例文 (999件) |
酸化けい素膜の部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 3327件
ケイ素酸化膜例文帳に追加
SILICON OXIDE FILM - 特許庁
ケイ素酸化物被膜例文帳に追加
SILICON OXIDE FILM - 特許庁
酸化珪素膜の成膜方法例文帳に追加
METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM - 特許庁
酸化膜、酸化膜形成方法、半導体素子例文帳に追加
OXIDE FILM, FORMING METHOD OF THE OXIDE FILM, SEMICONDUCTOR ELEMENT - 特許庁
酸化珪素被膜の形成法例文帳に追加
METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM - 特許庁
酸化ケイ素薄膜の形成方法例文帳に追加
PROCESS FOR FORMING SILICON OXIDE THIN FILM - 特許庁
二酸化珪素被膜の形成方法例文帳に追加
METHOD FOR DEPOSITING SILICON DIOXIDE FILM - 特許庁
二酸化珪素被膜の形成方法例文帳に追加
METHOD FOR DEPOSITING SILICON DIOXIDE COATING FILM - 特許庁
酸化珪素被膜の形成法例文帳に追加
METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE COAT - 特許庁
多孔質のケイ素酸化物塗膜例文帳に追加
POROUS SILICON OXIDE COATING FILM - 特許庁
厚膜二酸化ケイ素の被覆方法例文帳に追加
METHOD FOR COATING WITH THICK-FILM SILICON DIOXIDE - 特許庁
酸化珪素膜の製造方法例文帳に追加
二酸化ケイ素膜の製造方法例文帳に追加
METHOD FOR PRODUCING SILICON DIOXIDE FILM - 特許庁
成膜材料としては、酸化珪素、窒化珪素、窒化酸化珪素等。例文帳に追加
As the depositing material, there are prepared a silicon oxide, a silicon nitride, a silicon nitrided oxide, etc. - 特許庁
ゲート酸化膜、素子、ゲート酸化膜形成方法、ゲート酸化膜形成材料例文帳に追加
GATE OXIDE FILM, ELEMENT, AND METHOD AND MATERIAL FOR FORMING GATE OXIDE FILM - 特許庁
酸化炭素薄膜、酸化窒化炭素薄膜および酸化ダイヤモンド状炭素薄膜とこれら酸化炭素系薄膜の製造方法例文帳に追加
CARBON OXIDE THIN FILM, CARBON OXYNITRIDE THIN FILM AND DIAMOND-LIKE CARBON OXIDE THIN FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING THESE CARBON OXIDE TYPE THIN FILMS - 特許庁
酸化物原料溶液、酸化物膜、圧電素子、酸化物膜の形成方法および圧電素子の製造方法例文帳に追加
OXIDE SOURCE MATERIAL SOLUTION, OXIDE FILM, PIEZOELECTRIC ELEMENT, METHOD FOR FORMING OXIDE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING PIEZOELECTRIC ELEMENT - 特許庁
陽極酸化膜34は、二酸化ケイ素膜26によって覆われている。例文帳に追加
An anode oxidation film 34 is covered with a silicon dioxide film 26. - 特許庁
酸化亜鉛膜の形成方法及び該酸化亜鉛膜を使用した半導体素子例文帳に追加
METHOD OF FORMING ZINC OXIDE FILM AND SEMICONDUCTOR ELEMENT USING SAME - 特許庁
陽極酸化膜32は、二酸化ケイ素膜26によって覆われている。例文帳に追加
The anodic oxidation film 32 is covered with a silicon dioxide film 26. - 特許庁
活性層となる結晶性珪素膜を、第1の酸化珪素膜、第2の酸化珪素膜、それらを覆う第3の酸化珪素膜と、さらに第3の酸化珪素膜を覆う窒化珪素膜、前記窒化珪素膜を樹脂膜で覆う。例文帳に追加
A crystalline silicon film used as the active layer, a first silicon oxide film, a second silicon oxide film, a third silicon oxide film overlying them, further a silicon nitride film overlying the third silicon oxide film, and the silicon nitride film are covered by a resin film in the semiconductor device. - 特許庁
酸化ケイ素薄膜の成膜方法および成膜装置例文帳に追加
METHOD FOR FORMATION OF SILICON OXIDE THIN FILM AND FILM FORMING DEVICE - 特許庁
炭素含有酸化ケイ素膜、封止膜及びその用途例文帳に追加
CARBON-CONTAINING SILICON OXIDE FILM, SEALING FILM AND USAGE THEREOF - 特許庁
酸化ケイ素系被膜形成用組成物及び酸化ケイ素系被膜付き基体の製造方法例文帳に追加
SILICON OXIDE-BASED FILM-FORMING COMPOSITION AND METHOD FOR PRODUCING SUBSTRATE MATERIAL ATTACHED WITH SILICON OXIDE-BASED FILM - 特許庁
前記フッ素を含む絶縁膜は、フッ素を含む酸化珪素膜、フッ素と窒素を含む酸化珪素膜、フッ素を含む窒化珪素膜のいずれか1つである。例文帳に追加
The insulating film containing fluorine is any one of a silicon oxide film containing fluorine, a silicon oxide film containing fluorine and nitrogen, and a silicon nitride film containing fluorine. - 特許庁
その光学皮膜(33)は、二酸化珪素と酸化チタンまたは酸化チタン系複合材とを多層に構成する。例文帳に追加
The optical coating (33) structures silicon dioxide and titanium oxide or titanium-oxide system complex material in multiple layers. - 特許庁
光照射によるフッ素添加酸化ケイ素膜の形成法例文帳に追加
