「強誘電体メモリ」に関連した英語例文の一覧と使い方(28ページ目) - Weblio英語例文検索

少なくとも１個の強誘電体膜を用いたキャパシタＦＣと、このキャパシタに直列に接続された１個のＭＯＳ ＦＥＴ（Ｔｒ）とを備え、キャパシタの一方の電極に与えられる電位により変化するｎ値（ｎ≧３）の分極量を情報として蓄積するメモリセルを有することを特徴とする。例文帳に追加

This memory is provided with a capacitor FC using at least one ferroelectric film and with one MOSFET (Tr) connected to this capacitor in series, and has a memory cell accumulating polarization quantity of (n) level (n≥3) varied by a potential given to one side of electrodes of the capacitor as information. - 特許庁

このため、本発明は不揮発性強誘電体メモリを利用してテストモード及びデータピンの配置をプログラムし、プログラムされたコードに従いソフトウェア的にアドレス、制御信号及びデータピンの配置状態を再調整することにより、別途のプロセスなくセルアレイの特性を正確にテストすることができるようになる。例文帳に追加

The present invention utilizes the nonvolatile ferroelectric memory to program a test mode and data pin arrangement and rearranges an address, a control signal and a data pin arrangement state in a software manner according to a programmed code, thereby accurately testing the characteristics of the cell array without requiring another process. - 特許庁

メモリ装置１の駆動においては、上述のように、機能素子部５０における上部電極２４および下部バリア電極１９の間に電圧を印加して、機能膜２２の抗電場以上に電界を印加することで強誘電体分極の反転／非反転の状態によりデータを保存することができる。例文帳に追加

As mentioned above in driving the memory device 1, a voltage is applied to between an upper electrode 24 and a lower barrier electrode 19 in a functional element 50, and an electric field is applied at a coercive electric field or more in a functional film 22, resulting in storing data according to a reverse/non-reverse state of a ferroelectric polarization. - 特許庁

プレート線ＰＬ，／ＰＬに接続されるメモリセルＭＣにおける強誘電体キャパシタＦＣの下部電極ＢＥを、下部電極−拡散層間コンタクトを介して拡散層ＡＡに接続し、上記拡散層は、拡散層−金属配線間コンタクトｃＡＡ−Ｍ１を介して、金属配線層で形成されるプレート線に接続した。例文帳に追加

A bottom electrode BE of a ferroelectric capacitor FC in a memory cell MC to be connected to plate lines PL, /PL is connected to an active area AA through a contact between the bottom electrode-active area, and the active area is connected to the plate line formed by the metal wiring layer through a contact cAA-M1 between the active area-metal wiring. - 特許庁

強誘電体メモリ装置のプログラム方法は、信号入力部に入力された信号をディコーディングする第１の段階、ディコーディングの結果、所定のプログラムモードを示す場合にプログラムモードに対応するプログラムモード動作信号を活性化し、信号入力部を非活性化する第２の段階、及びプログラムモード動作信号に応えてプログラムモードを行う第３の段階を含む。例文帳に追加

This programming method includes the first step of decoding a signal entered to a signal input part, the second step of activating, when a predetermined program mode is indicated as a result of the decoding, a program mode operation signal corresponding to the program mode to inactivate the signal input part, and the third step of carrying out the program mode according to the program mode operation signal. - 特許庁

少なくとも１個の反強誘電体膜を用いたキャパシタＡＦＣと、このキャパシタに直列に接続された１個のＭＯＳ ＦＥＴ（Ｔｒ）とを備え、キャパシタの一方の電極に与えられる電位により変化するｎ値（ｎ≧３）の分極量を情報として蓄積するメモリセルを有することを特徴とする。例文帳に追加

This semiconductor memory is provided with at least one capacitor AFC using anti-ferroelectric film, one MOS FET (Tr) connected to this capacitor in series, and has a memory cell accumulating polarization quantity of (n) level (n≥3) varied by a potential given to one side of electrodes of the capacitor as information. - 特許庁

ＴＣ並列ユニット直列接続型強誘電体メモリにおいてソース・ドレイン拡散層５、６の一方側と下部電極９との第１コンタクト部１５と上部電極１１とソース・ドレイン拡散層５、６の他方側との第２コンタクト部１７をそれぞれ第１耐酸化性導電膜１３、第２耐酸化性導電膜１６で形成する。例文帳に追加

