRUCTURE AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

ポリシリコン薄膜トランジスタ基板の製造方法及び液晶表示装置例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING POLYSILICON THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY - 特許庁

ＬＤＤ構造のポリシリコン薄膜トランジスタのトランジスタ特性を改善する。例文帳に追加

To improve transistor characteristics of the polysilicon thin film transistor of an LDD structure. - 特許庁

トップゲートセルフアラインポリシリコン薄膜トランジスタ、その製造方法、及びアレイ例文帳に追加

TOP GATE SELF-ALIGNED POLYSILICON THIN FILM TRANSISTOR, ITS MANUFACTURING METHOD AND ARRAY - 特許庁

アモルファスシリコン薄膜トランジスタを直接にポリシリコン薄膜トランジスタへ変換するポリシリコン薄膜トランジスタの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a fabrication method of a polysilicon thin film transistor for directly transforming an amorphous silicon thin film transistor into the polysilicon thin film transistor. - 特許庁

多層チャンネルパッシベーション段階を有する低温ポリシリコン薄膜トランジスターの製造方法、を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a low-temperature polysilicon thin film transistor having a multilayer channel passivation step. - 特許庁

次に、アモルファスシリコン層１０６中に結晶化を発生させてポリシリコンを形成し、ポリシリコン薄膜トランジスタを得る。例文帳に追加

Next, a polysilicon thin film transistor is obtained by occurring crystallization in the amorphous silicon layer 106 to form polysilion. - 特許庁

ポリシリコン結晶化方法、そして、これを用いたポリシリコン薄膜トランジスタの製造方法及び液晶表示素子の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR CRYSTALLIZING POLYSILICON, METHOD FOR FABRICATING POLYSILICON THIN FILM TRANSISTOR USING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING LIQUID CRYSTAL DISPLAY - 特許庁

アモルファスシリコン薄膜トランジスタとポリシリコン薄膜トランジスタとを備えた薄膜トランジスタパネルにおいて、より一層の小型化を図る。例文帳に追加

To further miniaturize a thin-film transistor panel having an amorphous silicon thin-film transistor, and to provide a polysilicon thin film transistor. - 特許庁

低温ポリシリコン薄膜トランジスタ液晶ディスプレイ装置に用いられる積層蓄積容量構造例文帳に追加

LAMINATED STORAGE CAPACITOR STRUCTURE USED FOR LOW-TEMPERATURE POLYSILICON THIN FILM TRANSISTOR LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE - 特許庁

低温ポリシリコン薄膜トランジスタの素子特性を改善し、製造コストを削減する事ができる製造方法の提供。例文帳に追加

To provide a manufacturing method that improves the element characteristics of a low-temperature polysilicon thin-film transistor, and reduces the production cost. - 特許庁

弗化水素溶液を使い捨てすることなく、ガラス基板中の不純物の影響が防止可能なポリシリコン薄膜トランジスタの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a polysilicon thin film transistor, in which the influence of impurities in a glass substrate can be prevented without wasting hydrogen fluoride solution. - 特許庁

ポリシリコン薄膜トランジスターを用いたＡ／Ｄ変換回路において、十分なＡ／Ｄ変換ダイナミックレンジをとることを可能にする。例文帳に追加

To provide an A/D converting circuit which uses a polysilicon thin film transistor, the A/D converting circuit being capable of having a sufficient A/D conversion dynamic range and suitable to the polysilicon thin film transistor. - 特許庁

ポリシリコン層表面が粗いために生じる漏電問題を解決するポリシリコン薄膜トランジスタの信頼性を改善する製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a manufacturing method for improving reliability in a polysilicon thin-film transistor for solving the problem regarding leakages due to roughness on the surface of a polysilicon layer. - 特許庁

ポリシリコン薄膜３と、ポリシリコン薄膜上に形成されたゲート絶縁膜４と、ゲート絶縁膜上に形成されたゲート導電膜５とを含んで構成されたポリシリコン薄膜トランジスタをガラス基板１上に備える。例文帳に追加

A polysilicon thin-film transistor, composed including a polysilicon thin film 3, the gate insulating film 4 formed on the polysilicon thin film, and gate conductive film 5 formed on the gate insulating film, is equipped on a glass substrate 1. - 特許庁

液晶表示装置に用いるポリシリコン薄膜トランジスタの製造工程において、アモルファスシリコンからなる半導体膜3の成膜直後に、酸素プラズマ処理Bを施すことにより、表面酸化膜4を形成する。例文帳に追加

In a manufacturing process of a poly silicon thin film transistor used for a liquid crystal display, immediately after a semiconductor film 3 consisting of amorphous silicon is formed, a surface oxide film 4 is formed by applying an oxygen plasma treatment B. - 特許庁

