1016万例文収録!

「酸化けい素膜」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索


小窓モード

プレミアム

ログイン
設定

設定

Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 酸化けい素膜に関連した英語例文

セーフサーチ:オン

不適切な検索結果を除外する

不適切な検索結果を除外しない

セーフサーチについて

酸化けい素膜の部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 3327



例文

ケイ酸化例文帳に追加

SILICON OXIDE FILM - 特許庁

ケイ酸化物被例文帳に追加

SILICON OXIDE FILM - 特許庁

酸化の成方法例文帳に追加

METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM - 特許庁

酸化酸化形成方法、半導体例文帳に追加

OXIDE FILM, FORMING METHOD OF THE OXIDE FILM, SEMICONDUCTOR ELEMENT - 特許庁

例文

酸化の形成方法例文帳に追加

FORMING METHOD OF SILICON DIOXIDE FILM - 特許庁


例文

酸化の形成法例文帳に追加

METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM - 特許庁

酸化ケイの形成方法例文帳に追加

PROCESS FOR FORMING SILICON OXIDE THIN FILM - 特許庁

酸化の形成方法例文帳に追加

METHOD FOR DEPOSITING SILICON DIOXIDE FILM - 特許庁

酸化の形成方法例文帳に追加

METHOD FOR DEPOSITING SILICON DIOXIDE COATING FILM - 特許庁

例文

酸化の形成法例文帳に追加

METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE COAT - 特許庁

例文

多孔質のケイ酸化物塗例文帳に追加

POROUS SILICON OXIDE COATING FILM - 特許庁

酸化付き基板例文帳に追加

SUBSTRATE HAVING SILICON DIOXIDE FILM THEREON - 特許庁

酸化ケイの被覆方法例文帳に追加

METHOD FOR COATING WITH THICK-FILM SILICON DIOXIDE - 特許庁

酸化の製造方法例文帳に追加

METHOD OF PRODUCING SILICON OXIDE FILM - 特許庁

酸化の製造方法例文帳に追加

SILICON NITRIDE FILM MANUFACTURING METHOD - 特許庁

酸化ケイの製造方法例文帳に追加

METHOD FOR PRODUCING SILICON DIOXIDE FILM - 特許庁

酸化チタン−酸化複合の製造方法例文帳に追加

PRODUCTION OF TITANIUM OXIDE-SILICON OXIDE MULTIPLE FILM - 特許庁

材料としては、酸化、窒化珪、窒化酸化等。例文帳に追加

As the depositing material, there are prepared a silicon oxide, a silicon nitride, a silicon nitrided oxide, etc. - 特許庁

ゲート酸化子、ゲート酸化形成方法、ゲート酸化形成材料例文帳に追加

GATE OXIDE FILM, ELEMENT, AND METHOD AND MATERIAL FOR FORMING GATE OXIDE FILM - 特許庁

酸化酸化窒化炭および酸化ダイヤモンド状炭とこれら酸化系薄の製造方法例文帳に追加

CARBON OXIDE THIN FILM, CARBON OXYNITRIDE THIN FILM AND DIAMOND-LIKE CARBON OXIDE THIN FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING THESE CARBON OXIDE TYPE THIN FILMS - 特許庁

酸化物原料溶液、酸化、圧電子、酸化の形成方法および圧電子の製造方法例文帳に追加

OXIDE SOURCE MATERIAL SOLUTION, OXIDE FILM, PIEZOELECTRIC ELEMENT, METHOD FOR FORMING OXIDE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING PIEZOELECTRIC ELEMENT - 特許庁

陽極酸化34は、二酸化ケイ26によって覆われている。例文帳に追加

An anode oxidation film 34 is covered with a silicon dioxide film 26. - 特許庁

酸化亜鉛の形成方法及び該酸化亜鉛を使用した半導体例文帳に追加

METHOD OF FORMING ZINC OXIDE FILM AND SEMICONDUCTOR ELEMENT USING SAME - 特許庁

陽極酸化32は、二酸化ケイ26によって覆われている。例文帳に追加

The anodic oxidation film 32 is covered with a silicon dioxide film 26. - 特許庁

活性層となる結晶性珪を、第1の酸化、第2の酸化、それらを覆う第3の酸化と、さらに第3の酸化を覆う窒化珪、前記窒化珪を樹脂で覆う。例文帳に追加

A crystalline silicon film used as the active layer, a first silicon oxide film, a second silicon oxide film, a third silicon oxide film overlying them, further a silicon nitride film overlying the third silicon oxide film, and the silicon nitride film are covered by a resin film in the semiconductor device. - 特許庁

酸化ケイの成方法および成装置例文帳に追加

METHOD FOR FORMATION OF SILICON OXIDE THIN FILM AND FILM FORMING DEVICE - 特許庁

含有酸化ケイ、封止及びその用途例文帳に追加

CARBON-CONTAINING SILICON OXIDE FILM, SEALING FILM AND USAGE THEREOF - 特許庁

酸化ケイ系被形成用組成物及び酸化ケイ系被付き基体の製造方法例文帳に追加

SILICON OXIDE-BASED FILM-FORMING COMPOSITION AND METHOD FOR PRODUCING SUBSTRATE MATERIAL ATTACHED WITH SILICON OXIDE-BASED FILM - 特許庁

