「強誘電体メモリ」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

強誘電体メモリ及び強誘電体メモリの製造方法例文帳に追加

FERROELECTRIC MEMORY AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR - 特許庁

強誘電体メモリ素子の製造方法および強誘電体メモリ素子例文帳に追加

FERROELECTRIC MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME - 特許庁

強誘電体メモリ、及び強誘電体メモリの製造方法例文帳に追加

FERROELECTRIC MEMORY, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF - 特許庁

強誘電体メモリの製造方法、及び強誘電体メモリ例文帳に追加

FERROELECTRIC MEMORY, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF - 特許庁

強誘電体メモリ素子、強誘電体メモリ素子の製造方法例文帳に追加

FERROELECTRIC MEMORY, MANUFACTURING METHOD OF THE SAME - 特許庁

強誘電体メモリおよび強誘電体メモリのデータ読み出し方法例文帳に追加

FERROELECTRIC MEMORY AND METHOD FOR READING DATA THEREFROM - 特許庁

強誘電体メモリの検査方法および強誘電体メモリ例文帳に追加

METHOD FOR INSPECTING FERROELECTRIC MEMORY AND FERROELECTRIC MEMORY - 特許庁

強誘電体メモリ素子の製造方法および強誘電体メモリ素子例文帳に追加

FERROELECTRIC MEMORY ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREOF - 特許庁

強誘電体メモリセルおよび強誘電体メモリセルの製造方法例文帳に追加

FERROELECTRIC MATERIAL MEMORY CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME - 特許庁

強誘電体薄膜メモリ及び強誘電体薄膜メモリの製造方法例文帳に追加

FERROELECTRIC THIN FILM MEMORY AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME - 特許庁

強誘電体メモリ装置、強誘電体メモリ装置の製造方法例文帳に追加

FERROELECTRIC MEMORY DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD OF FERROELECTRIC MEMORY DEVICE - 特許庁

強誘電体メモリおよび半導体メモリ例文帳に追加

FERROECTRIC MEMORY AND SEMICONDUCTOR MEMORY - 特許庁

拡張メモリ部を備えた強誘電体メモリ装置例文帳に追加

FERROELECTRIC MEMORY APPARATUS EQUIPPED WITH EXTENSION MEMORY PART - 特許庁

強誘電体膜、強誘電体メモリ、及び圧電素子例文帳に追加

FERROELECTRIC FILM, FERROELECTRIC MEMORY, AND PIEZOELECTRIC ELEMENT - 特許庁

強誘電体キャパシタ及び強誘電体メモリ例文帳に追加

FERROELECTRIC CAPACITOR AND FERROELECTRIC MEMORY - 特許庁

強誘電体キャパシタ及び強誘電体メモリ装置例文帳に追加

FERROELECTRIC CAPACITOR AND FERROELECTRIC MEMORY DEVICE - 特許庁

強誘電体膜の形成方法及び強誘電体メモリ例文帳に追加

FORMING METHOD OF FERROELECTRIC FILM AND FERROELECTRIC MEMORY - 特許庁

強誘電体材料及び強誘電体メモリ例文帳に追加

FERROELECTRIC MATERIAL AND FERROELECTRIC MEMORY - 特許庁

強誘電体キャパシタ及び強誘電体メモリ装置例文帳に追加

FERRODIELECTRIC CAPACITOR AND FERRODIELECTRIC MEMORY APPARATUS - 特許庁

強誘電体膜、強誘電体キャパシタ、および強誘電体メモリ例文帳に追加

FERROELECTRIC FILM, FERROELECTRIC CAPACITOR, AND FERROELECTRIC MEMORY - 特許庁

強誘電体薄膜の形成方法、強誘電体メモリおよび強誘電体メモリの製造方法例文帳に追加

FORMING METHOD OF FERROELECTRIC THIN FILM, FERROELECTRIC MEMORY, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF - 特許庁

強誘電体膜、強誘電体膜の製造方法、強誘電体キャパシタ、および強誘電体メモリ例文帳に追加

FERROELECTRIC FILM, ITS PRODUCING METHOD, FERROELECTRIC CAPACITOR AND FERROELECTRIC MEMORY - 特許庁

強誘電体層、強誘電体層の製造方法、強誘電体キャパシタならびに強誘電体メモリ例文帳に追加

FERROELECTRIC LAYER, ITS FORMING PROCESS, FERROELECTRIC CAPACITOR, AND FERROELECTRIC MEMORY - 特許庁

強誘電体メモリ装置１０は、第１強誘電体メモリ１００と、第２強誘電体メモリ２００とを含む。例文帳に追加

A ferroelectric memory device 10 comprises a first ferroelectric memory 100 and a second ferroelectric memory 200. - 特許庁

強誘電体不揮発性メモリ、強誘電体不揮発性メモリアレイ、及び強誘電体不揮発性メモリアレイの作製方法例文帳に追加

FERROELECTRIC NONVOLATILE MEMORY, FERROELECTRIC NONVOLATILE MEMORY ARRAY, AND MANUFACTURING METHOD OF FERROELECTRIC NONVOLATILE MEMORY ARRAY - 特許庁