METHOD OF FORMING FLUORINE-ADDED SILICON OXIDE FILM BY LIGHT IRRADIATION - 特許庁
二酸化珪素を含有する二酸化チタン薄膜及びその製造方法例文帳に追加
THIN TITANIUM DIOXIDE FILM CONTAINING SILICON DIOXIDE AND ITS PRODUCTION - 特許庁
酸化珪素膜の製造装置および成膜方法例文帳に追加
MANUFACTURING APPARATUS AND METHOD OF SILICON OXIDE FILM - 特許庁
低膜応力二酸化ケイ素膜の製造方法例文帳に追加
PRODUCTION OF LOW FILM STRESS SILICON DIOXIDE FILM - 特許庁
二酸化ケイ素転化膜及びパタ−ン状二酸化ケイ素転化膜の形成方法例文帳に追加
SILICON DIOXIDE CONVERSION FILM AND METHOD OF FORMING PATTERNED SILICON DIOXIDE CONVERSION FILM - 特許庁
酸化窒化珪素膜3を成膜する前に、酸化窒化珪素膜のソースガスである亜酸化窒素(N_2O)ガスを用いてプラズマ前処理した。例文帳に追加
Before forming the oxynitride silicon film 3, pretreatment with plasma is done by using nitrous oxide (N2O) gas, which is a source gas of the oxynitride silicon film. - 特許庁
酸化珪素膜又は酸化窒化珪素膜を形成する工程と、前記酸化珪素膜又は酸化窒化珪素膜上に窒化珪素膜を形成する工程と、を大気に曝すことなく連続的に行うことを特徴とする。例文帳に追加
The method successively carries out the steps, without being exposed to the air, of forming a silicon oxide film or a silicon-oxide-nitride film and of forming a silicon nitride film over the silicon oxide film or the silicon oxide nitride film. - 特許庁
また、酸化珪素膜3と酸化珪素膜4とは、それぞれ水に対する接触角が10°以下であった。例文帳に追加
Contact angles of the silicon oxide films 3 and 4 with water are both 10° or less. - 特許庁
酸化珪素薄膜層の保護層用塗工液および酸化珪素薄膜の保護方法例文帳に追加
COATING LIQUID FOR PROTECTIVE LAYER OF SILICON OXIDE THIN-FILM LAYER AND METHOD FOR PROTECTING SILICON OXIDE THIN-FILM - 特許庁
次に、酸化珪素膜503が形成されたウエハWを熱酸化処理装置に移送し、酸化珪素膜503に対して熱酸化処理を実施することにより、目標膜厚T_2で酸化珪素膜505が形成される。例文帳に追加
Then the wafer W having the silicon oxide film 503 formed is conveyed to a thermal oxidation processing apparatus and the silicon oxide film 503 is subjected to thermal oxidation processing to form a silicon oxide film 505 having a target film thickness T_2. - 特許庁
炭化けい素半導体基板の酸化膜形成方法例文帳に追加
OXIDE FILM FORMING METHOD OF SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE - 特許庁
酸化ケイ素系ポリマーの製造方法および酸化ケイ素系被膜形成用組成物例文帳に追加
MANUFACTURE OF SILICON OXIDE POLYMER AND COMPOSITION FOR FORMING SILICON OXIDE FILM - 特許庁
基板10上に、(a)酸化珪素膜41、(b)非晶質珪素膜42A、(c)酸化珪素膜43、(d)非晶質珪素膜44Aを積層する。例文帳に追加
(a) A silicon oxide film 41, (b) an amorphous silicon film 42A, (c) a silicon oxide film 43, and (d) an amorphous silicon film 44A are laminated on a substrate 10. - 特許庁
素子分離領域を形成する酸化膜(シリコン酸化膜)22に不純物としてF(フッ素)を添加する。例文帳に追加
F(fluorine) is added to an oxide film 22 (silicon oxide film) for forming a isolation region as an impurity. - 特許庁
被膜はアルミナ,炭化ケイ素,窒化ケイ素又は酸化ケイ素で形成されている。例文帳に追加
The coating is composed of alumina, silicon carbide, silicon nitride, or silicon oxide. - 特許庁
炭化珪素半導体の酸化膜の形成方法例文帳に追加
METHOD FOR FORMING OXIDIZED FILM OF SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR - 特許庁
酸化けい素質蒸着膜の製造方法例文帳に追加
METHOD FOR MANUFACTURING SILICON OXIDE EVAPORATION FILM - 特許庁
炭化珪素酸化時の炭素の発生を抑制し、良好な炭化珪素/シリコン酸化膜界面を得る。例文帳に追加
To obtain an excellent silicon carbide/silicon oxide film interface by suppressing generation of carbon in silicon carbide oxidization. - 特許庁
その透明皮膜は、二酸化珪素と酸化チタンまたは酸化チタン系複合材の二層膜とを多層とした光学膜として形成する。例文帳に追加
The transparent coating film is formed as an optical film wherein double layers of silicon dioxide and titanium oxide or a titanium oxide composite material are laminated in a multilayer structure. - 特許庁
例文 (999件) |
Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
ログイン |
Weblio会員(無料)になると 検索履歴を保存できる! 語彙力診断の実施回数増加! |
ログイン |
Weblio会員(無料)になると 検索履歴を保存できる! 語彙力診断の実施回数増加! |