前記フッを含む絶縁は、フッを含む酸化、フッと窒を含む酸化、フッを含む窒化珪のいずれか1つである。例文帳に追加

The insulating film containing fluorine is any one of a silicon oxide film containing fluorine, a silicon oxide film containing fluorine and nitrogen, and a silicon nitride film containing fluorine. - 特許庁

その光学皮(33)は、二酸化酸化チタンまたは酸化チタン系複合材とを多層に構成する。例文帳に追加

The optical coating (33) structures silicon dioxide and titanium oxide or titanium-oxide system complex material in multiple layers. - 特許庁

光照射によるフッ添加酸化ケイの形成法例文帳に追加

METHOD OF FORMING FLUORINE-ADDED SILICON OXIDE FILM BY LIGHT IRRADIATION - 特許庁

酸化を含有する二酸化チタン薄及びその製造方法例文帳に追加

THIN TITANIUM DIOXIDE FILM CONTAINING SILICON DIOXIDE AND ITS PRODUCTION - 特許庁

酸化の製造装置および成方法例文帳に追加

MANUFACTURING APPARATUS AND METHOD OF SILICON OXIDE FILM - 特許庁

応力二酸化ケイの製造方法例文帳に追加

PRODUCTION OF LOW FILM STRESS SILICON DIOXIDE FILM - 特許庁

酸化ケイ転化及びパタ−ン状二酸化ケイ転化の形成方法例文帳に追加

SILICON DIOXIDE CONVERSION FILM AND METHOD OF FORMING PATTERNED SILICON DIOXIDE CONVERSION FILM - 特許庁

酸化窒化珪3を成する前に、酸化窒化珪のソースガスである亜酸化(N_2O)ガスを用いてプラズマ前処理した。例文帳に追加

Before forming the oxynitride silicon film 3, pretreatment with plasma is done by using nitrous oxide (N2O) gas, which is a source gas of the oxynitride silicon film. - 特許庁

酸化又は酸化窒化珪を形成する工程と、前記酸化又は酸化窒化珪上に窒化珪を形成する工程と、を大気に曝すことなく連続的に行うことを特徴とする。例文帳に追加

The method successively carries out the steps, without being exposed to the air, of forming a silicon oxide film or a silicon-oxide-nitride film and of forming a silicon nitride film over the silicon oxide film or the silicon oxide nitride film. - 特許庁

また、酸化3と酸化4とは、それぞれ水に対する接触角が10°以下であった。例文帳に追加

Contact angles of the silicon oxide films 3 and 4 with water are both 10° or less. - 特許庁

酸化層の保護層用塗工液および酸化の保護方法例文帳に追加

COATING LIQUID FOR PROTECTIVE LAYER OF SILICON OXIDE THIN-FILM LAYER AND METHOD FOR PROTECTING SILICON OXIDE THIN-FILM - 特許庁

次に、酸化503が形成されたウエハWを熱酸化処理装置に移送し、酸化503に対して熱酸化処理を実施することにより、目標厚T_2で酸化505が形成される。例文帳に追加

Then the wafer W having the silicon oxide film 503 formed is conveyed to a thermal oxidation processing apparatus and the silicon oxide film 503 is subjected to thermal oxidation processing to form a silicon oxide film 505 having a target film thickness T_2. - 特許庁

炭化けい半導体基板の酸化形成方法例文帳に追加

OXIDE FILM FORMING METHOD OF SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE - 特許庁

酸化ケイ系ポリマーの製造方法および酸化ケイ系被形成用組成物例文帳に追加

MANUFACTURE OF SILICON OXIDE POLYMER AND COMPOSITION FOR FORMING SILICON OXIDE FILM - 特許庁

基板10上に、(a)酸化41、(b)非晶質珪42A、(c)酸化43、(d)非晶質珪44Aを積層する。例文帳に追加

(a) A silicon oxide film 41, (b) an amorphous silicon film 42A, (c) a silicon oxide film 43, and (d) an amorphous silicon film 44A are laminated on a substrate 10. - 特許庁

子分離領域を形成する酸化(シリコン酸化)22に不純物としてF(フッ)を添加する。例文帳に追加

F(fluorine) is added to an oxide film 22 (silicon oxide film) for forming a isolation region as an impurity. - 特許庁

はアルミナ,炭化ケイ,窒化ケイ又は酸化ケイで形成されている。例文帳に追加

The coating is composed of alumina, silicon carbide, silicon nitride, or silicon oxide. - 特許庁

炭化珪半導体の酸化の形成方法例文帳に追加

METHOD FOR FORMING OXIDIZED FILM OF SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR - 特許庁

酸化けい質蒸着の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON OXIDE EVAPORATION FILM - 特許庁

酸化の形成方法及びその装置例文帳に追加

METHOD OF FORMING SILICON OXIDE FILM AND SYSTEM THEREOF - 特許庁

炭化珪酸化時の炭の発生を抑制し、良好な炭化珪/シリコン酸化界面を得る。例文帳に追加

To obtain an excellent silicon carbide/silicon oxide film interface by suppressing generation of carbon in silicon carbide oxidization. - 特許庁

例文

その透明皮は、二酸化酸化チタンまたは酸化チタン系複合材の二層とを多層とした光学として形成する。例文帳に追加

The transparent coating film is formed as an optical film wherein double layers of silicon dioxide and titanium oxide or a titanium oxide composite material are laminated in a multilayer structure. - 特許庁

索引トップ用語の索引



  
Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する
英→日 日→英
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する

©2024 GRAS Group, Inc.RSS