意味 | 例文 (752件) |
浅くを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 752件
本発明の半導体装置は、ソース領域4、チャネル領域8及びドレイン領域5を有し、更に前記チャネル領域8上にゲート電極7が形成されており、前記チャネル領域8及びドレイン領域5間に少なくとも前記ゲート電極7下では浅く(第1のドリフト領域22A)、かつ前記ドレイン領域5近傍では深く(第2のドリフト領域22B)形成されたドリフト領域22を有することを特徴とする。例文帳に追加
This semiconductor device comprises a source region 4, channel region 8, and drain region 5, and a gate electrode 7 is formed on the channel region 8 while a drift region 22, which is at least shallow under the gate electrode 7 (first drift region 22A) but deep near the drain region 5 (second drift region 22B), is comprised between the channel region 6 and the drain region 5. - 特許庁
結晶基板と、化合物半導体の多層膜と、を有する積層体を備え、前記積層体の側面の少なくともいずれかは、その側面の端部から延在するスクライブ溝の少なくとも一部分を含み、前記積層体の主面からみた前記スクライブ溝の少なくとも一部分の深さは前記端部の近傍において浅く前記端部の遠方において深いことを特徴とする化合物半導体素子が提供される。例文帳に追加
The compound semiconductor element has a lamination with a crystal substrate and a compound semiconductor multilayer, wherein at least one of the side faces of the lamination includes at least a portion of a scribe groove that extends out from that side edge of the lamination and at least a partial depth of the scribe groove seen from the principal plane of the lamination is shallow in the vicinity of the edge and deep far from the edge. - 特許庁
意味 | 例文 (752件) |
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