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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 石英結晶に関連した英語例文

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石英結晶の部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 333



例文

結晶石英ルツボ例文帳に追加

CRYSTALLIZED QUARTZ CRUCIBLE - 特許庁

石英片岩という石英を主成分とする結晶片岩例文帳に追加

crystalline schist composed mainly of quartz, called quartz schist  - EDR日英対訳辞書

石英の透明な結晶例文帳に追加

a form of quartz that is almost or nearly colorless, called crystal  - EDR日英対訳辞書

結晶成長用石英ルツボ例文帳に追加

QUARTZ CRUCIBLE FOR GROWING SINGLE CRYSTAL - 特許庁

例文

石英るつぼおよび石英るつぼを用いた半導体単結晶製造方法例文帳に追加

QUARTZ CRUCIBLE AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL USING THE SAME - 特許庁


例文

シリコン結晶成長用石英坩堝のコーティング方法及びシリコン結晶成長用石英坩堝例文帳に追加

METHOD FOR COATING QUARTZ CRUCIBLE FOR GROWING SILICON CRYSTAL, AND QUARTZ CRUCIBLE FOR GROWING SILICON CRYSTAL - 特許庁

シリコン単結晶引き上げ用石英るつぼ例文帳に追加

QUARTZ CRUCIBLE FOR PULLING SILICON SINGLE CRYSTAL - 特許庁

シリコン単結晶引上げ用石英ルツボ例文帳に追加

QUARTZ CRUCIBLE FOR PULLING SILICON SINGLE CRYSTAL - 特許庁

シリコン単結晶引き上げ用石英ルツボ例文帳に追加

QUARTZ CRUCIBLE FOR PULLING SILICON SINGLE CRYSTAL - 特許庁

例文

シリコン単結晶引き上げ用石英ガラスルツボ例文帳に追加

QUARTZ GLASS CRUCIBLE FOR PULLING UP SILICON SINGLE CRYSTAL - 特許庁

例文

シリコン単結晶引上げ用石英ガラスルツボ例文帳に追加

QUARTZ GLASS CRUCIBLE FOR PULLING SILICON SINGLE CRYSTAL - 特許庁

シリコン単結晶引上用大型石英ルツボ例文帳に追加

LARGE-SIZED QUARTZ CRUCIBLE FOR PULLING SILICON SINGLE CRYSTAL - 特許庁

結晶化し易い石英ガラス部材とその用途例文帳に追加

EASILY CRYSTALLIZED QUARTZ GLASS MEMBER AND ITS APPLICATION - 特許庁

石英ガラスルツボおよび石英ガラスルツボを用いたシリコン単結晶の引き上げ方法例文帳に追加

QUARTZ GLASS CRUCIBLE AND METHOD FOR PULLING SILICON SINGLE CRYSTAL WITH QUARTZ GLASS CRUCIBLE - 特許庁

石英ルツボの製造方法及び石英ルツボ並びにこれを用いたシリコン単結晶の製造方法例文帳に追加

MANUFACTURING METHOD FOR QUARTZ CRUCIBLE, QUARTZ CRUCIBLE, AND MANUFACTURING METHOD FOR SILICON SINGLE CRYSTAL USING THE SAME - 特許庁

結晶引上用石英ルツボ、単結晶引上装置及び単結晶引上方法例文帳に追加

QUARTZ CRUCIBLE FOR PULLING UP SINGLE CRYSTAL, SINGLE CRYSTAL PULLING UP DEVICE AND SINGLE CRYSTAL PULLING UP METHOD - 特許庁

シリコン単結晶引き上げ用石英ガラスルツボおよびシリコン単結晶引き上げ用石英ガラスルツボの製造方法例文帳に追加

QUARTZ GLASS CRUCIBLE FOR PULLING SILICON SINGLE CRYSTAL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME - 特許庁

石英ルツボの製造方法であって、シリコン単結晶の単結晶歩留まりを向上させ、かつ石英ルツボの変形を抑える。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a quartz crucible, in which the yield of a silicon single crystal is improved and the deformation of the quartz crucible is suppressed. - 特許庁

β−石英及び/又はβ−石英固溶体を含み、結晶化前後における屈折率ndの変化量が0.04以下である結晶化ガラス。例文帳に追加

The crystallized glass includes a β-quartz and/or β-quartz solid solution, and the variation of the refractive index nd appearing before and after crystallization is 0.04 or less. - 特許庁

