「強誘電体メモリ」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

不揮発性強誘電体メモリ装置並びにその駆動方法例文帳に追加

NONVOLATILE FERROELECTRIC MEMORY DEVICE AND DRIVING METHOD THEREOF - 特許庁

不良セル矯正回路を含む不揮発性強誘電体メモリ装置例文帳に追加

NONVOLATILE FERROELECTRIC MEMORY DEVICE INCLUDING FAILED CELL CORRECTING CIRCUIT - 特許庁

不揮発性強誘電体メモリ・デバイス及びその製造方法例文帳に追加

NONVOLATILE FERRODIELECTRIC MEMORY DEVICE AND ITS MANUFACTURE - 特許庁

強誘電体メモリを使用したセンサインターフェース方式例文帳に追加

SENSOR INTERFACE SYSTEM USING FERROMAGNETIC MEMORY - 特許庁

強誘電体メモリ装置の高集積化を実現できるようにする。例文帳に追加

To realize improvement in the integration of a ferroelectric memory device. - 特許庁

高速に読み出し動作が可能な強誘電体メモリ装置を提供する。例文帳に追加

To provide a ferroelectric memory device enabling reading operation at a high speed. - 特許庁

不揮発性強誘電体メモリ装置並びにそれによる駆動方法例文帳に追加

NONVOLATILE FERROELECTRIC MEMORY DEVICE AND DRIVING METHOD BY THE SAME - 特許庁

不揮発性強誘電体メモリ装置の参照レベル発生回路例文帳に追加

REFERENCE LEVEL GENERATION CIRCUIT OF NON-VOLATILE FERROELECTRIC MEMORY - 特許庁

不揮発性強誘電体メモリ装置及びその駆動方法例文帳に追加

NONVOLATILE FERROELECTRIC MEMORY DEVICE AND METHOD FOR DRIVING THE SAME - 特許庁

強誘電体メモリ装置及びその駆動方法並びに電子機器例文帳に追加

FERROELECTRIC MEMORY DEVICE AND DRIVE METHOD THEREOF, AND ELECTRONIC EQUIPMENT - 特許庁

不揮発性強誘電体メモリを利用したインタリーブ制御装置例文帳に追加

INTERLEAVE CONTROLLER USING NONVOLATILE FERROELECTRIC MEMORY - 特許庁

新規な構造を有するトランジスタ型強誘電体メモリを提供する。例文帳に追加

To provide a transistor-type ferroelectric memory having a novel structure. - 特許庁

強誘電体メモリ素子及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a ferroelectric memory element and its manufacturing method. - 特許庁

不揮発性強誘電体メモリ装置の列修理回路及びその修理方法例文帳に追加

CIRCUIT AND METHOD OF COLUMN REPAIR OF NONVOLATILE FERROELECTRIC MEMORY DEVICE - 特許庁

強誘電体メモリセルに用いられる絶縁層の平坦化方法例文帳に追加

FLATTENING METHOD OF INSULATION LAYER USED FOR FERRODIELECTRIC MEMORY CELL - 特許庁

不揮発性強誘電体メモリを利用したテストモード制御装置例文帳に追加

TEST MODE CONTROLLER USING NONVOLATILE FERROELECTRIC MEMORY - 特許庁

高速かつ低電圧に動作可能な強誘電体メモリ装置を提供する。例文帳に追加

To provide a ferroelectric memory device operating fast with a low voltage. - 特許庁

強誘電体メモリ素子及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a ferroelectric memory device and a method of manufacturing the same. - 特許庁

寄生容量の少ない強誘電体ランダムアクセスメモリを提供する。例文帳に追加

To provide a ferroelectric random access memory having small parasitic capacitance. - 特許庁

強誘電体メモリ及びその製造方法並びに電子機器例文帳に追加

FERROELECTRIC MEMORY, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND ELECTRONIC DEVICE - 特許庁

不揮発性強誘電体メモリデバイスのリペア方法及び回路例文帳に追加

METHOD AND CIRCUIT FOR REPAIRING NONVOLATILE FERROELECTRIC MEMORY DEVICE - 特許庁

高速強誘電体メモリ装置及びそれの書き込み方法を提供する。例文帳に追加

To provide a high speed ferroelectric memory device and its write method. - 特許庁

強誘電体メモリヒューズ部４０には、強誘電体メモリヒューズ２ａ、強誘電体メモリヒューズ２ｂ、セレクトトランジスタＳＴｆｆ／、及びセレクトトランジスタＳＴｆｆが設けられる。例文帳に追加

