「レーザ物質」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

このセレンインクを製造する方法、およびこのセレンインクを使用して、様々なカルコゲナイド含有半導体物質、例えば、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、発光ダイオード（ＬＥＤ）；および、光応答デバイス（例えば、エレクトロフォトグラフィ（例えば、レーザープリンタおよびコピー機）、整流器、写真用露出計および太陽電池）、並びに、カルコゲナイド含有相変化メモリ物質の製造に使用するための基体上にセレンを堆積する方法。例文帳に追加

Also provided are methods for producing the selenium ink and for using the selenium ink to deposit selenium on a substrate for use in the manufacture of a variety of chalcogenide-containing semiconductor materials, such as thin film transistors (TFTs), light emitting diodes (LEDs); and photoresponsive devices (e.g. electrophotography (e.g. laser printers and copiers), rectifiers, photographic exposure meters and solar cells) and chalcogenide-containing phase change memory materials. - 特許庁

本発明の一側面は、予備基板上に窒化物単結晶層を形成する段階と、上記窒化物単結晶層の上面に流動性を有する硬化性接着物質を塗布し、上記接着物質を硬化させポリマー支持層を形成する段階と、上記予備基板の下面にレーザーを照射して上記予備基板から上記窒化物単結晶層を分離する段階とを含む窒化物単結晶基板の製造方法を提供する。例文帳に追加

The manufacturing method of the nitride single crystal substrate comprises the stages of forming the nitride single crystal layer on a reserve substrate; forming a polymer supporting layer by applying a hardenability adhesive substance having mobility on a top face of the nitride single crystal layer, and by hardening the adhesive substance; and separating the nitride single crystal layer from the reserve substrate by irradiating a bottom face of the reserve substrate with laser. - 特許庁

光増幅物質をコア部に添加した増幅光ファイバと、前記光増幅物質を光励起するための励起光を出力する励起光源とを備える光ファイバ増幅器の設計方法であって、前記増幅光ファイバに入力する増幅すべきレーザ光の強度をＰとし、前記増幅光ファイバの有効コア断面積をＡ_eff、長さをＬ、伝送損失をα、ブリユアン利得をｇ_B、増幅利得をｇ、誘導ブリユアン散乱の閾値をＰ_thとすると、前記Ｌを、以下の式（１）〜（３）を満たすように設計することを特徴とする光ファイバ増幅器の設計方法。例文帳に追加

This design method of the optical fiber amplifier includes: an amplifying optical fiber wherein an optical amplifying substance is added to a core part; and an excitation light source which outputs excitation light for optical-exciting the optical amplifying substance. - 特許庁

このセレンインクを製造する方法、およびこのセレンインクを使用して、様々なカルコゲナイド含有半導体物質、例えば、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、発光ダイオード（ＬＥＤ）；および、光応答デバイス（例えば、エレクトロフォトグラフィ（例えば、レーザープリンタおよびコピー機）、整流器、写真用露出計および太陽電池）、並びに、カルコゲナイド含有相変化メモリデバイスの製造に使用するための基体上にセレンを堆積する方法。例文帳に追加

Provided are methods of preparing the selenium ink and of using the selenium ink to deposit selenium on a substrate for use in the manufacture of a variety of chalcogenide containing semiconductor materials, such as, thin film transistors (TFTs), light emitting diodes (LEDs); and photo responsive devices (e.g., electrophotography (e.g., laser printers and copiers), rectifiers, photographic exposure meters and photo voltaic cells) and chalcogenide containing phase change memory devices. - 特許庁

０.４５・Ａ・Ｂ＜Ｈ＜１.１・Ａ・Ｂ （１） （但し式中、Ｈはアスペクト比を示し、Ａはレーザー回折散乱法で測定された全粒子の平均２次子粒径（μｍ）を示し、ＢはＢＥＴ法で測定された全粒子の平均比表面積（ｍ^2／ｇ）を示す。） 前記形状の水酸化マグネシウム粒子は、（１）塩化マグネシウムとアルカリ物質との反応、（２）酸化マグネシウムの水和反応または（３）水酸化マグネシウムの水熱処理において特定の酸またはその水可溶性塩を存在させることにより得られる。例文帳に追加

The magnesium hydroxide particles having the aforementioned form are obtd. by the (1) reaction of magnesium chloride and an alkali substance, (2) hydration reaction of magnesium oxide, or (3) hydrothermal treatment of magnesium hydroxide in the presence of an org. acid, boric acid, silicic acid or water-soluble salts of these. - 特許庁