パーティクル発生の少ないプラズマＣＶＤ装置を提供し、ポリシリコン薄膜トランジスタのゲート絶縁膜として用いても歩留まりの高い生産性を確保することを目的とする。例文帳に追加

To provide a plasma CVD device producing a small amount of particles and to secure high yield in producing a gate insulating film of a polysilicon thin film transistor. - 特許庁

素子特性が安定しており、低コストに大量生産ができるポリシリコン薄膜トランジスタおよびこれを用いた液晶表示装置を提供することを実現する。例文帳に追加

To provide a polysilicon thin-film transistor which has stable element characteristics and can be mass-produced at low cost and a liquid-crystal display device which uses it. - 特許庁

液晶パネルにポリシリコン薄膜トランジスタを用いて小さい面積にゲートオン、ゲートオフ電圧発生回路を集積して高効率及び高収率の液晶表示装置を提供する。例文帳に追加

To provide a liquid crystal display device which has high efficiency and high manufacturing yield by integrating a gate-on voltage generation circuit and a gate-off voltage generation circuit on a liquid crystal display panel in a small area by using polysilicon thin film transistors. - 特許庁

光によるリーク電流の少ない、高性能のポリシリコン薄膜トランジスタ、及びその薄膜トランジスタを用いた表示デバイスを製造する。例文帳に追加

To manufacture a high performance polysilicon thin film transistor which is reduced in leakage current caused by light, and further manufacture a display device using the thin film transistor. - 特許庁

薄膜トランジスタを構成する基板及び各膜の表面および界面をトランジスタの動作に影響をおよぼすボロン等の不純物汚染から清浄にかつ保護し、特性や信頼性の高い、また歩留りの高いポリシリコン薄膜トランジスタの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a poly silicon thin film transistor that has excellent characteristics with high reliability and a high yield by protecting the surfaces and the interfaces of a substrate and each film constituting a thin film transistor from impurity contamination such as boron affecting transistor operations. - 特許庁

周辺の明るさを正確に感知して、これを用いて周辺の明るさに応じて自動で画面の明るさを調節することができ、低温結晶化ポリシリコン薄膜トランジスタで具現することのできる周辺光感知回路及びこれを有する平板表示装置を提供する。例文帳に追加

To provide an ambient light sensing circuit which can precisely sense ambient luminance to automatically adjust image luminance according to sensed ambient luminance, and which can be configured with a low-temperature crystallized polysilicon thin-film transistor, as well as to provide a flat panel display having the ambient light sensing circuit. - 特許庁

結晶化されたポリシリコンの結晶粒が突出して荒れた表面を平坦化して半導体層の電気的特性を向上させることができるポリシリコン薄膜トランジスタ基板の製造方法及びそれによって製造された薄膜トランジスタ基板を含む液晶表示装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a polysilicon thin film transistor substrate, which can improve the electrical characteristic of a semiconductor layer, by flattening a rough surface due to the projection of crystal grains of a crystallized polysilicon, and a liquid crystal display including the thin film transistor substrate manufactured by the same. - 特許庁

一定の方位の結晶粒を有する良質のポリシリコン層を形成し、その結晶粒の大きさを増大させてポリシリコン内の電子移動度を向上させると共に、このような良質のポリシリコン層を用いて電気的な特性に優れたポリシリコン薄膜トランジスタ及び液晶表示素子を提供する。例文帳に追加

To form a high-quality polysilicon layer having uniformly oriented crystal grains, to increase the size of the crystal grains for improving electron mobility in the polysilicon, and to provide a polysilicon thin film transistor having superior electrical characteristics and a liquid crystal display using the high-quality polysilicon layer. - 特許庁

ＮＭＯＳポリシリコン薄膜トランジスタの製造に際し、ポリシリコン薄膜にリンイオンを高濃度で注入し、次いで炉アニール処理による活性化を行ない、次いでポリシリコン薄膜にリンイオンを低濃度で注入し、次いで高圧水蒸気雰囲気中での熱処理による活性化を行なったところ、実線で示すＶｇ−Ｉｄ特性を有する本発明品が得られた。例文帳に追加

A method for manufacturing a thin film transistor implants phosphorus ions on a polysilicon thin film at high concentration when manufacturing the NMOS polysilicon thin film transistor, next, activates them by furnace annealing treatment, then, implants the phosphorus ions on the polysilicon thin film at low concentration, and then obtains an inventive product having Vg-Id characteristics shown in a full line by activating them by heat treatment in a high pressure water vapor atmosphere. - 特許庁