「強誘電体メモリ」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

半導体装置、半導体パッケージ装置、強誘電体キャパシタの再生方法、強誘電体メモリ装置の初期化方法、および強誘電体メモリ装置の廃却方法例文帳に追加

SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR PACKAGE DEVICE, REPRODUCING METHOD FOR FERROELECTRIC CAPACITOR, INITIALIZING METHOD FOR FERROELECTRIC MEMORY DEVICE, AND DISCARDING METHOD FOR FERROELECTRIC MEMORY DEVICE - 特許庁

本発明の不揮発性強誘電体メモリを利用したインタリーブ制御装置は、単一不揮発性強誘電体メモリチップ、マルチバンク不揮発性強誘電体メモリチップ又はマルチバンクインタリーブ不揮発性強誘電体メモリチップで、不揮発性強誘電体レジスタを利用して各バンクのインタリーブを独立的に制御することができるようになる。例文帳に追加

This interleave controller using the nonvolatile ferroelectric memory can independently control interleave of each bank by utilizing the nonvolatile ferroelectric register with a single nonvolatile ferroelectric memory chip, a multi-bank nonvolatile ferroelectric memory chip or a multi-bank interleave nonvolatile ferroelectric memory chip. - 特許庁

強誘電体メモリは、強誘電体キャパシタを有する複数のメモリセルが配置されるメモリセルアレイと、複数のワード線と、複数のプレート線と、複数のワード線駆動回路を含む。例文帳に追加

The ferroelectric memory includes a memory cell array where a plurality of memory cells with a ferroelectric capacitor are arranged, the plurality of word lines, the plurality of plate lines, and a plurality of word line driving circuits. - 特許庁

本発明は、メモリセルのキャパシタに強誘電体を用いる強誘電体メモリデバイスにおいて、定常的にデータの再書き込みを行わずに、メモリセルで保持されているデータを補償できるようにすることを最も主要な特徴とする。例文帳に追加

To compensate data held in a memory cell without rewriting data constantly, in a ferroelectric memory device using ferroelectric substance for a capacitor of a memory cell. - 特許庁

同時にアクセスされる強誘電体メモリセルの個数が１行分のメモリセル数の半分になるので、不要なアクセスを減らして強誘電体メモリセルの劣化を抑制することができる。例文帳に追加

Since the number of simultaneously accessed ferroelectric memory cells becomes half the number of one line memory cells, unnecessary accessing is reduced to suppress the deterioration of the ferroeectric memory cells. - 特許庁

強誘電体メモリを適用した、１メモリセルキャパシタに３値以上の分極量を記憶させることのできる、多値強誘電体メモリを提供すること。例文帳に追加

To provide a multilevel ferroelectric memory which applies a ferroelectric memory and can make one memory capacitor store polarization quantity of ternary or more. - 特許庁

反強誘電体メモリを適用した、１メモリセルキャパシタに３値以上の分極量を記憶させることのできる、多値反強誘電体メモリを提供すること。例文帳に追加

To provide a multi-level anti-ferroelectric memory in which an anti- ferroelectric memory is adopted and polarization quantity of ternary value or more can be stored in one memory cell capacitor. - 特許庁

従来の１トランジスタ１キャパシタ型の強誘電体メモリの構造に比べて、メモリセルの面積を小さくすることが可能な強誘電体メモリを提供する。例文帳に追加

To provide a ferroelectric memory that can reduce the area of a memory cell as compared with the structure of the conventional one-transistor one-capacitor type ferroelectric memory. - 特許庁

強誘電体キャパシタを構成する強誘電体層が特定のパターンを有し、信号電極の浮遊容量を小さくすることができるメモリセルアレイ、およびその製造方法、ならびに強誘電体メモリ装置を提供する。例文帳に追加

To provide a memory cell array where a ferroelectrics layer constituting a ferroelectrics capacitor has a specific pattern for less floating capacity of a signal electrode, manufacturing method thereof, and a ferroelectrics memory device. - 特許庁

メモリセルを構成する強誘電体の劣化が起こった場合でも、その強誘電体メモリセルから安定してデータを読み出すことができる強誘電体記憶装置を提供する。例文帳に追加

To provide a ferroelectric storage device which can read out stably data from its ferroelectric memory even if there occurs deterioration of a ferroelectric substance constituting a memory cell. - 特許庁

強誘電体メモリ素子形成プロセスにおいて発生する水素雰囲気によって、強誘電体層が還元ダメージを受けない強誘電体メモリ素子およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a ferroelectric memory device the ferroelectric layer of which is not reduced by the hydrogen atmosphere produced in a ferroelectric memory device forming process and to provide its manufacturing method. - 特許庁

優れた分極反転の応答性およびヒステリシス特性を有する有機強誘電体メモリの製造方法、有機強誘電体キャパシタ、有機強誘電体メモリ、および電子機器を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing an organic ferroelectric memory having superior polarization inversion response and hysteresis characteristics, and to provide an organic ferroelectric capacitor, the organic ferroelectric memory, and an electronic apparatus. - 特許庁