The ferroelectric memory fuse part 40 includes a ferroelectric memory fuse 2a, a ferroelectric memory fuse 2b, a select transistor STff/, and a select transistor STff. - 特許庁

８行８列の強誘電体メモリセルを有する強誘電体メモリにおいて、同時に選択される強誘電体メモリセルの個数を４個にする。例文帳に追加

To set the number of simultaneously selected ferroelectric memory cells to 4 in a ferroelectric memory having 8 rows and 8 columns of ferroelectric memory cells. - 特許庁

強誘電体メモリの信号電圧マージンを拡大し、強誘電体メモリの記憶素子としての信頼性を向上させ、強誘電体メモリの製造歩留まりを向上させる。例文帳に追加

To improve the manufacturing yield of a ferroelectric storage device by increasing the signal voltage margin of the ferroelectric storage device and improving reliability of the ferroelectric storage device as a storage element. - 特許庁

本発明は、強誘電体メモリを備える半導体装置であって、その強誘電体メモリは、同一チップ上に第１のメモリセル２２Ｂと第２のメモリセル２２Ａとを有する。例文帳に追加

In the semiconductor device equipped with a ferroelectric memory, the ferroelectric memory comprises a first memory cell 22B and second memory cells 22A on the same chip. - 特許庁

メモリ装置（１０２）における強誘電体メモリセル（４）のようなメモリセルからデータを読み取る方法および装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method and a device which are used to read data from a memory cell such as a ferroelectric substance memory cell (4) in a memory device (102). - 特許庁

メモリセル部にはメモリトランジスタと強誘電体キャパシタが並列接続されたメモリセルが複数個直列接続される。例文帳に追加

In a memory cell section, a plurality of memory cells each having a memory transistor and a ferroelectric capacitor connected in parallel are connected in series. - 特許庁

強誘電体メモリ（ＦＣＲＡＭ）等の冗長メモリと冗長ファイルメモリの構成を簡素化する。例文帳に追加

To simplify the constitution of a redundant memory and a redundant file memory such as ferroelectric memory (FCRAM) or the like. - 特許庁

メモリセルにストレスをかけることなく、短時間にメモリセルの良否判定を行うことができる強誘電体メモリ装置および強誘電体メモリ装置のスクリーニング方法を提供する。例文帳に追加

To provide a ferroelectric memory device in which determination of normal/defective states of a memory cell can be performed in a short time without applying stress to the memory cell. - 特許庁

本発明は、システムオンチップ（ＳＯＣ：Ｓｙｓｔｅｍ Ｏｎ ａ Ｃｈｉｐ）構造で強誘電体メモリが内部メモリに用いられる場合内部メモリダンプを制御するための不揮発性強誘電体メモリ制御装置に関する。例文帳に追加

To provide a nonvolatile ferroelectric memory control device used for controlling internal memory dump when a ferroelectric memory is used as an internal memory in a SOC (System On a Chip) structure. - 特許庁

クロスポイント型強誘電体メモリ３０と、ランダムアクセスが可能なライトバック型のキャッシュメモリ４０を含み、クロスポイント型強誘電体メモリ３０へのアクセスは第２のメモリを介して行う。例文帳に追加

This device comprises a cross point type ferroelectric memory 30 and a write-back type cache memory 40 being able to perform random access, access for the cross point type ferroelectric memory 30 is performed through a second memory. - 特許庁

強誘電体膜、強誘電体メモリ、圧電素子、半導体素子、液体噴射ヘッド、プリンタ及び強誘電体膜の製造方法例文帳に追加

FERROELECTRIC FILM, FERROELECTRIC MEMORY, PIEZOELECTRIC ELEMENT, SEMICONDUCTOR ELEMENT, LIQUID EJECTION HEAD, PRINTER AND PROCESS FOR PRODUCING FERROELECTRIC FILM - 特許庁

強誘電体キャパシタおよびその製造方法、メモリセルアレイ、誘電体キャパシタの製造方法、ならびに、メモリ装置例文帳に追加

FERROELECTRIC CAPACITOR, ITS MANUFACTURING METHOD, MEMORY CELL ARRAY, METHOD OF MANUFACTURING DIELECTRIC CAPACITOR, AND MEMORY DEVICE - 特許庁