強誘電体メモリの読み出しマージンを改善した強誘電体メモリ装置及び強誘電体メモリ装置の制御方法を提供する。例文帳に追加

To provide a ferroelectric memory device and a method for controlling the ferroelectric memory device that improve read margin of a ferroelectric memory. - 特許庁

第２強誘電体メモリ２００は、第２メモリセルアレイ２１０を含む。例文帳に追加

The second ferroelectric memory 200 comprises a second memory cell array 210. - 特許庁

第１強誘電体メモリ１００は、第１メモリセルアレイ１１０を含む。例文帳に追加

The first ferroelectric memory 100 comprises a first memory cell array 110. - 特許庁

メモリセルの占有面積を小さくした強誘電体メモリを提供する。例文帳に追加

To provide a ferroelectric memory having reduced areas for the memory cells. - 特許庁

強誘電体メモリとその製造方法、強誘電体メモリ装置とその製造方法、及び電子機器例文帳に追加

FERROELECTRIC MEMORY AND ITS MANUFACTURING METHOD, FERROELECTRIC MEMORY DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND ELECTRONIC APPARATUS - 特許庁

配線パターンの形成方法及び強誘電体メモリの製造方法、強誘電体メモリ例文帳に追加

FORMING METHOD OF WIRING PATTERN, MANUFACTURING METHOD OF FERROELECTRIC MEMORY AND FERROELECTRIC MEMORY - 特許庁

強誘電体メモリ装置および強誘電体メモリ装置のスクリーニング方法例文帳に追加

FERROELECTRIC MEMORY DEVICE AND SCREENING METHOD OF FERROELECTRIC MEMORY DEVICE - 特許庁

強誘電体メモリ装置、電子機器および強誘電体メモリ装置の駆動方法例文帳に追加

FERROELECTRIC MEMORY DEVICE, ELECTRONIC EQUIPMENT, AND DRIVING METHOD OF FERROELECTRIC MEMORY DEVICE - 特許庁

ＮＡＮＤ型不揮発性強誘電体メモリセル及びそれを用いた不揮発性強誘電体メモリ装置例文帳に追加

NAND NONVOLATILE FERROELECTRIC MEMORY CELL AND NONVOLATILE FERROELECTRIC MEMORY DEVICE USING IT - 特許庁

強誘電体メモリ特性変更方法および強誘電体メモリ製造装置。例文帳に追加

FERROELECTRIC MEMORY CHARACTERISTIC CHANGING METHOD AND FERROELECTRIC MEMORY MANUFACTURING DEVICE - 特許庁

均一性の高い強誘電体メモリセルからなる強誘電体メモリを得る。例文帳に追加

To provide a ferroelectric memory made up of ferroelectric memory cells with high uniformity. - 特許庁

強誘電体メモリ装置の書き込み方法および読み出し方法ならびに強誘電体メモリ装置例文帳に追加

WRITE-IN METHOD AND READ-OUT METHOD FOR FERROELECTRIC MEMORY DEVICE, AND FERROELECTRIC MEMORY DEVICE - 特許庁

強誘電体メモリ装置および強誘電体キャパシタからなるメモリセルに対する動作方法例文帳に追加

SEMICONDUCTOR MEMORY, AND OPERATING METHOD FOR MEMORY CELL CONSISTING OF FERROELECTRIC CAPACITORS - 特許庁

強誘電体メモリ装置のリサイクル方法および強誘電体メモリモジュール例文帳に追加

METHOD FOR RECYCLING FERROELECTRIC MEMORY DEVICE AND FEROELECTRIC MEMORY MODULE - 特許庁

強誘電体メモリ装置、及び強誘電体メモリ装置のデータの読み出しおよび再書き込み方法例文帳に追加

FERROELECTRIC MEMORY DEVICE AND DATA READ AND REWRITE METHOD OF THE DEVICE - 特許庁

強誘電体薄膜の製造方法、強誘電体キャパシタ、強誘電体メモリセルおよび強誘電体メモリの製造方法例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING FERROELECTRICS THIN FILM, FERROELECTRICS CAPACITOR, FERROELECTRICS MEMORY CELL AND MANUFACTURING METHOD FOR FERROELECTRICS MEMORY - 特許庁

強誘電体キャパシタの製造方法、強誘電体メモリの製造方法、強誘電体キャパシタ、および強誘電体メモリ例文帳に追加

FERROELECTRIC CAPACITOR AND FERROELECTRIC MEMORY, AND MANUFACTURING METHOD OF BOTH ELEMENTS - 特許庁

強誘電体キャパシタ、強誘電体メモリ、強誘電体キャパシタの製造方法及び強誘電体メモリの製造方法例文帳に追加

FERROELECTRIC CAPACITOR, FERROELECTRIC MEMORY AND MANUFACTURING METHOD BOTH THEREOF - 特許庁

強誘電体キャパシタ及びその製造方法並びに強誘電体メモリ例文帳に追加

FERROELECTRICS CAPACITOR, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND FERROELECTRICS MEMORY - 特許庁

強誘電体薄膜及びその製造方法、強誘電体メモリ、圧電素子例文帳に追加

FERROELECTRIC THIN FILM AND ITS PRODUCING PROCESS, FERROELECTRIC MEMORY, PIEZOELECTRIC ELEMENT - 特許庁