下部電極と上部電極との間に強誘電体膜を介在させた強誘電体キャパシタをメモリセルに配置した強誘電体メモリ装置の信頼性を向上させる。例文帳に追加

To improve a ferroelectric memory device in reliability, wherein the ferroelectric memory device is provided with a ferroelectric capacitor equipped with a ferroelectric film interposed between a lower electrode and an upper electrode and arranged in memory cells. - 特許庁

単純マトリクス型強誘電体メモリを実際に動作させることのできるヒステリシスループを持つ強誘電体キャパシタ及びデバイス構成を提案し、単純マトリクス型強誘電体メモリを実現すること。例文帳に追加

To propose a ferroelectric capacitor having a hysteresis loop capable of actually operating a single matrix ferroelectric memory and device configuration, and to realize the single matrix ferroelectric memory. - 特許庁

下部電極と強誘電体膜との界面におけるリーク電流を低減できる強誘電体メモリ装置の製造方法及び強誘電体メモリ装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a ferroelectric memory device capable of reducing a leak current at an interface between a lower electrode and a ferroelectric film, and the ferroelectric memory device. - 特許庁

キャパシタの電気的特性を向上させることができ、比較的に低い温度で結晶化可能なBLT強誘電体膜を有する強誘電体メモリ素子の製造方法および強誘電体メモリ装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a ferroelectric memory element having a BLT ferroelectric film that can improve electric characteristics of a capacitor and can be crystallized at a relatively low temperature, and to provide a ferroelectric memory device. - 特許庁

強誘電体材料において酸素欠損が発生することをより確実に防止できる強誘電体メモリ装置の製造方法及び強誘電体メモリ装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a ferroelectric memory device by which occurrence of oxygen defect can be prevented in a ferroelectric material, and to provide the ferroelectric memory device. - 特許庁

強誘電体キャパシタのインプリント効果による強誘電体メモリの劣化を防止し、強誘電体メモリの寿命を向上させることを課題とする。例文帳に追加

To prolong the life of a ferroelectric memory by preventing a deterioration in the ferroelectric memory due to imprinting effect of a ferroelectric capacitor. - 特許庁

製品出荷されるウエハの強誘電体メモリ装置のインプリント評価を強誘電体メモリ装置と強誘電体キャパシタを劣化させることなく短時間で実現する。例文帳に追加

To realize imprint evaluation of a ferroelectric memory device of a wafer to be shipped in a short time without deteriorating a ferroelectric memory device and a ferroelectric capacitor. - 特許庁

強誘電体薄膜の結晶化熱処理による積層プラグのバリヤ膜の酸化を防止する強誘電体メモリ素子の製造方法および強誘電体メモリ素子を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a ferroelectric memory cell for preventing oxidation of a barrier film of a laminated plug by crystallization heat treatment of a ferroelectric thin film, and to provide the ferroelectric memory cell. - 特許庁

金属配線と層間絶縁膜との接触による水素の発生を防止することで、強誘電体キャパシタの劣化を防止した、強誘電体メモリ、及び該強誘電体メモリの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a ferroelectric memory for preventing deterioration in a ferroelectric capacitor by preventing hydrogens from being generated by the contact of metal wiring and an interlayer insulating film, and to provide a manufacturing method of the ferroelectric memory. - 特許庁

１つの強誘電体素子中に３値以上の多値の分極データを記憶可能な強誘電体メモリセルを実現し、強誘電体メモリの高密度化、高集積化を実現する。例文帳に追加

To achieve a ferroelectric memory cell which allows polarization data of ternary or more multiple-value to be stored to attain a ferroelectric random access memory with high density and high integration. - 特許庁

下部電極の側面からの電界に起因する強誘電体キャパシタの特性低下を防止した、強誘電体メモリとその製造方法、強誘電体メモリ装置とその製造方法、及び電子機器を提供する。例文帳に追加

To provide a ferroelectric memory for preventing deterioration in characteristic of a ferroelectric capacitor due to an electric field from the side face of a lower electrode, a manufacturing method thereof, a ferroelectric memory device, a manufacturing method thereof, and an electronic apparatus. - 特許庁

強誘電体薄膜を複数個の電極で挟み、強誘電体薄膜を連続、一体化した構成をとり、強誘電体薄膜の中で分極信号を転送する分極転送デバイス構造を強誘電体メモリのメモリセル群として用いることにより、強誘電体特性を確保し、微細化、高集積化に適した強誘電体メモリが得られる。例文帳に追加

Thus, ferroelectric characteristics can be ensured and a ferroelectric memory suitable for microfabrication and high integration can be obtained. - 特許庁

半導体装置、半導体装置の製造方法、強誘電体メモリ、及び電子機器例文帳に追加

SEMICONDUCTOR DEVICE, ITS FABRICATING PROCESS, FERROELECTRIC MEMORY, AND ELECTRONIC APPARATUS - 特許庁

メモリセル間ばらつきの少ない強誘電体キャパシタを実現し、高品質で製造歩留りの高い半導体メモリ素子を提供する。例文帳に追加

To provide a high-quality semiconductor memory element, having a high production yield by realizing ferroelectric capacitors which have reduced variations among memory cells. - 特許庁