Related to a TC parallel unit series connection type ferroelectric memory, a first contact 15 between one side source/drain diffusion layers 5 and 6 and a lower part electrode 9, and a second contact 17 between an upper part electrode 11 and the other side of source/drain diffusion layers 5 and 6, are formed from a first oxidation resistant conductive film 13 and a second oxidation resistant conductive film 16, respectively. - 特許庁

各種特性に優れた電子デバイスを最適な構造で実現することができる電子デバイス用基板、および、かかる電子デバイス用基板を備える電子デバイス、さらに、かかる電子デバイスを備える強誘電体メモリ、電子機器、インクジェット式記録ヘッドおよびインクジェットプリンタを提供すること。例文帳に追加

To provide a substrate for an electronic device by the use of which the electronic device with a variety of excellent characteristics can be formed in the optimum structure, to provide an electronic device having the substrate for the electronic device and to provide a ferroelectric memory, an electronic appliance, an ink jet recording head and an ink jet printer having the electronic device. - 特許庁

本発明による強誘電体メモリトランジスタは、ソース領域、ゲート領域およびドレイン領域を有する基板と、ゲート領域上に位置するゲートスタックと、基板とゲートスタック上に位置するパッシベーション酸化物層と、ソース領域、ドレイン領域およびゲートスタックそれぞれへのコンタクトを形成するためのメタライゼーションとを備える。例文帳に追加

This ferroelectric memory transistor comprises a substrate including a source region, a gate region and a drain region, a gate stack arranged on the gate region, passivation oxide layers arranged on the substrate and the gate stack, and metallized parts for having each contact with the source/drain regions and the gate stack. - 特許庁

記録担体１は、基板２と、前記基板２上に堆積されかつデータ読取り及び／又は書込みデバイスの電極と共に動作するように意図される対向電極３と、これらデータを格納することができかつ前記対向電極３と隣接する第１の面４ａを提示する少なくとも１つの強誘電メモリ層４と、を備える。例文帳に追加

The record carrier 1 is provided with a substrate 2, a counter electrode 3 deposited on the substrate 2 and intended to cooperate with the electrode of a data reading and/or writing device, and at least one ferroelectric memory layer 4 capable of storing these data and exhibiting a first face 4a adjacent to the counter electrode 3. - 特許庁

多数本のビットライン、各ビットラインに垂直なプレート電極ラインとワードラインを有し、Ｍ×Ｎ配列で各ラインに接続されトランジスタとキャパシターからなる多数の単位セルを有する強誘電体メモリにおいて、読み出されるデータの判定信頼性を高め且つ高集積化を図る。例文帳に追加

To improve reliability for discrimination of read-out data and to increase integration density of a ferroelectric memory having many bit lines, plate electrode lines and word lines being perpendicular to each bit line, and having many unit cells connected to each line in M×N arrangement and each consisting of a transistor and a capacitor. - 特許庁

ＦｅＲＡＭ素子に用いられる強誘電体メモリセルにおいて、空乏形トランジスタのゲートを含む第１活性領域１０と、エンハンスメント形トランジスタのゲートを含んで、前記第１活性領域と接する第２活性領域２０と、前記空乏形トランジスタのゲート及び前記エンハンスメント形トランジスタのゲートが接続されているワードライン６６と、データを貯蔵し、前記エンハンスメント形トランジスタのドレインに接続された強誘電体キャパシタとを含んでなる。例文帳に追加

The ferroelectrics memory cell used for an FeRAM element includes a first active region 10 including the gate of a depletion type transistor, a second active region 20 including the gate of an enhancement type transistor and abutting on the first active region 10, a word line 66 connected with the gates of the depletion type and enhancement type transistors, and a ferroelectrics capacitor for storing data therein and connected with the drain of the enhancement type transistor. - 特許庁

また、強誘電体メモリ装置のプログラム方法は、信号入力部に入力された信号をディコーディングする第１の段階、前記ディコーディング結果所定のプログラムモードに該当する場合、前記プログラムモードに対応するプログラムモード動作信号を活性化して前記信号入力部を非活性化する第２の段階、及び前記プログラムモード動作信号に応えてプログラムモードを行う第３の段階を含む。例文帳に追加

A programming method of the ferroelectric memory device includes; a first step for decoding a signal inputted to a signal inputting part; a second step for activating a program mode operation signal corresponding to a program mode and deactivating the signal input part in the case that the decoding result corresponds to a prescribed program mode; and a third step for performing the program mode in response to the program mode operation signal. - 特許庁