シリコン単結晶引き上げ用石英ガラスるつぼ及びその製造方法例文帳に追加

SILICA GLASS CRUCIBLE FOR PULLING UP SILICON SINGLE CRYSTAL AND PRODUCTION OF THE CRUCIBLE - 特許庁

シリコン単結晶引き上げ用大口径石英ガラスるつぼ例文帳に追加

QUARTZ GLASS CRUCIBLE HAVING LARGE DIAMETER FOR PULLING UP SILICON SINGLE CRYSTAL - 特許庁

シリコン単結晶引上げ用石英ガラスるつぼおよびその製造方法例文帳に追加

QUARTZ GLASS CRUCIBLE FOR PULLING SILICON SINGLE CRYSTAL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME - 特許庁

シリコン単結晶引上げ用石英ガラスるつぼ及びその製造方法例文帳に追加

QUARTZ GLASS CRUCIBLE FOR PULLING SILICON SINGLE CRYSTAL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME - 特許庁

シリコン単結晶引き上げ用石英ガラスるつぼ及び その製造方法例文帳に追加

QUARTZ GLASS CRUCIBLE FOR PULLING SINGLE SILICON CRYSTAL AND ITS PRODUCTION - 特許庁

シリコン単結晶引き上げ用石英ガラスるつぼの製造方法例文帳に追加

METHOD FOR PRODUCTION OF QUARTZ GLASS CRUCIBLE FOR PULLING SILICON SINGLE CRYSTAL - 特許庁

シリコン単結晶引き上げ用石英ルツボ及びその製造方法例文帳に追加

QUARTZ CRUCIBLE FOR PULLING SILICON SINGLE CRYSTAL AND ITS PRODUCTION - 特許庁

シリコン単結晶引上げ用石英ガラスルツボおよびその製造方法例文帳に追加

QUARTZ GLASS CRUCIBLE FOR PULLING SILICON SINGLE CRYSTAL AND ITS PRODUCTION - 特許庁

シリコン単結晶引上げ用石英ガラスルツボ及びその製造方法例文帳に追加

QUARTZ GLASS CRUCIBLE FOR PULLING UP SILICON SINGLE CRYSTAL AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

シリコン単結晶引き上げ用石英ガラスルツボとその製造方法例文帳に追加

QUARTZ GLASS CRUCIBLE FOR PULLING SILICON SINGLE CRYSTAL AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

シリコン単結晶引上げ用石英ガラスルツボの製造方法例文帳に追加

MANUFACTURE OF QUARTZ GLASS CRUCIBLE FOR SILICON SINGLE CRYSTAL PULLING - 特許庁

Si単結晶引上げ用石英ガラスるつぼの製造方法例文帳に追加

METHOD OF PRODUCING QUARTZ GLASS CRUCIBLE FOR PULLING SILICON SINGLE CRYSTAL - 特許庁

シリコン単結晶引上用石英ガラスルツボの製造方法例文帳に追加

PRODUCTION OF QUARTZ GLASS CRUCIBLE FOR PULLING UP SILICON SINGLE CRYSTAL - 特許庁

石英ルツボ及び多結晶シリコンの回収方法およびその装置例文帳に追加

METHOD AND APPARATUS FOR RECOVERING QUARTZ CRUCIBLE AND POLYCRYSTALLINE SILICON - 特許庁

シリコン単結晶引き上げ用石英ガラスルツボ及びその製造方法例文帳に追加

QUARTZ GLASS CRUCIBLE FOR PULLING UP SILICON SINGLE CRYSTAL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME - 特許庁

シリコン単結晶引上用石英ガラスルツボとその引上方法例文帳に追加

QUARTZ GLASS CRUCIBLE FOR PULLING SILICON SINGLE CRYSTAL AND METHOD FOR PULLING SILICON SINGLE CRYSTAL - 特許庁

シリコン単結晶引上用石英ガラスルツボおよびその製造方法例文帳に追加

QUARTZ GLASS CRUCIBLE FOR PULLING SILICON SINGLE CRYSTAL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME - 特許庁

石英ルツボおよびこれを使用したシリコン結晶の製造方法例文帳に追加

QUARTZ CRUCIBLE AND METHOD FOR PRODUCING SILICON CRYSTAL - 特許庁

シリコン単結晶引き上げ用石英ガラスルツボ及びその製造方法例文帳に追加

SILICA GLASS CRUCIBLE FOR PULLING SILICON SINGLE CRYSTAL AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF - 特許庁

シリコン単結晶引き上げ用の石英ガラスルツボおよびシリコン単結晶の製造方法例文帳に追加

QUARTZ GLASS CRUCIBLE FOR PULLING SILICON SINGLE CRYSTAL AND METHOD FOR PRODUCING SILICON SINGLE CRYSTAL - 特許庁

シリコン単結晶の製造方法、シリコン単結晶引き上げ装置及び石英ガラスルツボ例文帳に追加