メモリセルアレイ全体で均一に読書可能で、センシング電圧を低下させ小形化可能な不揮発性強誘電体メモリ装置を提供する。例文帳に追加

To provide a nonvolatile ferroelectric memory device in which reading can be performed uniformly in a whole memory cell array, and which can be miniaturized by reducing sensing voltage. - 特許庁

設計通りのメモリ性能を容易に実現できる強誘電体メモリを備えた半導体装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a semiconductor device equipped with a ferroelectric memory which can easily materialize a memory performance as designed. - 特許庁

ビット線に対する寄生容量を低減し、メモリアレイ全体の面積を縮小することのできる強誘電体メモリ装置を提供する。例文帳に追加

To provide a ferroelectric memory device capable of reducing a parasitic capacitance against a bit line, and reducing the area of a whole memory array. - 特許庁

強誘電体メモリ部を有し多層配線構造となる半導体装置のメモリ特性および信頼性を向上させる。例文帳に追加

To improve memory characteristic and reliability of a semiconductor device, which is provided with a ferroelectric substance memory part and has a multilayered wiring structure. - 特許庁

以上に述べた構造を半導体メモリ装置にも適用、優れた強誘電体メモリデバイスを実現できた。例文帳に追加

When the structure is applied to a semiconductor memory device, the superior ferroelectric memory device can be realized. - 特許庁

強誘電体メモリセルとＳＲＡＭセルとを混載する半導体メモリ装置のチップサイズの縮小化を図れるようにする。例文帳に追加

To reduce chip size of a semiconductor memory in which ferroelectric memory cells and SRAM cells are loaded. - 特許庁

不揮発性半導体メモリ装置、すなわち強誘電体ランダムアクセスメモリ装置において基準電圧を発生する回路として使用される。例文帳に追加

The reference circuit of this invention is used as a circuit generating reference voltage in a non-volatile semiconductor memory device, namely, in a ferroelectric random access memory device. - 特許庁

強誘電体膜、強誘電体メモリ装置、圧電素子、半導体素子、圧電アクチュエータ、液体噴射ヘッド及びプリンタ例文帳に追加

FERROELECTRIC FILM, FERROELECTRIC MEMORY DEVICE, PIEZOELECTRIC ELEMENT, SEMICONDUCTOR ELEMENT, PIEZOELECTRIC ACTUATOR, LIQUID JETTING HEAD, AND PRINTER - 特許庁

圧電素子およびその製造方法、アクチュエータ、液体噴射ヘッド、並びに、強誘電体メモリ例文帳に追加

PIEZOELECTRIC ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD, ACTUATOR, LIQUID INJECTION HEAD, AND FERROELECTRIC MEMORY - 特許庁

電極膜およびその製造方法、ならびに強誘電体メモリおよび半導体装置例文帳に追加

ELECTRODE FILM AND ITS FORMING METHOD, AND FERROELECTRIC MEMORY AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

キャパシタおよびその製造方法、強誘電体メモリ装置、アクチュエータ、並びに、液体噴射ヘッド例文帳に追加

CAPACITOR, MANUFACTURING METHOD THEREOF, FERROELECTRIC MEMORY DEVICE, ACTUATOR, AND LIQUID JETTING HEAD - 特許庁

半導体装置およびその製造方法、並びに、強誘電体メモリ装置およびその製造方法例文帳に追加

SEMICONDUCTOR DEVICE, ITS MANUFACTURING METHOD, FERROELECTRIC MEMORY DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

強誘電体型不揮発性半導体メモリ、及び、印加電圧パルス幅制御回路例文帳に追加

FERROELECTIC TYPE NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY, AND CONTROL CIRCUIT FOR WIDTH OF APPLYING VOLTAGE PULSE - 特許庁

強誘電体メモリ装置およびその製造方法、半導体装置の製造方法例文帳に追加

FERROELECTRIC MEMORY APPARATUS, ITS MANUFACTURING METHOD, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

強誘電体素子を適用した半導体メモリ装置及びそのリフレッシュ方法例文帳に追加

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE WITH FERROELECTRIC ELEMENT AND REFRESH METHOD THEREOF - 特許庁

ＭＦＳ型電界効果トランジスタおよびその製造方法、強誘電体メモリならびに半導体装置例文帳に追加

MFS FIELD EFFECT TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR, FERROELECTRIC MEMORY, AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

高い信頼性を有する強誘電体型不揮発性半導体メモリの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a ferroelectric nonvolatile semiconductor memory which is of high reliability. - 特許庁

強誘電体メモリの検査装置、検査方法、制御プログラム及び記録媒体例文帳に追加

TEST DEVICE FOR FERROELECTRIC MEMORY, TEST METHOD, CONTROL PROGRAM, AND RECORDING MEDIUM - 特許庁

強誘電体メモリデバイスは、電圧を印加せずとも所定の２値の誘電率を選択的に保持するメモリ機能を有する強誘電体材料を備える。例文帳に追加

A ferroelectric memory device includes the ferroelectric material having the memory function for selectively keeping predetermined binary dielectric constants without applying a voltage. - 特許庁