有機強誘電体キャパシタの製造方法、有機強誘電体キャパシタ、有機強誘電体メモリ、および電子機器例文帳に追加

METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC FERROELECTRIC CAPACITOR, ORGANIC FERROELECTRIC CAPACITOR, ORGANIC FERROELECTRIC MEMORY, AND ELECTRONIC APPARATUS - 特許庁

強誘電体膜およびその製造方法、強誘電体キャパシタ、強誘電体メモリおよびその製造方法例文帳に追加

FERROELECTRIC FILM AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, FERROELECTRIC CAPACITOR, FERROELECTRIC MEMORY, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF - 特許庁

強誘電体キャパシタとその製造方法および強誘電体キャパシタを含む強誘電体メモリ装置例文帳に追加

FERROELECTRIC CAPACITOR, ITS MANUFACTURING METHOD, AND FERROELECTRIC MEMORY DEVICE INCLUDING THE SAME - 特許庁

強誘電体メモリ集積回路用の強誘電体キャパシタ素子の製造方法及び強誘電体キャパシタ例文帳に追加

METHOD OF MANUFACTURING FERROELECTRIC CAPACITOR ELEMENT FOR FERROELECTRIC MEMORY INTEGRATED CIRCUIT - 特許庁

強誘電体薄膜の形成方法、強誘電体薄膜形成装置および強誘電体メモリの製造方法例文帳に追加

METHOD FOR FORMING FERROELECTRIC THIN FILM, FERROELECTRIC THIN-FILM FORMING EQUIPMENT AND METHOD OF MANUFACTURING FERROELECTRIC MEMORY - 特許庁

強誘電体キャパシタ、強誘電体キャパシタの製造方法および強誘電体メモリの製造方法例文帳に追加

FERROELECTRIC CAPACITOR, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME AND METHOD FOR MANUFACTURING FERROELECTRIC MEMORY - 特許庁

ヒステリシス特性を簡便に回復させることができ、かつ、メモリ回路を動作させなくても強誘電体メモリ装置に保持された情報を消去することができる、強誘電体メモリ装置、半導体パッケージ装置、強誘電体キャパシタの再生方法、強誘電体メモリ装置の初期化方法、および強誘電体メモリ装置の廃却方法を提供する。例文帳に追加

To provide a ferroelectric memory device, semiconductor package device, reproducing method for a ferroelectric capacitor, initializing method for the ferroelectric memory device, and discarding method for the ferroelectric memory device in which hysteresis characteristics can be easily recovered, and information held in the ferroelectric memory device can be erased even without operating a memory circuit. - 特許庁

鉛を含まず信頼性の高い強誘電体膜およびその製造方法、強誘電体キャパシタ、ならびに誘電体メモリを提供する。例文帳に追加

To provide a highly reliable ferroelectric film not containing lead; and to provide its manufacturing method, a ferroelectric capacitor, and a dielectric memory. - 特許庁

強誘電体メモリヒューズ２ａ及び２ｂは、セルユニットＳＵ１に設けられるメモリセル部１１、メモリセル部１２、メモリセル部２１、及びメモリセル部２２と同一構造を有する。例文帳に追加

The ferroelectric memory fuses 2a and 2b have the same structure as a memory cell part 11, a memory cell part 12, a memory cell part 21, and a memory cell part 22 disposed in the cell unit SU1. - 特許庁

単一の論理レベルを記憶する強誘電体キャパシタを有する第１メモリセルと、相補の論理レベルを記憶する強誘電体キャパシタ対を有する第２メモリセルと、第１および第２メモリセルに接続されたツインセンスアンプとを有する強誘電体メモリが製造される。例文帳に追加

A ferroelectric memory having a first memory cell with a ferroelectric capacitor for storing a single logic level, a second memory cell with a pair of ferroelectric capacitors for storing complementary logic levels, and a twin sense amplifier connected to the first and second memory cells is produced. - 特許庁

強誘電体キャパシタからなるメモリセルアレイが、複数層積層されたクロスポイント型強誘電体メモリにおいて、各層に配置されたメモリセルアレイのひずみが少なく、高品質なクロスポイント型強誘電体メモリを提供する。例文帳に追加

To provide a cross point type ferroelectric memory in which the distortions of memory cell arrays arranged in each layer are reduced and which has high quality, in the cross point type ferroelectric memory in which a plurality of layers of the memory cell arrays composed of ferroelectric capacitors are laminated. - 特許庁