METHOD OF PRODUCING SILICON SINGLE CRYSTAL, APPARATUS FOR PULLING SILICON SINGLE CRYSTAL, AND QUARTZ GLASS CRUCIBLE - 特許庁

結晶育成後の石英るつぼ回収方法およびCZ単結晶育成装置例文帳に追加

METHOD OF RECOVERING QUARTZ CRUCIBLE AFTER GROWING SINGLE CRYSTAL AND DEVICE FOR GROWING CZ-SINGLE CRYSTAL - 特許庁

この結果、前記石英ガラスルツボ111の全体が石英ガラス121からなり、前記石英ガラスルツボ111の外層部142にシリカの結晶相151が実質的に存在しない石英ガラスルツボ111が得られる。例文帳に追加

As a result, the quartz glass crucible 111 is obtained which is made of quartz glass 121 as a whole and substantially has no crystal phases 151 of silica in the outer layer part 142 of the quartz glass crucible 111. - 特許庁

本発明は、石英ガラスルツボ内側表面で石英ガラスの結晶相を短時間で均一に生成させ、無転位単結晶引上を長時間継続し続けることができる石英ガラスルツボを提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a quartz glass crucible which makes it possible to continuously pull a non-transition single crystal for a long time by uniformly producing the crystal phase of quartz glass in a short time on the inside surface of the quartz glass crucible. - 特許庁

シリコン単結晶引上げ用石英ガラスルツボの製造方法および該製造方法で製造された石英ガラスルツボ例文帳に追加

METHOD OF MANUFACTURING QUARTZ GLASS CRUCIBLE FOR PULLING UP SILICON SINGLE CRYSTAL AND QUARTZ GLASS CRUCIBLE MANUFACTURED BY THE SAME METHOD - 特許庁

石英ルツボ5内に結晶用シリコン原料13を充填する前に、石英ルツボ5の内底部に補強部材15を載置する。例文帳に追加

Before a silicon raw material for crystal 13 is charged in a quartz crucible 5, a reinforcing member 15 is placed on the bottom part inside the quartz crucible 5. - 特許庁

シリコン単結晶の引上げ中に、石英ガラス製ルツボの減肉判定を容易かつ正確に実施できる石英ガラス製ルツボを提供する。例文帳に追加

To provide a quartz glass crucible in which judgement of thickness reduction amount of the quartz glass crucible can be readily and precisely performed during pulling of a silicon single crystal. - 特許庁

シリコン単結晶引き上げに用いる石英ガラスルツボであって、クリストバライト化の進行が抑制された石英ガラスルツボを提供する。例文帳に追加

To provide a quartz glass crucible used for pulling a silicon single crystal, in which the progress of cristobalite formation is suppressed. - 特許庁

内表面から少なくとも深さ200μmの部位の石英ガラスの仮想温度が1700〜2300Kであるシリコン単結晶引き上げ用石英るつぼ。例文帳に追加

In the quartz crubible for pulling a silicon single crystal, the supposed temp. at the part of the depth of at least 200 μm from the inner surface of the quartz crucible is in the range of 1,700 to 2,300 K. - 特許庁

石英ルツボ内表面層のOH含有量を制御することにより、石英内表面を結晶化させ、長時間使用することが出来る。例文帳に追加

To use a quartz crucible for a long time by controlling the content of OH group in the inner surface layer of the quartz crucible to crystallize the inner surface of the quartz. - 特許庁

例文

シリコン単結晶の単結晶歩留まりを向上させるために、使用中に石英ルツボ内表面からの結晶片の剥離を防止する。例文帳に追加

To prevent exfoliation of crystal chips from the inner surface of a quartz crucible during use in order to improve the yield of a silicon single crystal. - 特許庁

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